Свечение щелочногалоидных кристаллов при наносекундном импульсном облучении электронными пучками большой плотности: Диссертация на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук

Detalhes bibliográficos
Autor principal: Шкатов В. Т.
Autor Corporativo: Томский политехнический институт
Outros Autores: Вайсбурд Д. И. (научный руководитель)
Idioma:russo
Publicado em: Томск, 1974
Assuntos:
Formato: Livro
KOHA link:https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=126688

MARC

LEADER 00000nbm0a2200000 4500
001 126688
005 20231101220017.0
035 |a (RuTPU)RU\TPU\book\137048 
090 |a 126688 
100 |a 20071203d1974 k y0rusy50 ca 
101 0 |a rus 
102 |a RU 
105 |a a m 001zy 
200 1 |a Свечение щелочногалоидных кристаллов при наносекундном импульсном облучении электронными пучками большой плотности  |e Диссертация на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук  |f В. Т. Шкатов  |g Томский политехнический институт; науч. рук. Д. И. Вайсбурд 
210 |a Томск  |d 1974 
215 |a 92 л.  |c ил. 
320 |a Библиогр.: с. 88-92 (95 назв.) 
606 1 |a Щелочно-галоидные кристаллы  |x Оптические свойства  |2 stltpush  |3 (RuTPU)RU\TPU\subj\80365  |9 88090 
610 1 |a диссертации 
610 1 |a свечение 
610 1 |a облучение 
610 1 |a электронные пучки 
610 1 |a экситоны 
610 1 |a люминесценция 
610 1 |a щелочно-галоидные кристаллы 
610 1 |a электронно-дырочная плазма 
610 1 |a полупроводники 
610 1 |a наносекундный ускоритель 
675 |a 548.312(04)  |v 3 
700 1 |a Шкатов  |b В. Т. 
702 1 |a Вайсбурд  |b Д. И.  |4 727 
712 0 2 |a Томский политехнический институт  |z 1944-1991  |2 stltpush  |3 (RuTPU)RU\TPU\col\1123 
801 1 |a RU  |b 63413507  |c 20071203  |g PSBO 
801 2 |a RU  |b 63413507  |c 20200929  |g RCR 
942 |c BK