|
|
|
|
| LEADER |
00000nam0a2200000 4500 |
| 001 |
150847 |
| 005 |
20231101221522.0 |
| 010 |
|
|
|a 9785922109956
|
| 035 |
|
|
|a (RuTPU)RU\TPU\book\163555
|
| 090 |
|
|
|a 150847
|
| 100 |
|
|
|a 20090115d2008 km y0rusy50 ca
|
| 101 |
0 |
|
|a rus
|
| 102 |
|
|
|a RU
|
| 105 |
|
|
|a a z 001zy
|
| 200 |
1 |
|
|a Физика полупроводниковых приборов
|f А. И. Лебедев
|
| 210 |
|
|
|a Москва
|c Физматлит
|d 2008
|
| 215 |
|
|
|a 488 с.
|c ил.
|
| 320 |
|
|
|a Список литературы: с. 463-477.
|
| 320 |
|
|
|a Предметный указатель: с. 478-487.
|
| 330 |
|
|
|a Рассмотрены физические принципы работы наиболее важных классов современных полупроводниковых приборов: диодов, биполярных и полевых транзисторов, тиристоров, СВЧ приборов с отрицательным дифференциальным сопротивлением (диодов Ганна, лавинно-пролетных и инжекционно-пролетных диодов), приборов с зарядовой связью, оптоэлектронных приборов (фотоприемников, светодиодов, инжекционных лазеров и др.). Выведены основные теоретические соотношения, определяющие характеристики этих приборов. Большое внимание уделено описанию особенностей современных быстродействующих приборов с субмикронными и нанометровыми размерами, в том числе приборов, в работе которых используются гетеропереходы, квантовые ямы и квантовые точки. Помимо этого, в книге рассмотрены основы планарной технологии, описаны возникшие в последнее время технологические проблемы и указаны перспективные пути их решения. Для студентов старших курсов, аспирантов и научных сотрудников, работающих в области физики полупроводников.
|
| 606 |
1 |
|
|a Полупроводниковые приборы
|x Физика
|2 stltpush
|3 (RuTPU)RU\TPU\subj\50708
|9 69358
|
| 610 |
1 |
|
|a электроника
|
| 610 |
1 |
|
|a физика
|
| 610 |
1 |
|
|a полупроводниковые диоды
|
| 610 |
1 |
|
|a p-n переходы
|
| 610 |
1 |
|
|a потенциальный барьер
|
| 610 |
1 |
|
|a пробой
|
| 610 |
1 |
|
|a туннельные диоды
|
| 610 |
1 |
|
|a барьеры Шоттки
|
| 610 |
1 |
|
|a гетеропереходы
|
| 610 |
1 |
|
|a сверхрешетки
|
| 610 |
1 |
|
|a биополярные транзисторы
|
| 610 |
1 |
|
|a конструкции
|
| 610 |
1 |
|
|a усиление
|
| 610 |
1 |
|
|a параметры
|
| 610 |
1 |
|
|a тиристоры
|
| 610 |
1 |
|
|a многослойные структуры
|
| 610 |
1 |
|
|a симисторы
|
| 610 |
1 |
|
|a полевые транзисторы
|
| 610 |
1 |
|
|a МОП-транзисторы
|
| 610 |
1 |
|
|a приборы с зарядовой связью
|
| 610 |
1 |
|
|a СВЧ-приборы
|
| 610 |
1 |
|
|a диоды Ганна
|
| 610 |
1 |
|
|a лавинно-пролетные диоды
|
| 610 |
1 |
|
|a инжекционно-пролетные приборы
|
| 610 |
1 |
|
|a приемники излучения
|
| 610 |
1 |
|
|a светодиоды
|
| 610 |
1 |
|
|a инжекционные полупроводниковые лазеры
|
| 675 |
|
|
|a 621.382:53
|v 3
|
| 700 |
|
1 |
|a Лебедев
|b А. И.
|g Александр Иванович
|
| 801 |
|
1 |
|a RU
|b 63413507
|c 20090115
|g PSBO
|
| 801 |
|
2 |
|a RU
|b 63413507
|c 20130603
|g PSBO
|
| 942 |
|
|
|c BK
|
