Томский политехнический институт (ТПИ), Анненков Ю. М., & Франгульян Т. С. (1989). Разработать физические основы радиационно-термических методов получения и модификации свойств диэлектрических и полупроводниковых материалов в мощных пучках ускоренных электронов: Промежуточный отчет о НИР; Тема : ТОМ - ЭДиП - I. Томск, 1989.
Cita Chicago (17th ed.)Томский политехнический институт (ТПИ), Анненков Ю. М., i Франгульян Т. С. Разработать физические основы радиационно-термических методов получения и модификации свойств диэлектрических и полупроводниковых материалов в мощных пучках ускоренных электронов: Промежуточный отчет о НИР; Тема : ТОМ - ЭДиП - I. Томск, 1989, 1989.
Cita MLA (9th ed.)Томский политехнический институт (ТПИ), et al. Разработать физические основы радиационно-термических методов получения и модификации свойств диэлектрических и полупроводниковых материалов в мощных пучках ускоренных электронов: Промежуточный отчет о НИР; Тема : ТОМ - ЭДиП - I. Томск, 1989, 1989.