Актуальные проблемы материаловедения: [сборник обзоров]; пер. с англ.; Вып. 2

Актуальные проблемы материаловедения: [сборник обзоров]; пер. с англ.; Вып. 2

Manylion Llyfryddiaeth
Awduron Eraill:	Калдис Э. Эммануэл (редактор)
Iaith:	Rwseg
Cyhoeddwyd:	Москва, Мир, 1980
Pynciau:	материаловедение актуальные проблемы методы получения арсенид галлия микроструктура тонкие пленки осаждение
Fformat:	Llyfr
KOHA link:	https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=132722

Eitemau Tebyg

Осаждение пленок арсенида галлия методом импульсной ионной абляции и их свойства; Физика твердого тела
Cyhoeddwyd: (2009)

Осаждение пленок арсенида галлия ионной абляцией и их термическая и химическая пассивация; ФВЗЧК-2011
Cyhoeddwyd: (2011)

Электроперенос пленок арсенида галлия, синтезированных ионной абляцией; ФВЗЧК-2014
Cyhoeddwyd: (2014)

Полупроводниковые пленки для микроэлектроники
Cyhoeddwyd: (Новосибирск, Наука, 1977)

Введение в технологию материалов микроэлектроники. В 3 частях. Часть 1. От минерального сырья к монокристаллу учебник для вузов
gan: Александрова О. А.
Cyhoeddwyd: (Санкт-Петербург, Лань, 2023)

Полупроводниковые материалы и тонкте пленки на их поверхности
Cyhoeddwyd: (Воронеж, Изд-во Воронежского гос. ун-та, 1982)

Thermal and chemical passivation of gallium-arsenide films deposited from ablation plasma; Journal of Surface Investigation. X-ray, Synchrotron and Neutron Techniques; Vol. 8, iss. 1
gan: Kabyshev A. V. Alexander Vasilievich
Cyhoeddwyd: (2014)

Термическая и химическая пассивация пленок арсенида галлия, осажденных из абляционной плазмы; Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования; № 2
gan: Кабышев А. В. Александр Васильевич
Cyhoeddwyd: (2014)

Осаждение пленок арсенида галлия на кремнии импульсной ионной абляцией и их свойства; Взаимодействие излучений с твердым телом
Cyhoeddwyd: (2011)

Transport charge of gallium arsenide films synthesized on polycrystalline silicon by ion ablation; Journal of Physics: Conference Series; Vol. 552: International Congress on Energy Fluxes and Radiation Effects (EFRE-2014), 21–26 September 2014, Tomsk, Russia
Cyhoeddwyd: (2014)

Т. 16; Электроника
Cyhoeddwyd: (1984)

Технология эпитаксиальных слоев арсенида галлия и приборы на их основе
gan: Черняев В. Н. Владимир Николаевич
Cyhoeddwyd: (Москва, Энергия, 1974)

Электроперенос пленок арсенида галлия, синтезированных на поликоре ионной абляцией; Взаимодействие излучений с твердым телом
gan: Кабышев А. В. Александр Васильевич
Cyhoeddwyd: (2013)

Пленки оксидов редкоземельных элементов в МДМ- и МДП-структурах
Cyhoeddwyd: (Саратов, Изд-во Саратовского ун-та, 1983)

Явления токопереноса в тонкопленочных арсенидгаллиевых структурах
gan: Костылев С. А. Сергей Александрович
Cyhoeddwyd: (Киев, Наукова думка, 1990)

Влияние высокотемпературного отжига и обработка в кислородной плазме на свойства тонких пленок оксида галлия; Электронные приборы, системы и технологии
gan: Вишникина В. В.
Cyhoeddwyd: (2012)

Нелинейные эффекты в процессах активированного окисления GaAs: монография
gan: Миттова И. Я. Ирина Яковлевна
Cyhoeddwyd: (Воронеж, Изд-во Воронежского ГУ, 2008)

Квантово-чувствительные детекторы ионизирующих излучений на основе компенсированного арсенида галлия; Известия вузов. Физика; Т. 46, № 8
gan: Толбанов О. П.
Cyhoeddwyd: (2003)

Самокаталитический рост планарных нанопороволок и ленгмюровское испарение GaAs: моделирование методом Монте Карло: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук; спец. 1.3.11
gan: Спирина А. А. Анна Александровна
Cyhoeddwyd: (Новосибирск, 2023)

Изучение радиопоглощающих свойств арсенида галлия; Физическое образование в вузах; Т. 24, № S1
gan: Семенова В. И. Валерия Игоревна
Cyhoeddwyd: (2018)

