Образование радиационных дефектов и их отжиг в арсениде галлия; Научно-методическое обеспечение образовательного процесса в условиях непрерывного обучения
| Parent link: | Научно-методическое обеспечение образовательного процесса в условиях непрерывного обучения.— 2005.— С. 59-62 |
|---|---|
| Κύριος συγγραφέας: | Пешев В. В. Владимир Викторович |
| Άλλοι συγγραφείς: | Соболева Э. Г. Эльвира Гомеровна |
| Γλώσσα: | Ρωσικά |
| Έκδοση: |
2005
|
| Θέματα: | |
| Μορφή: | Κεφάλαιο βιβλίου |
| KOHA link: | https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=145136 |
Παρόμοια τεκμήρια
Отжиг радиационных дефектов в n-GaAs; Известия вузов. Физика; Т. 47, № 10
από: Пешев В. В.
Έκδοση: (2004)
από: Пешев В. В.
Έκδοση: (2004)
The Synthesis of Gallium Arsenide Films on Silicon Substrate by Ionics Ablation; Известия вузов. Физика; Т. 55, № 12-2
από: Kabyshev A. V. Alexander Vasilievich
Έκδοση: (2012)
από: Kabyshev A. V. Alexander Vasilievich
Έκδοση: (2012)
Арсенид галлия: радиационные дефекты и ионизационные детекторы ядерного излучения: диссертация на соискание ученой степени кандидата технических наук
από: Потапов А. И. Александр Иванович
Έκδοση: (Томск, 1999)
από: Потапов А. И. Александр Иванович
Έκδοση: (Томск, 1999)
Арсенид галлия: радиационные дефекты и ионизационные детекторы ядерного излучения: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата технических наук
από: Потапов А. И. Александр Иванович
Έκδοση: (Томск, [Б. и.], 1999)
από: Потапов А. И. Александр Иванович
Έκδοση: (Томск, [Б. и.], 1999)
Протонный отжиг имплантированных арсенида галлия и кремния; Радиационно-термические эффекты и процессы в неорганических материалах
από: Ардышев М. В.
Έκδοση: (2004)
από: Ардышев М. В.
Έκδοση: (2004)
Спектры DLTS арсенида галлия, облучённого нейтронами; Физика твердого тела
από: Пешев В. В.
Έκδοση: (2002)
από: Пешев В. В.
Έκδοση: (2002)
Ионный абляционный синтез пленок арсенида галлия на кремниевой подложке; Известия вузов. Физика; Т. 55, № 6-2
από: Кабышев А. В. Александр Васильевич
Έκδοση: (2012)
από: Кабышев А. В. Александр Васильевич
Έκδοση: (2012)
Исследование точностных характеристик методики определения хрома в арсениде галлия; Электрохимические методы анализа
από: Сараева В. Е.
Έκδοση: (1989)
από: Сараева В. Е.
Έκδοση: (1989)
Образование и отжиг радиационных дефектов в области пространственного заряда соединений GaAs и InP; XLVI Международная Тулиновская конференция по физике взаимодействия заряженных частиц с кристаллами, ФВЗЧК-2016
από: Соболева Э. Г. Эльвира Гомеровна
Έκδοση: (2016)
από: Соболева Э. Г. Эльвира Гомеровна
Έκδοση: (2016)
Влияние различных видов отжига на концентрационные профили ионов кремния, имплантированных в арсенид галлия; Известия вузов. Физика; Т. 54, № 1/3 : Радиационно-термические эффекты и процессы в неорганических материалах
από: Чернявский А. В. Александр Викторович
Έκδοση: (2011)
από: Чернявский А. В. Александр Викторович
Έκδοση: (2011)
Электроперенос пленок арсенида галлия, синтезированных на поликоре ионной абляцией; Известия вузов. Физика; Т. 56, № 7-2
Έκδοση: (2013)
Έκδοση: (2013)
Влияние пассивации на фотоэлектрические свойства плёнок арсенида галия, осаждённых импульсной ионной абляцией; Известия вузов. Физика; Т. 54, № 1/2 : Радиационно-термические эффекты и процессы в неорганических материалах
Έκδοση: (2011)
Έκδοση: (2011)
Метод ионной имплантации в технологии приборов и интегральных схем на арсениде галлия
από: Черняев А. В. Александр Владимирович
Έκδοση: (Москва, Радио и связь, 1990)
από: Черняев А. В. Александр Владимирович
Έκδοση: (Москва, Радио и связь, 1990)
Исследование поверхностно-барьерных переходов на арсениде галлия: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук
από: Максимова Н. К.
