Томский политехнический институт (ТПИ), Анненков Ю. М., & Франгульян Т. С. (1990). Разработать физические основы радиационно - термических методов получения и модификации свойств диэлектрических и полупроводниковых материалов в мощных пучках ускоренных электронов: Заключительный отчет о НИР; Тема : ТОМ - ЭДиП - I. Томск, 1990.
Citação do estilo Chicago (17ª ed.)Томский политехнический институт (ТПИ), Анненков Ю. М., e Франгульян Т. С. Разработать физические основы радиационно - термических методов получения и модификации свойств диэлектрических и полупроводниковых материалов в мощных пучках ускоренных электронов: Заключительный отчет о НИР; Тема : ТОМ - ЭДиП - I. Томск, 1990, 1990.
Citação MLA (9ª ed.)Томский политехнический институт (ТПИ), et al. Разработать физические основы радиационно - термических методов получения и модификации свойств диэлектрических и полупроводниковых материалов в мощных пучках ускоренных электронов: Заключительный отчет о НИР; Тема : ТОМ - ЭДиП - I. Томск, 1990, 1990.