Кристалло - структурные исследования и микролокальные поля напряжений в арсениде галлия; Исследования микротопографии распределения напряженных состояний в связи с несовершенствами структуры монокристаллов и текстуры поликристаллических агрегатов: Межвузовская научно - техническая программа ПРИРОДОКОМПЛЕКС; Промежуточный отчет о НИР; Тема : г/б 01.02.03.2

Кристалло - структурные исследования и микролокальные поля напряжений в арсениде галлия; Исследования микротопографии распределения напряженных состояний в связи с несовершенствами структуры монокристаллов и текстуры поликристаллических агрегатов: Межвузовская научно - техническая программа ПРИРОДОКОМПЛЕКС; Промежуточный отчет о НИР; Тема : г/б 01.02.03.2

Detalles Bibliográficos
Autor Corporativo:	Томский политехнический институт (ТПИ) (595)
Outros autores:	Ермолаев В. А. (руководитель), Руднев С. В. (исполнитель)
Summary:	Отчёт о патентных исследованиях
Idioma:	ruso
Publicado:	Томск, 1988
Subjects:	Галлий, арсенид > Химия арсенид галлия микролокальные поля напряженные состояния кристаллическая структура Римановские проекции радиографическое декорирование монокристаллы текстура микротопография отчеты о НИР
Formato:	Libro
KOHA link:	https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=153664

Títulos similares

Кристалло-структурные исследования и микролокальные поля напряжений в арсениде галлия и твердых сплавах типа ВК; Исследования микротопографии распределения напряженных состояний в связи с несовершенствами структуры монокристаллов и текстуры поликристаллических агрегатов: Межвузовская научно - техническая программа ПРИРОДОКОМПЛЕКС; Промежуточный отчет о НИР; Тема : г/б 01.02.03.2
Publicado: (Томск, 1988)

Gallium arsenide digital integrated circuit design
por: Long Stephen I
Publicado: (New York, McGraw-Hill, 1990)

Исследования микротопографии распределения напряженных состояний в связи с несовершенствами структуры монокристаллов и текстуры поликристаллических агрегатов.: Межвузовская научно-техническая программа "Природокомплекс"; Отчет о НИР; Тема г/б Том-10
Publicado: (Томск, 1990)

Исследования по разработке методик определения микропримесей в арсениде галлия методом амальгамной полярографии с накоплением: отчет о НИР; тема: х/д 29/66
Publicado: (Томск, 1967)

Нелинейные эффекты в процессах активированного окисления GaAs: монография
por: Миттова И. Я. Ирина Яковлевна
Publicado: (Воронеж, Изд-во Воронежского ГУ, 2008)

Исследование влияния состава среды на кинетику растворения арсенида галлия в неводных растворах брома и йода: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата химических наук; спец. 02.00.04
por: Ступина Н. М. Нини Михайловна
Publicado: (Томск, [Б. и.], 1973)

Электрофизические свойства арсенида галлия: учебное пособие
por: Сытенко Т. Н.
Publicado: (Киев, Изд-во КПИ, 1978)

Исследование точностных характеристик методики определения хрома в арсениде галлия; Электрохимические методы анализа
por: Сараева В. Е.
Publicado: (1989)

Образование и отжиг радиационных дефектов в арсениде галлия и фосфиде индия: диссертация на соискание ученой степени доктора физико-математических наук
por: Пешев В. В. Владимир Викторович
Publicado: (Томск, 1999)

Исследование поверхностно-барьерных переходов на арсениде галлия: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук
por: Максимова Н. К.
Publicado: (Томск, 1972)

Образование и отжиг радиационных дефектов в арсениде галлия и фосфиде индия: автореферат диссертации на соискание ученой степени доктора физико-математических наук
por: Пешев В. В. Владимир Викторович
Publicado: (Томск, [Б. и.], 1999)

Образование радиационных дефектов и их отжиг в арсениде галлия; Научно-методическое обеспечение образовательного процесса в условиях непрерывного обучения
por: Пешев В. В. Владимир Викторович
Publicado: (2005)

Исследование технологии ионного легирования для создания высокочувствительных датчиков магнитного поля на арсениде галлия; Известия вузов. Физика; Т. 54, № 1/2 : Радиационно-термические эффекты и процессы в неорганических материалах
por: Карлова Г. Ф.
Publicado: (2011)

Исследование возможности создания ядерной батарейки на арсениде галлия; Сборник тезисов лауреатов Всероссийского конкурса научно-исследовательских работ студентов и аспирантов в области физических наук в рамках всероссийского фестиваля науки
por: Прокопьев Д. Г.
Publicado: (2011)

Термическая и химическая пассивация пленок арсенида галлия, осажденных из абляционной плазмы; Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования; № 2
por: Кабышев А. В. Александр Васильевич
Publicado: (2014)

