Томский политехнический институт (ТПИ), Вайсбурд Д. И. Давид Израйлевич, & Балычев И. Н. (1980). Исследование быстропротекающих радиационных явлений и отжигов в наносекундном временном диапазоне; Исследование поведения диэлектрических материалов при воздействии электронных пучков средней плотности с целью выяснения технологической возможности такой обработки: Промежуточный отчет о НИР; Тема: х/д 0-49/79. Томск, 1980.
Chicago Style (17th ed.) CitationТомский политехнический институт (ТПИ), Вайсбурд Д. И. Давид Израйлевич, and Балычев И. Н. Исследование быстропротекающих радиационных явлений и отжигов в наносекундном временном диапазоне; Исследование поведения диэлектрических материалов при воздействии электронных пучков средней плотности с целью выяснения технологической возможности такой обработки: Промежуточный отчет о НИР; Тема: х/д 0-49/79. Томск, 1980, 1980.
MLA (9th ed.) CitationТомский политехнический институт (ТПИ), et al. Исследование быстропротекающих радиационных явлений и отжигов в наносекундном временном диапазоне; Исследование поведения диэлектрических материалов при воздействии электронных пучков средней плотности с целью выяснения технологической возможности такой обработки: Промежуточный отчет о НИР; Тема: х/д 0-49/79. Томск, 1980, 1980.