|
|
|
|
| LEADER |
00000nam0a2200000 4500 |
| 001 |
141953 |
| 005 |
20231101220936.0 |
| 035 |
|
|
|a (RuTPU)RU\TPU\book\153851
|
| 090 |
|
|
|a 141953
|
| 100 |
|
|
|a 20080828d2008 k y0rusy50 ca
|
| 101 |
0 |
|
|a rus
|
| 102 |
|
|
|a RU
|
| 105 |
|
|
|a a z 001zy
|
| 200 |
1 |
|
|a Полупроводниковые приборы, измерения параметров, испытания
|e [монография]
|f В. С. Благовещенский
|g Читинский государственный университет (ЧитГУ)
|
| 210 |
|
|
|a Чита
|c Изд-во ЧитГУ
|d 2008
|
| 215 |
|
|
|a 162 с.
|c ил.
|
| 320 |
|
|
|a Библиографический список: с. 157-161.
|
| 330 |
|
|
|a В предлагаемой вниманию читателей монографии рассмотрены параметры полупроводниковых приборов, методы и устройства для их измерения, вопросы испытаний полупроводниковых приборов и устройств. Особое внимание уделено измерению параметров эквивалентной схемы полупроводникового диода и времени жизни носителей заряда в р-n переходах, а также испытанию устройств числового программного управления. Дана оценка погрешностей измерения ряда параметров диодов, показана возможность разбраковки микросхем по таблицам истинности.
|
| 606 |
1 |
|
|a Полупроводниковые приборы
|x Параметры
|2 stltpush
|3 (RuTPU)RU\TPU\subj\50678
|9 69329
|
| 610 |
1 |
|
|a полупроводниковые приборы
|
| 610 |
1 |
|
|a параметры
|
| 610 |
1 |
|
|a измерение
|
| 610 |
1 |
|
|a испытание
|
| 610 |
1 |
|
|a полупроводниковые диоды
|
| 610 |
1 |
|
|a транзисторы
|
| 610 |
1 |
|
|a полупроводники
|
| 610 |
1 |
|
|a электронно-дырочные переходы
|
| 675 |
|
|
|a 621.382.01
|v 3
|
| 700 |
|
1 |
|a Благовещенский
|b В. С.
|g Владимир Сергеевич
|
| 712 |
0 |
2 |
|a Читинский государственный университет (ЧитГУ)
|2 stltpush
|3 (RuTPU)RU\TPU\col\13285
|
| 801 |
|
1 |
|a RU
|b 63413507
|c 20080828
|g PSBO
|
| 801 |
|
2 |
|a RU
|b 63413507
|c 20130603
|g PSBO
|
| 942 |
|
|
|c BK
|