Έκδοση: (Томск, 1972)
από: Максимова Н. К.
Έκδοση: (Томск, 1972)
Накопление радиационных дефектов в арсениде галлия при импульсном и непрерывном облучении ионами; Физика и техника полупроводников; Т. 39, вып. 3
από: Ардышев М. В.
Έκδοση: (2005)
από: Ардышев М. В.
Έκδοση: (2005)
Singularities of current-voltage characteristics of GaAs films fabricated by pulsed ions ablation; Взаимодействие излучений с твердым телом
Έκδοση: (2009)
Έκδοση: (2009)
Влияние атомов Li на накопление радиационных дефектов в Al; Известия вузов. Физика; Т. 54, № 1/2 : Радиационно-термические эффекты и процессы в неорганических материалах
από: Давлетшин А. Э.
Έκδοση: (2011)
από: Давлетшин А. Э.
Έκδοση: (2011)
Исследование процессов отжига радиационных дефектов некоторых неорганических диэлектриков. Диэлектрик: [Отчет о НИР]
Έκδοση: (Томск, 1969)
Έκδοση: (Томск, 1969)
Радиационные дефекты в арсениде галлия, введенные нейтронами и протонами; Перспективные материалы; № 3
από: Пешев В. В. Владимир Викторович
Έκδοση: (2008)
από: Пешев В. В. Владимир Викторович
Έκδοση: (2008)
Импульсный отжиг полупроводниковых материалов
Έκδοση: (Москва, Наука, 1982)
Έκδοση: (Москва, Наука, 1982)
Исследование технологии ионного легирования для создания высокочувствительных датчиков магнитного поля на арсениде галлия; Известия вузов. Физика; Т. 54, № 1/2 : Радиационно-термические эффекты и процессы в неорганических материалах
από: Карлова Г. Ф.
Έκδοση: (2011)
από: Карлова Г. Ф.
Έκδοση: (2011)
Исследование возможности создания ядерной батарейки на арсениде галлия; Сборник тезисов лауреатов Всероссийского конкурса научно-исследовательских работ студентов и аспирантов в области физических наук в рамках всероссийского фестиваля науки
από: Прокопьев Д. Г.
Έκδοση: (2011)
από: Прокопьев Д. Г.
Έκδοση: (2011)
Полевые транзисторы на арсениде галлия. Принципы работы и технология изготовления: пер. с англ.
Έκδοση: (Москва, Радио и связь, 1988)
Έκδοση: (Москва, Радио и связь, 1988)
Электроперенос пленок арсенида галлия, синтезированных ионной абляцией; ФВЗЧК-2014
Έκδοση: (2014)
Έκδοση: (2014)
Изучение радиопоглощающих свойств арсенида галлия; Физическое образование в вузах; Т. 24, № S1
από: Семенова В. И. Валерия Игоревна
Έκδοση: (2018)
από: Семенова В. И. Валерия Игоревна
Έκδοση: (2018)
Квантово-чувствительные детекторы ионизирующих излучений на основе компенсированного арсенида галлия; Известия вузов. Физика; Т. 46, № 8
από: Толбанов О. П.
Έκδοση: (2003)
από: Толбанов О. П.
Έκδοση: (2003)
Электроперенос пленок арсенида галлия, синтезированных ионной абляцией; Известия вузов. Физика; Т. 57, № 9/3
Έκδοση: (2014)
Έκδοση: (2014)
Машинное моделирование при исследованиии материалов. Моделирование на ЭВМ дефектов кристаллической решетки: сборник переводов
Έκδοση: (Москва, Мир, 1974)
Έκδοση: (Москва, Мир, 1974)
Осаждение пленок арсенида галлия методом импульсной ионной абляции и их свойства; Физика твердого тела
Έκδοση: (2009)
Έκδοση: (2009)
Электрофизические свойства арсенида галлия: учебное пособие
από: Сытенко Т. Н.
