Электрофизические и тензоэлектрические свойства InSb и GaSb, облученных электронами, протонами и нейтронами: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук

Электрофизические и тензоэлектрические свойства InSb и GaSb, облученных электронами, протонами и нейтронами: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук

Podrobná bibliografie
Hlavní autor:	Каменская И. В. Ирина Валентиновна
Korporativní autor:	Томский государственный университет (ТГУ) Сибирский физико-технический институт им. В. Д. Кузнецова (СФТИ)
Další autoři:	Брудный В. Н. Валентин Натанович (научный руководитель)
Shrnutí:	Заглавие с титульного экрана Электронная версия печатной публикации
Jazyk:	ruština
Vydáno:	Томск, [Б. и.], 2007
Témata:	физика полупроводники антимониды антимонид индия антимонид галлия радиационные дефекты исследование авторефераты диссертаций труды учёных ТПУ электронный ресурс
On-line přístup:	http://www.lib.tpu.ru/fulltext/a/2007/66.pdf
Médium:	Elektronický zdroj Kniha
KOHA link:	https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=127314

Podobné jednotky

Электрофизические и тензоэлектрические свойства InSb и GaSb, облученных электронами, протонами и нейтронами: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук; спец. 01.04.10
Autor: Каменская И. В. Ирина Валентиновна
Vydáno: (Томск, [Б. и.], 2007)

Электрофизические и тензоэлектрические свойства InSb и GaSb, облученных электронами, протонами и нейтронами: диссертация на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук; спец. 01.04.10
Autor: Каменская И. В. Ирина Валентиновна
Vydáno: (Томск, [Б. и.], 2007)

Материалы, используемые в полупроводниковых приборах: пер. с англ.
Vydáno: (Москва, Мир, 1968)

Антимонид кадмия: библиографический указатель
Autor: Пономарев В. Ф.
Vydáno: (Москва, 1981)

Получение, исследование и применение легированных микрокристаллов антимонида индия для радиационно стойких сенсоров; Известия вузов. Физика; Т. 46, № 6
Vydáno: (2003)

Электронная структура и химическая связь в сложных тетрагональных кристаллах А2/3В5/2: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук
Autor: Журавлева Л. В. Людмила Викторовна
Vydáno: (Кемерово, [Б. и.], 2000)

О взаимодействии теллура с антимонидом алюминия: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата технических наук
Autor: Скуднова Е. В.
Vydáno: (Москва, 1960)

Физико-химические свойства и кинетика формирования границы раздела антимонид индия - анодный окисел в электролитах на основе этиленгликоля: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата химических наук; спец. 02.00.04
Autor: Лезина Т. Д. Татьяна Дмитриевна
Vydáno: (Томск, [Б. и.], 1984)

Вып. 18; Физическая электроника
Vydáno: (1979)

Малоинерционный фоторезисторный приемник ИК-излучения на основе InSb; Импульсная фотометрия; Вып. 4
Vydáno: (1975)

Полярографическое определение серы в порошках сурьмы и антимонида индия: отдельный оттиск
Autor: Каплан Б. Я.
Vydáno: (Москва, [Б. и.], 1969)

Тонкие пленки антимонида индия: получение, свойства, применение: монография
Vydáno: (Кишинев, Штиинца, 1989)

Энтальпия образования InP, InAs и InSb: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата химических наук
Autor: Гаджиев С. Н.
Vydáno: (Баку, Изд-во АН АзССР, 1962)

Быстродействующий перестраиваемый детектор излучения субмиллиметрового диапазана на циклотронном резонансе в InSb; Приборы и техника эксперимента; № 1
Vydáno: (2002)

Физика и технология полупроводниковых приборов: [тематический сборник]
Vydáno: (Москва, Изд-во МЭИ, 1975)

Вып. 11
Vydáno: (Москва, Издательство Академии наук СССР, 1962)

Спектры DLTS арсенида галлия, облучённого нейтронами; Физика твердого тела
Autor: Пешев В. В.
Vydáno: (2002)

Пульсполярографическое определение следов теллура в металлических Sb, In, Ga и Bi: отдельный оттиск
Autor: Каплан Б. Я.
Vydáno: (Москва, [Б. и.], 1964)

