Томский политехнический институт (ТПИ), Анненков Ю. М., & Франгульян Т. С. (1988). Разработать физические основы радиационно-термических методов получения и модификации свойств диэлектрических и полупроводниковых материалов в мощных пучках ускоренных электронов: Промежуточный отчет о НИР; Тема : ТОМ - ЭДиП - I ( г/б 2.21.005 ). Томск, 1988.
Citace podle Chicago (17th ed.)Томский политехнический институт (ТПИ), Анненков Ю. М., a Франгульян Т. С. Разработать физические основы радиационно-термических методов получения и модификации свойств диэлектрических и полупроводниковых материалов в мощных пучках ускоренных электронов: Промежуточный отчет о НИР; Тема : ТОМ - ЭДиП - I ( г/б 2.21.005 ). Томск, 1988, 1988.
Citace podle MLA (9th ed.)Томский политехнический институт (ТПИ), et al. Разработать физические основы радиационно-термических методов получения и модификации свойств диэлектрических и полупроводниковых материалов в мощных пучках ускоренных электронов: Промежуточный отчет о НИР; Тема : ТОМ - ЭДиП - I ( г/б 2.21.005 ). Томск, 1988, 1988.