Έκδοση: (Киев, Изд-во КПИ, 1978)
από: Сытенко Т. Н.
Έκδοση: (Киев, Изд-во КПИ, 1978)
Арсенид галлия: сборник статей
Έκδοση: (Томск, Изд-во ТГУ, 1968)
Έκδοση: (Томск, Изд-во ТГУ, 1968)
Электрофизические и тензоэлектрические свойства InSb и GaSb, облученных электронами, протонами и нейтронами: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук; спец. 01.04.10
από: Каменская И. В. Ирина Валентиновна
Έκδοση: (Томск, [Б. и.], 2007)
από: Каменская И. В. Ирина Валентиновна
Έκδοση: (Томск, [Б. и.], 2007)
Напряжения в имплантированных структурах арсенида галлия; Радиационно-термические эффекты и процессы в неорганических материалах
από: Ардышев М. В.
Έκδοση: (2002)
από: Ардышев М. В.
Έκδοση: (2002)
Осаждение пленок арсенида галлия ионной абляцией и их термическая и химическая пассивация; ФВЗЧК-2011
Έκδοση: (2011)
Έκδοση: (2011)
Фоточувствительные структуры и солнечные элементы на основе арсенида галлия
Έκδοση: (Ташкент, Фан, 1986)
Έκδοση: (Ташкент, Фан, 1986)
Метод постоянного графика для спектрального определения примесей в арсениде галлия: отдельный оттиск
από: Карпель Н. Г.
Έκδοση: (Москва, [Б. и.], 1964)
από: Карпель Н. Г.
Έκδοση: (Москва, [Б. и.], 1964)
Особенности образования радиационных дефектов на границе металл- n-InP; Перспективные материалы; № 2
από: Пешев В. В. Владимир Викторович
Έκδοση: (2008)
από: Пешев В. В. Владимир Викторович
Έκδοση: (2008)
Полярографическое определение серы в порошках арсенида и фосфида галлия: отдельный оттиск
από: Каплан Б. Я.
Έκδοση: (Москва, [Б. и.], 1969)
από: Каплан Б. Я.
Έκδοση: (Москва, [Б. и.], 1969)
Осаждение пленок арсенида галлия на кремнии импульсной ионной абляцией и их свойства; Взаимодействие излучений с твердым телом
Έκδοση: (2011)
Έκδοση: (2011)
Термическая и химическая пассивация пленок арсенида галлия, осажденных из абляционной плазмы; Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования; № 2
από: Кабышев А. В. Александр Васильевич
Έκδοση: (2014)
από: Кабышев А. В. Александр Васильевич
Έκδοση: (2014)
Παρόμοια τεκμήρια
-
Отжиг радиационных дефектов в n-GaAs; Известия вузов. Физика; Т. 47, № 10
από: Пешев В. В.
Έκδοση: (2004) -
The Synthesis of Gallium Arsenide Films on Silicon Substrate by Ionics Ablation; Известия вузов. Физика; Т. 55, № 12-2
από: Kabyshev A. V. Alexander Vasilievich
Έκδοση: (2012) -
Арсенид галлия: радиационные дефекты и ионизационные детекторы ядерного излучения: диссертация на соискание ученой степени кандидата технических наук
από: Потапов А. И. Александр Иванович
Έκδοση: (Томск, 1999) -
Арсенид галлия: радиационные дефекты и ионизационные детекторы ядерного излучения: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата технических наук
από: Потапов А. И. Александр Иванович
Έκδοση: (Томск, [Б. и.], 1999) -
Протонный отжиг имплантированных арсенида галлия и кремния; Радиационно-термические эффекты и процессы в неорганических материалах
από: Ардышев М. В.
Έκδοση: (2004)