|
|
|
|
| LEADER |
00000nam0a2200000 4500 |
| 001 |
135964 |
| 005 |
20231101220603.0 |
| 010 |
|
|
|a 9785876231327
|
| 035 |
|
|
|a (RuTPU)RU\TPU\book\147347
|
| 090 |
|
|
|a 135964
|
| 100 |
|
|
|a 20080417d2007 k y0rusy50 ca
|
| 101 |
0 |
|
|a rus
|
| 102 |
|
|
|a RU
|
| 105 |
|
|
|a a z 011zy
|
| 200 |
1 |
|
|a Технология материалов микро- и наноэлектроники
|f Л. В. Кожитов [и др.]
|g Московский государственный институт стали и сплавов (МИСиС)
|
| 210 |
|
|
|a Москва
|c Изд-во МИСиС
|d 2007
|
| 215 |
|
|
|a 544 с.
|c ил.
|
| 225 |
1 |
|
|a Металлургия и материаловедение XXI века
|
| 300 |
|
|
|a К 75-летию Московского Государственного института стали и сплавов (Технологического университета).
|
| 320 |
|
|
|a Библиография в конце глав.
|
| 330 |
|
|
|a Рассмотрены теоретические основы и математическое моделирование процесса роста монокристаллов полупроводников из расплава с использованием теории случайных явлений для управления процессом роста бездефектных кристаллов. Представлены результаты математического моделирования равновесия фаз многокомпонентных систем, макро- и микрокинетики парофазной эпитаксии кремния и соединений AIII BV в хлоридно-гидридном и МОС-гидридном процессах. Рассмотрены актуальные для микроэлектроники технологии получения скрытых проводящих и диэлектрических слоев в кремнии, предложен механизм их фазообразования. Показано, что развитие работ в области органических полупроводников, в том числе с фрактальными кластерами и наночастицами различных элементов в полимерах, позволяет получать материалы с особыми свойствами. С использованием современных основ материаловедения рассмотрены пути сохранения и улучшения эксплуатационных свойств монокристаллического кремния путем его термообработки и легирования. Проведен анализ результатов обработки большой группы материалов и слоев многоуровневых СБИС, на которых методом химико-механической полировки достигнута наноразмерная шероховатость поверхности без дефектов монокристаллической структуры. Книга предназначена для широкого круга научных и инженерно-технических работников, специализирующихся в области получения и исследования материалов микро- и наноэлектроники, для всех работающих в области разработки новых материалов, оптимизации технологических процессов, а также студентов и аспирантов.
|
| 606 |
1 |
|
|a Наноэлектроника
|2 stltpush
|3 (RuTPU)RU\TPU\subj\58929
|9 76611
|
| 610 |
1 |
|
|a электроника
|
| 610 |
1 |
|
|a микроэлектроника
|
| 610 |
1 |
|
|a материалы
|
| 610 |
1 |
|
|a технология
|
| 610 |
1 |
|
|a кристаллы
|
| 610 |
1 |
|
|a кремний
|
| 610 |
1 |
|
|a радиационная стойкость
|
| 610 |
1 |
|
|a электронная техника
|
| 610 |
1 |
|
|a поверхности
|
| 610 |
1 |
|
|a нанополирование
|
| 610 |
1 |
|
|a химическое осаждение
|
| 610 |
1 |
|
|a парофазная эпитаксия
|
| 610 |
1 |
|
|a полупроводниковые слои
|
| 610 |
1 |
|
|a диэлектрические слои
|
| 610 |
1 |
|
|a металлополимерные нанокомпозиты
|
| 675 |
|
|
|a 621.382:53
|v 4
|
| 701 |
|
1 |
|a Кожитов
|b Л. В.
|g Лев Васильевич
|
| 701 |
|
1 |
|a Косушкин
|b В. Г.
|g Виктор Григорьевич
|
| 701 |
|
1 |
|a Крапухин
|b В. В.
|g Всеволод Валерьевич
|
| 701 |
|
1 |
|a Пархоменко
|b Ю. Н.
|g Юрий Николаевич
|
| 712 |
0 |
2 |
|a Московский государственный институт стали и сплавов (МИСиС)
|2 stltpush
|3 (RuTPU)RU\TPU\col\180
|
| 801 |
|
1 |
|a RU
|b 63413507
|c 20080417
|g PSBO
|
| 801 |
|
2 |
|a RU
|b 63413507
|c 20190613
|g PSBO
|
| 942 |
|
|
|c BK
|
| 959 |
|
|
|a 42/20080417
|d 1
|e 363,00
|f ЧЗТЛ:1
|
