Рост кристаллов в расплаве. Кристаллографический анализ и эксперимент
| Hoofdauteur: | |
|---|---|
| Samenvatting: | Представлены результаты исследования закономерностей роста кристаллов в расплавах. Обоснован симметрийный подход к анализу процессов формирования кристаллов и пленок в несферических полях температур. Изложена методика анализа идеальной поверхности кристаллов с количественной оценкой насыщенности связей на грани, характеризующей силу взаимодействия поверхности с встраивающимися в структуру частицами. Показано, что уточненный анализ проблемы морфогенеза монокристаллов и двойников четко согласуется с экспериментом. Описаны закономерная эволюция габитуса свободно растущих кристаллов при изменении степени переохлаждения расплава и резкое габитусное превращение при достижении критического переохлаждения. Приведены решения вопросов ориентационной обусловленности кристаллообразования в расплавах, касающиеся морфологической устойчивости, дефектов структуры, захвата примесей. Для кристаллографов, минералогов и материаловедов, специалистов в области управляемой кристаллизации расплавов, выращивания кристаллов и пленок. |
| Taal: | Russisch |
| Gepubliceerd in: |
СПб., Наука, 2008
|
| Onderwerpen: | |
| Formaat: | Boek |
| KOHA link: | https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=150727 |
| Fysieke beschrijving: | 391 с. ил. |
|---|---|
| Samenvatting: | Представлены результаты исследования закономерностей роста кристаллов в расплавах. Обоснован симметрийный подход к анализу процессов формирования кристаллов и пленок в несферических полях температур. Изложена методика анализа идеальной поверхности кристаллов с количественной оценкой насыщенности связей на грани, характеризующей силу взаимодействия поверхности с встраивающимися в структуру частицами. Показано, что уточненный анализ проблемы морфогенеза монокристаллов и двойников четко согласуется с экспериментом. Описаны закономерная эволюция габитуса свободно растущих кристаллов при изменении степени переохлаждения расплава и резкое габитусное превращение при достижении критического переохлаждения. Приведены решения вопросов ориентационной обусловленности кристаллообразования в расплавах, касающиеся морфологической устойчивости, дефектов структуры, захвата примесей. Для кристаллографов, минералогов и материаловедов, специалистов в области управляемой кристаллизации расплавов, выращивания кристаллов и пленок. |
| ISBN: | 9785020251908 |