Разработать физические основы радиационно-термических методов получения и модификации свойств диэлектрических и полупроводниковых материалов в мощных пучках ускоренных электронов: Промежуточный отчет о НИР; Тема : ТОМ - ЭДиП - I

Xehetasun bibliografikoak
Erakunde egilea: Томский политехнический институт (ТПИ) (595)
Beste egile batzuk: Анненков Ю. М. (руководитель), Франгульян Т. С. (исполнитель)
Hizkuntza:errusiera
Argitaratua: Томск, 1989
Gaiak:
Formatua: Liburua
KOHA link:https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=153278

MARC

LEADER 00000nbm0a2200000 4500
001 153278
005 20231101221701.0
029 0 0 |a SU  |b 01860082742  |f ТПУ 
035 |a (RuTPU)RU\TPU\book\166301 
035 |a RU\TPU\book\165901 
090 |a 153278 
100 |a 20090211d1989 k y0rusy50 ca 
101 0 |a rus 
102 |a RU 
105 |a a p 001zy 
200 1 |a Разработать физические основы радиационно-термических методов получения и модификации свойств диэлектрических и полупроводниковых материалов в мощных пучках ускоренных электронов  |e Промежуточный отчет о НИР  |e Тема : ТОМ - ЭДиП - I   |f Томский политехнический институт (ТПИ) ; руководитель Ю. М. Анненков ; Т. С. Франгульян 
210 |a Томск  |d 1989 
215 |a 79 л. 
320 |a Библиогр.: с. 76-79. 
606 1 |a Кристаллы ионные  |x Действие ионизирующих излучений  |2 stltpush  |3 (RuTPU)RU\TPU\subj\53466  |9 71700 
606 1 |a Керамика  |x Спекание  |2 stltpush  |3 (RuTPU)RU\TPU\subj\77581  |9 87746 
610 1 |a отчеты о НИР 
610 1 |a радиационные дефекты 
610 1 |a электронное облучение 
610 1 |a диэлектрики 
610 1 |a спекание 
610 1 |a радиационно-термические процессы 
675 |a 548.312(04)  |v 3 
675 |a 666.3.03(04)  |v 3 
702 1 |a Анненков  |b Ю. М.  |4 673 
702 1 |a Франгульян  |b Т. С.  |4 677 
712 0 2 |a Томский политехнический институт (ТПИ)  |c (1944-1991)  |2 stltpush  |3 (RuTPU)RU\TPU\col\1123  |4 595 
801 1 |a RU  |b 63413507  |c 20090207  |g PSBO 
801 2 |a RU  |b 63413507  |c 20200910  |g PSBO 
942 |c BK