Исследование точностных характеристик методики определения хрома в арсениде галлия; Электрохимические методы анализа
gan: Сараева В. Е.
Cyhoeddwyd: (1989)

Арсенид галлия. Труды Международного симпозиума, организованного Институтом физики и Физическим обществом Великобритании совместно с Лабораторией авиационной электроники ВВС США: пер. с англ.
Cyhoeddwyd: (Москва, Советское радио, 1972)

Gallium arsenide digital integrated circuit design
gan: Long Stephen I
Cyhoeddwyd: (New York, McGraw-Hill, 1990)

Арсенид галлия в микроэлектронике: пер. с англ.
Cyhoeddwyd: (Москва, Мир, 1988)

Образование и отжиг радиационных дефектов в арсениде галлия и фосфиде индия: диссертация на соискание ученой степени доктора физико-математических наук
gan: Пешев В. В. Владимир Викторович
Cyhoeddwyd: (Томск, 1999)

Образование и отжиг радиационных дефектов в арсениде галлия и фосфиде индия: автореферат диссертации на соискание ученой степени доктора физико-математических наук
gan: Пешев В. В. Владимир Викторович
Cyhoeddwyd: (Томск, [Б. и.], 1999)

Арсенид галлия, компенсированный примесями с глубокими уровнями (электронные свойства, структуры, применение: диссертация на соискание ученой степени доктора физико-математических наук
gan: Толбанов О. П. Олег Петрович
Cyhoeddwyd: (Томск, 1999)

Арсенид галлия: радиационные дефекты и ионизационные детекторы ядерного излучения: диссертация на соискание ученой степени кандидата технических наук
gan: Потапов А. И. Александр Иванович
Cyhoeddwyd: (Томск, 1999)

Напряжения в имплантированных структурах арсенида галлия; Радиационно-термические эффекты и процессы в неорганических материалах
gan: Ардышев М. В.
Cyhoeddwyd: (2002)

Протонный отжиг имплантированных арсенида галлия и кремния; Радиационно-термические эффекты и процессы в неорганических материалах
gan: Ардышев М. В.
Cyhoeddwyd: (2004)

Исследование возможности создания ядерной батарейки на арсениде галлия; Сборник тезисов лауреатов Всероссийского конкурса научно-исследовательских работ студентов и аспирантов в области физических наук в рамках всероссийского фестиваля науки
gan: Прокопьев Д. Г.
Cyhoeddwyd: (2011)

Арсенид галлия, компенсированный примесями с глубокими уровнями (электронные свойства, структуры, применение: автореферат диссертации на соискание ученой степени доктора физико-математических наук
gan: Толбанов О. П. Олег Петрович
Cyhoeddwyd: (Томск, [Б. и.], 1999)

Механизм переноса зарядов в излучающих структурах на основе арсенида галлия; Известия вузов. Физика; Т. 46, № 3
gan: Карлова Г. Ф.
Cyhoeddwyd: (2003)

Ионный абляционный синтез пленок арсенида галлия на кремниевой подложке; Известия вузов. Физика; Т. 55, № 6-2
gan: Кабышев А. В. Александр Васильевич
Cyhoeddwyd: (2012)

The Synthesis of Gallium Arsenide Films on Silicon Substrate by Ionics Ablation; Известия вузов. Физика; Т. 55, № 12-2
gan: Kabyshev A. V. Alexander Vasilievich
Cyhoeddwyd: (2012)

Эрозия мишени из GaAs при воздействии импульсного мощного ионного пучка; Известия вузов. Физика; Т. 50, № 1
Cyhoeddwyd: (2007)

Singularities of current-voltage characteristics of GaAs films fabricated by pulsed ions ablation; Взаимодействие излучений с твердым телом
Cyhoeddwyd: (2009)

Исследование технологии ионного легирования для создания высокочувствительных датчиков магнитного поля на арсениде галлия; Известия вузов. Физика; Т. 54, № 1/2 : Радиационно-термические эффекты и процессы в неорганических материалах
gan: Карлова Г. Ф.
Cyhoeddwyd: (2011)

Исследование поверхностно-барьерных переходов на арсениде галлия: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук
gan: Максимова Н. К.
Cyhoeddwyd: (Томск, 1972)

Арсенид галлия: радиационные дефекты и ионизационные детекторы ядерного излучения: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата технических наук
gan: Потапов А. И. Александр Иванович
Cyhoeddwyd: (Томск, [Б. и.], 1999)