Радиационные дефекты в бинарных (InP, GaP) и тройных (CdSnP2, ZnGeP2) полупроводниковых фосфидах: диссертация на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук; спец. 01.04.10

Dades bibliogràfiques
Autor principal:	Новиков В. А. Владимир Александрович
Autor corporatiu:	Томский государственный университет (ТГУ) Сибирский физико-технический институт им. В. Д. Кузнецова (СФТИ)
Altres autors:	Брудный В. Н. Валентин Натанович (научный руководитель)
Idioma:	rus
Publicat:	Томск, [Б. и.], 2007
Matèries:	полупроводниковые фосфиды свойства высокоэнергетическое облучение фосфид индия фосфид галлия дифосфиды радиационные дефекты дифосфид кадмия олова дифосфид цинка германия диссертации
Format:	Llibre
KOHA link:	https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=125624

Descripció
Descripció física:	135 л. ил.

Ítems similars