Пульсполярографическое определение следов селена в металлических Sb, In, Ga, и Bi: отдельный оттиск
Autor: Каплан Б. Я.
Vydáno: (Москва, [Б. и.], 1964)

Антимониды
Autor: Самсонов Г. В. Григорий Валентинович
Vydáno: (Душанбе, Дониш, 1977)

Адсорбция фтора и коадсобрция фтора и кислорода на In-обогащенной поверхности InSb(111); Перспективы развития фундаментальных наук; Т. 1 : Физика
Autor: Фукс А. А.
Vydáno: (2018)

Тензоэлектрические свойства и надежность приборов на основе арсенида галлия: диссертация на соискание ученой степени доктора технических наук; 01.04.10
Autor: Криворотов Н. П. Николай Павлович
Vydáno: (Томск, 2002)

Тензоэлектрические свойства и надежность приборов на основе арсенида галлия: автореферат диссертации на соискание ученой степени доктора технических наук:; Спец. 01.04.10
Autor: Криворотов Н. П. Николай Павлович
Vydáno: (Томск, [Б. и.], 2002)

Время-разрешенная фотолюминесценция в квантовых ямах InGaN/GaN; Известия вузов. Физика; Т. 56, № 7-2
Autor: Олешко В. И. Владимир Иванович
Vydáno: (2013)

Времяразрешенная люминесцентная спектроскопия гетероструктур на основе InGaN/GaN-квантовых ям; Известия вузов. Физика; Т. 56, № 8-3
Vydáno: (2013)

Тензоэлектрические свойства и надежность приборов на основе арсенида галлия: автореферат диссертации на соискание ученой степени доктора технических наук; спец. 01.04.10
Autor: Криворотов Н. П. Николай Павлович
Vydáno: (Томск, [Б. и.], 2002)

Оптические фундаментальные спектры соединений группы AIII BV
Autor: Соболев В. В. Валентин Викторович
Vydáno: (Кишинев, Штиинца, 1979)

Минералы Казахстана. (Самородные элементы, интерметаллиды, карбиды, арсениды, антимониды, простые сульфиды)
Vydáno: (Алма-Ата, Наука, 1989)

Имульсная люминесценция гетероструктур на основе GaN; Современные техника и технологии; Т. 3
Autor: Васенев А. С.
Vydáno: (2012)

Аннигиляция позитронов в кристаллах GaAs, облученных сильноточными протонами; Известия вузов. Физика; Т. 26, № 6
Autor: Арефьев К. П. Константин Петрович
Vydáno: (1983)

Вып. 3: ( N, P, As, Sb, Bi); Термические константы веществ
Vydáno: (1968)

Т. 1 : Самородные элементы. Интерметаллические соединения. Карбиды, нитриды, фосфиды. Арсениды, антимониды. Висмутиды. Сульфиды. Селениды. Теллуриды; Минералы
Vydáno: (1960)

Деградация светодиодных гетероструктур на основе InGaN/GaN при возбуждении сильноточным электронным пучком; Известия вузов. Физика; Т. 56, № 8-3
Autor: Олешко В. И. Владимир Иванович
Vydáno: (2013)

Разработка макета дискретного быстродействующего драйвера управления силовыми GaN транзисторами; Интеллектуальные энергосистемы; Т. 3
Autor: Ерофеев Е. В.
Vydáno: (2017)

Электрофизические свойства арсенида галлия: учебное пособие
Autor: Сытенко Т. Н.
Vydáno: (Киев, Изд-во КПИ, 1978)

Т. 2 : Сульфиды, сульфосоли и подобные им соединения; Минералы СССР
Vydáno: (1940)

Ч. 1: Самородные металлы и их твердые растворы, амальгамиды, арсениды, антимониды, теллуриды, селениды; Минералогия ртути
Vydáno: (2004)

Геология и минералогия карбонатитов линейно-трещинного типа рудопроявления Майке Маятасского рудного района (Северный Улытау); Известия Томского политехнического университета [Известия ТПУ]. Инжиниринг георесурсов; Т. 331, № 9
Vydáno: (2020)

Singularities of current-voltage characteristics of GaAs films fabricated by pulsed ions ablation; Взаимодействие излучений с твердым телом
Vydáno: (2009)

Эрозия мишени из GaAs при воздействии импульсного мощного ионного пучка; Известия вузов. Физика; Т. 50, № 1
Vydáno: (2007)