Генерация упругих волн под действием света как механизм оптического магнитного перехода в арсениде марганца; Журнал экспериментальной и теоретической физики; Т. 126, вып. 4
por: Говор Г. А.
Publicado: (2004)

Фоточувствительные структуры и солнечные элементы на основе арсенида галлия
Publicado: (Ташкент, Фан, 1986)

Квантово-чувствительные детекторы ионизирующих излучений на основе компенсированного арсенида галлия; Известия вузов. Физика; Т. 46, № 8
por: Толбанов О. П.
Publicado: (2003)

Арсенид галлия. Труды Международного симпозиума, организованного Институтом физики и Физическим обществом Великобритании совместно с Лабораторией авиационной электроники ВВС США: пер. с англ.
Publicado: (Москва, Советское радио, 1972)

Арсенид галлия. Получение, свойства и применение
Publicado: (Москва, Наука, 1973)

Изучение радиопоглощающих свойств арсенида галлия; Физическое образование в вузах; Т. 24, № S1
por: Семенова В. И. Валерия Игоревна
Publicado: (2018)

Полевые транзисторы на арсениде галлия. Принципы работы и технология изготовления: пер. с англ.
Publicado: (Москва, Радио и связь, 1988)

Электроперенос пленок арсенида галлия, синтезированных ионной абляцией; ФВЗЧК-2014
Publicado: (2014)

Осаждение пленок арсенида галлия методом импульсной ионной абляции и их свойства; Физика твердого тела
Publicado: (2009)

Актуальные проблемы материаловедения: [сборник обзоров]; пер. с англ.; Вып. 2
Publicado: (Москва, Мир, 1980)

Напряжения в имплантированных структурах арсенида галлия; Радиационно-термические эффекты и процессы в неорганических материалах
por: Ардышев М. В.
Publicado: (2002)

Арсенид галлия: радиационные дефекты и ионизационные детекторы ядерного излучения: диссертация на соискание ученой степени кандидата технических наук
por: Потапов А. И. Александр Иванович
Publicado: (Томск, 1999)

Арсенид галлия, компенсированный примесями с глубокими уровнями (электронные свойства, структуры, применение: диссертация на соискание ученой степени доктора физико-математических наук
por: Толбанов О. П. Олег Петрович
Publicado: (Томск, 1999)

Протонный отжиг имплантированных арсенида галлия и кремния; Радиационно-термические эффекты и процессы в неорганических материалах
por: Ардышев М. В.
Publicado: (2004)

Thermal and chemical passivation of gallium-arsenide films deposited from ablation plasma; Journal of Surface Investigation. X-ray, Synchrotron and Neutron Techniques; Vol. 8, iss. 1
por: Kabyshev A. V. Alexander Vasilievich
Publicado: (2014)

Осаждение пленок арсенида галлия на кремнии импульсной ионной абляцией и их свойства; Взаимодействие излучений с твердым телом
Publicado: (2011)

Осаждение пленок арсенида галлия ионной абляцией и их термическая и химическая пассивация; ФВЗЧК-2011
Publicado: (2011)

Transport charge of gallium arsenide films synthesized on polycrystalline silicon by ion ablation; Journal of Physics: Conference Series; Vol. 552: International Congress on Energy Fluxes and Radiation Effects (EFRE-2014), 21–26 September 2014, Tomsk, Russia
Publicado: (2014)

Спектры DLTS арсенида галлия, облучённого нейтронами; Физика твердого тела
por: Пешев В. В.
Publicado: (2002)

Арсенид галлия: радиационные дефекты и ионизационные детекторы ядерного излучения: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата технических наук
por: Потапов А. И. Александр Иванович
Publicado: (Томск, [Б. и.], 1999)

Контакты с барьером Шоттки на основе арсенида галлия: структура, электрические свойства: диссертация на соискание ученой степени доктора физико-математических наук
por: Филонов Н. Г. Николай Григорьевич
Publicado: (Томск, 2000)

Арсенид галлия, компенсированный примесями с глубокими уровнями (электронные свойства, структуры, применение: автореферат диссертации на соискание ученой степени доктора физико-математических наук
por: Толбанов О. П. Олег Петрович
Publicado: (Томск, [Б. и.], 1999)

Механизм переноса зарядов в излучающих структурах на основе арсенида галлия; Известия вузов. Физика; Т. 46, № 3
por: Карлова Г. Ф.
Publicado: (2003)

Ионный абляционный синтез пленок арсенида галлия на кремниевой подложке; Известия вузов. Физика; Т. 55, № 6-2
por: Кабышев А. В. Александр Васильевич
Publicado: (2012)

The Synthesis of Gallium Arsenide Films on Silicon Substrate by Ionics Ablation; Известия вузов. Физика; Т. 55, № 12-2
por: Kabyshev A. V. Alexander Vasilievich
Publicado: (2012)