Теория формирования эпитаксиальных наноструктур

Dades bibliogràfiques
Autor principal: Дубровский В. Г. Владимир Германович
Sumari:В книге подробно рассматривается кинетическая теория формирования полупроводниковых наноструктур на поверхности твердого тела, описываются основные физические концепции и модели процессов образования эпитаксиальных пленок, квантовых точек и нитевидных нанокристаллов (нановискеров). Излагаются основы теории нуклеации и конденсации и возможности ее применения для моделирования ростовых процессов, морфологии и физических свойств эпитаксиальных наноструктур. Особое внимание уделяется теоретическим моделям формирования квантовых точек и нановискеров полупроводниковых соединений III—V. Результаты расчетов сравниваются с экспериментальными данными, полученными для различных систем материалов и условий осаждения. Никаких предварительных знаний по теории нуклеации, физической кинетике, физике поверхностных явлений не требуется, все необходимые сведения приведены в тексте. Для студентов, бакалавров и аспирантов, специализирующихся в области физики, материаловедения и некоторых других технических дисциплин, а также для ученых и инженеров, желающих глубже понять теоретические основы современной физики и технологии наноструктур.
Idioma:rus
Publicat: Москва, Физматлит, 2009
Col·lecció:Фундаментальная и прикладная физика
Matèries:
Format: Llibre
KOHA link:https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=157548

MARC

LEADER 00000nam0a2200000 4500
001 157548
005 20231101221955.0
010 |a 9785922110693 
035 |a (RuTPU)RU\TPU\book\170890 
090 |a 157548 
100 |a 20090409d2009 km y0rusy50 ca 
101 0 |a rus 
102 |a RU 
105 |a a z 001zy 
200 1 |a Теория формирования эпитаксиальных наноструктур  |f В. Г. Дубровский 
210 |a Москва  |c Физматлит  |d 2009 
215 |a 352 с.  |c ил. 
225 1 |a Фундаментальная и прикладная физика 
320 |a Библиогр.: с. 338-350. 
330 |a В книге подробно рассматривается кинетическая теория формирования полупроводниковых наноструктур на поверхности твердого тела, описываются основные физические концепции и модели процессов образования эпитаксиальных пленок, квантовых точек и нитевидных нанокристаллов (нановискеров). Излагаются основы теории нуклеации и конденсации и возможности ее применения для моделирования ростовых процессов, морфологии и физических свойств эпитаксиальных наноструктур. Особое внимание уделяется теоретическим моделям формирования квантовых точек и нановискеров полупроводниковых соединений III—V. Результаты расчетов сравниваются с экспериментальными данными, полученными для различных систем материалов и условий осаждения. Никаких предварительных знаний по теории нуклеации, физической кинетике, физике поверхностных явлений не требуется, все необходимые сведения приведены в тексте. Для студентов, бакалавров и аспирантов, специализирующихся в области физики, материаловедения и некоторых других технических дисциплин, а также для ученых и инженеров, желающих глубже понять теоретические основы современной физики и технологии наноструктур. 
606 1 |a Твердые тела  |x Поверхностные явления  |x Физика твердого тела  |2 stltpush  |3 (RuTPU)RU\TPU\subj\58668  |9 76436 
606 1 |a Полупроводниковые наноструктуры  |x Образование  |2 stltpush  |3 (RuTPU)RU\TPU\subj\68187  |9 83670 
610 1 |a эпитаксиальные наноструктуры 
610 1 |a монослойные пленки 
610 1 |a тонкие пленки 
610 1 |a квантовые точки 
610 1 |a гетероэпитаксиальные системы 
610 1 |a нановискеры 
610 1 |a физика 
610 1 |a материаловедение 
610 1 |a нанотехнологии 
610 1 |a нуклеация 
610 1 |a физическая кинетика 
675 |a 539.211  |v 3 
675 |a 537.311.322:541  |v 3 
700 1 |a Дубровский  |b В. Г.  |g Владимир Германович 
801 1 |a RU  |b 63413507  |c 20090409  |g PSBO 
801 2 |a RU  |b 63413507  |c 20150520  |g PSBO 
942 |c BK 
959 |a 48/20090409  |d 2  |e 240,00  |f АНЛ:1  |f ЧЗТЛ:1