Исследование влияния радиационных излучений на элементы интегральных микросхем: Диссертация на соискание ученой степени кандидата технических наук; Спец. 299

Մատենագիտական մանրամասներ
Հիմնական հեղինակ: Коршунов В. Д.
Համատեղ հեղինակ: Томский политехнический институт (ТПИ)
Այլ հեղինակներ: Афанасьев К. Л. (научный руководитель)
Ամփոփում:For_staff_use
Լեզու:ռուսերեն
Հրապարակվել է: Таганрог, 1968
Խորագրեր:
Ձևաչափ: Գիրք
KOHA link:https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=139627

MARC

LEADER 00000nbm0a2200000 4500
001 139627
005 20231031141819.0
035 |a (RuTPU)RU\TPU\book\151259 
090 |a 139627 
100 |a 20080609d1968 k y0rusy50 ca 
101 0 |a rus 
102 |a RU 
105 |a a m 001zy 
200 1 |a Исследование влияния радиационных излучений на элементы интегральных микросхем  |e Диссертация на соискание ученой степени кандидата технических наук  |e Спец. 299  |f В. Д. Коршунов  |g Томский политехнический институт (ТПИ) ; науч. рук. К. Л. Афанасьев 
210 |a Таганрог  |d 1968 
215 |a 212 л.  |c ил. 
320 |a Библиогр.: с. 165-175 (151 назв.) 
371 0 |a For_staff_use 
610 1 |a диссертации 
610 1 |a интегральные микросхемы 
610 1 |a элементы 
610 1 |a радиационное излучение 
610 1 |a влияние 
610 1 |a источники 
610 1 |a микроэлектроника 
610 1 |a пленочные схемы 
610 1 |a полупроводниковые схемы 
610 1 |a нейтроны 
610 1 |a рентгеновские лучи 
610 1 |a гамма-лучи 
675 |a 539.16.06(04)  |v 3 
686 |a 299  |2 oksvnk 
700 1 |a Коршунов  |b В. Д. 
702 1 |a Афанасьев  |b К. Л.  |4 727 
712 0 2 |a Томский политехнический институт (ТПИ)  |c (1944-1991)  |2 stltpush  |3 (RuTPU)RU\TPU\col\1123 
801 1 |a RU  |b 63413507  |c 20080609  |g PSBO 
801 2 |a RU  |b 63413507  |c 20080609  |g PSBO 
942 |c BK