Разработать физические основы радиационно - термических методов получения и модификации свойств диэлектрических и полупроводниковых материалов в мощных пучках ускоренных электронов: Промежуточный отчет о НИР; Тема : г/б

Dades bibliogràfiques
Autor corporatiu: Томский политехнический институт (ТПИ) (595)
Altres autors: Анненков Ю. М. (руководитель)
Idioma:rus
Publicat: Томск, 1986
Matèries:
Format: MixedMaterials Llibre
KOHA link:https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=155011

MARC

LEADER 00000nbm0a2200000 4500
001 155011
005 20231031152153.0
029 0 0 |a SU  |b 01860082742  |f ТПУ 
035 |a (RuTPU)RU\TPU\book\168133 
035 |a RU\TPU\book\167845 
090 |a 155011 
100 |a 20090310d1986 k y0rusy50 ca 
101 0 |a rus 
102 |a RU 
105 |a a p 001zy 
200 1 |a Разработать физические основы радиационно - термических методов получения и модификации свойств диэлектрических и полупроводниковых материалов в мощных пучках ускоренных электронов  |e Промежуточный отчет о НИР  |e Тема : г/б  |f Томский политехнический институт (ТПИ) ; руководитель Ю. М. Анненков 
210 |a Томск  |d 1986 
215 |a 105 л. 
320 |a Библиогр.: с. 100-105. 
610 1 |a отчеты о НИР 
610 1 |a мощные пучки 
610 1 |a диэлектрические материалы 
610 1 |a полупроводниковые материалы 
610 1 |a модификация 
610 1 |a свойства 
610 1 |a методы получения 
610 1 |a радиационно-термические процессы 
610 1 |a диэлектрики 
610 1 |a ионные кристаллы 
610 1 |a диэлектрические материалы 
610 1 |a дефекты 
610 1 |a радиационное облучение 
610 1 |a диэлектрики 
610 1 |a ионные кристаллы 
610 1 |a радиационная стойкость 
675 |a 539.2:539.1(04)  |v 3 
702 1 |a Анненков  |b Ю. М.  |4 673 
712 0 2 |a Томский политехнический институт (ТПИ)  |c (1944-1991)  |2 stltpush  |3 (RuTPU)RU\TPU\col\1123  |4 595 
801 1 |a RU  |b 63413507  |c 20090207  |g PSBO 
801 2 |a RU  |b 63413507  |c 20090310  |g PSBO 
942 |c BK