Радиационные дефекты в бинарных (InP, GaP) и тройных (CdSnP2, ZnGeP2) полупроводниковых фосфидах: диссертация на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук; спец. 01.04.10

Podrobná bibliografie
Hlavní autor: Новиков В. А. Владимир Александрович
Korporativní autor: Томский государственный университет (ТГУ) Сибирский физико-технический институт им. В. Д. Кузнецова (СФТИ)
Další autoři: Брудный В. Н. Валентин Натанович (научный руководитель)
Jazyk:ruština
Vydáno: Томск, [Б. и.], 2007
Témata:
Médium: Kniha
KOHA link:https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=125624

MARC

LEADER 00000nbm0a2200000 4500
001 125624
005 20231031131423.0
035 |a (RuTPU)RU\TPU\book\135931 
090 |a 125624 
100 |a 20071119j20071114k y0rusy50 ca 
101 0 |a rus 
102 |a RU 
105 |a a m 001zy 
200 1 |a Радиационные дефекты в бинарных (InP, GaP) и тройных (CdSnP2, ZnGeP2) полупроводниковых фосфидах  |e диссертация на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук  |e спец. 01.04.10  |f В. А. Новиков  |g Томский государственный университет; Сибирский физико-технический институт при Томском Госуниверситете; науч. рук. В. Н. Брудный 
210 |a Томск  |c [Б. и.]  |d 2007 
215 |a 135 л.  |c ил. 
229 |a Защищена 14.11.2007 г. 
320 |a Библиогр.: с. 120-135 (175 назв.). 
610 1 |a полупроводниковые фосфиды 
610 1 |a свойства 
610 1 |a высокоэнергетическое облучение 
610 1 |a фосфид индия 
610 1 |a фосфид галлия 
610 1 |a дифосфиды 
610 1 |a радиационные дефекты 
610 1 |a дифосфид кадмия олова 
610 1 |a дифосфид цинка германия 
610 1 |a диссертации 
675 |a 537.311.322:539(04)  |v 3 
686 |a 01.04.10  |2 oksvnk 
700 1 |a Новиков  |b В. А.  |g Владимир Александрович 
702 1 |a Брудный  |b В. Н.  |g Валентин Натанович  |4 727 
712 0 2 |a Томский государственный университет (ТГУ)  |b Сибирский физико-технический институт им. В. Д. Кузнецова (СФТИ)  |2 stltpush  |3 (RuTPU)RU\TPU\col\861 
801 1 |a RU  |b 63413507  |c 20071119  |g PSBO 
801 2 |a RU  |b 63413507  |c 20081021  |g PSBO 
942 |c BK