|
|
|
|
| LEADER |
00000nbm0a2200000 4500 |
| 001 |
136516 |
| 005 |
20231101220626.0 |
| 035 |
|
|
|a (RuTPU)RU\TPU\book\147958
|
| 090 |
|
|
|a 136516
|
| 100 |
|
|
|a 20080423d1970 k y0rusy50 ca
|
| 101 |
0 |
|
|a rus
|
| 102 |
|
|
|a RU
|
| 105 |
|
|
|a a m 001zy
|
| 200 |
1 |
|
|a Влияние примесных центров захвата электронов на накопление элементарных радиационных дефектов в щелочно-галоидных кристаллах, выращенных из водного раствора
|e Диссертация на соискание ученой степени кандидатафизико-математических наук
|f Н. С. Кравченко
|g Томский политехнический институт (ТПИ) ; науч. рук. И. Я. Мелик-Гайказян
|
| 210 |
|
|
|a Томск
|d 1970
|
| 215 |
|
|
|a 158 л.
|c ил.
|
| 320 |
|
|
|a Библиогр.: с.152-157 (155 назв.)
|
| 606 |
1 |
|
|a Щелочно-галоидные кристаллы
|x Дефекты
|2 stltpush
|3 (RuTPU)RU\TPU\subj\80319
|9 88044
|
| 610 |
1 |
|
|a диссертации
|
| 610 |
1 |
|
|a электроны
|
| 610 |
1 |
|
|a захваты
|
| 610 |
1 |
|
|a радиационные дефекты
|
| 610 |
1 |
|
|a накопление
|
| 610 |
1 |
|
|a водные растворы
|
| 610 |
1 |
|
|a выращивание
|
| 610 |
1 |
|
|a радиационное окрашивание
|
| 610 |
1 |
|
|a примеси
|
| 610 |
1 |
|
|a экспериментальное исследование
|
| 610 |
1 |
|
|a результаты
|
| 675 |
|
|
|a 548.4(04)
|v 3
|
| 700 |
|
1 |
|a Кравченко
|b Н. С.
|
| 702 |
|
1 |
|a Мелик-Гайказян
|b И. Я.
|c российский физик
|c профессор Томского политехнического института
|f 1922-1998
|g Ирина Яковлевна
|2 stltpush
|3 (RuTPU)RU\TPU\pers\19838
|4 727
|
| 712 |
0 |
2 |
|a Томский политехнический институт (ТПИ)
|c (1944-1991)
|2 stltpush
|3 (RuTPU)RU\TPU\col\1123
|
| 801 |
|
1 |
|a RU
|b 63413507
|c 20080423
|g PSBO
|
| 801 |
|
2 |
|a RU
|b 63413507
|c 20200819
|g PSBO
|
| 942 |
|
|
|c BK
|
