Рост кристаллов в расплаве. Кристаллографический анализ и эксперимент

书目详细资料
主要作者: Любалин М. Д. Марк Дмитриевич
总结:Представлены результаты исследования закономерностей роста кристаллов в расплавах. Обоснован симметрийный подход к анализу процессов формирования кристаллов и пленок в несферических полях температур. Изложена методика анализа идеальной поверхности кристаллов с количественной оценкой насыщенности связей на грани, характеризующей силу взаимодействия поверхности с встраивающимися в структуру частицами. Показано, что уточненный анализ проблемы морфогенеза монокристаллов и двойников четко согласуется с экспериментом. Описаны закономерная эволюция габитуса свободно растущих кристаллов при изменении степени переохлаждения расплава и резкое габитусное превращение при достижении критического переохлаждения. Приведены решения вопросов ориентационной обусловленности кристаллообразования в расплавах, касающиеся морфологической устойчивости, дефектов структуры, захвата примесей. Для кристаллографов, минералогов и материаловедов, специалистов в области управляемой кристаллизации расплавов, выращивания кристаллов и пленок.
语言:俄语
出版: СПб., Наука, 2008
主题:
格式: 图书
KOHA link:https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=150727

MARC

LEADER 00000nam0a2200000 4500
001 150727
005 20231101221515.0
010 |a 9785020251908 
035 |a (RuTPU)RU\TPU\book\163416 
090 |a 150727 
100 |a 20090114d2008 k y0rusy50 ca 
101 0 |a rus 
102 |a RU 
105 |a a z 001zy 
200 1 |a Рост кристаллов в расплаве. Кристаллографический анализ и эксперимент  |f М. Д. Любалин 
210 |a СПб.  |c Наука  |d 2008 
215 |a 391 с.  |c ил. 
320 |a Литература: с. 378-390. 
330 |a Представлены результаты исследования закономерностей роста кристаллов в расплавах. Обоснован симметрийный подход к анализу процессов формирования кристаллов и пленок в несферических полях температур. Изложена методика анализа идеальной поверхности кристаллов с количественной оценкой насыщенности связей на грани, характеризующей силу взаимодействия поверхности с встраивающимися в структуру частицами. Показано, что уточненный анализ проблемы морфогенеза монокристаллов и двойников четко согласуется с экспериментом. Описаны закономерная эволюция габитуса свободно растущих кристаллов при изменении степени переохлаждения расплава и резкое габитусное превращение при достижении критического переохлаждения. Приведены решения вопросов ориентационной обусловленности кристаллообразования в расплавах, касающиеся морфологической устойчивости, дефектов структуры, захвата примесей. Для кристаллографов, минералогов и материаловедов, специалистов в области управляемой кристаллизации расплавов, выращивания кристаллов и пленок. 
606 1 |a Кристаллы  |x Рост  |2 stltpush  |3 (RuTPU)RU\TPU\subj\16370  |9 42452 
610 1 |a кристаллографический анализ 
610 1 |a симметрийный анализ 
610 1 |a структурно-геометрический анализ 
610 1 |a идеальные кристаллические поверхности 
610 1 |a экспериментальные исследования 
610 1 |a легкоплавкие вещества 
610 1 |a свободный рост 
610 1 |a монокристаллы 
610 1 |a направленная кристаллизация 
610 1 |a примеси 
610 1 |a внутреннее строение 
610 1 |a поликристаллы 
610 1 |a однородность 
610 1 |a структурное совершенство 
610 1 |a кристаллография 
610 1 |a минералогия 
610 1 |a материаловедение 
675 |a 548.52  |v 3 
700 1 |a Любалин  |b М. Д.  |g Марк Дмитриевич 
801 1 |a RU  |b 63413507  |c 20090114  |g PSBO 
801 2 |a RU  |b 63413507  |c 20090130  |g PSBO 
942 |c BK