Радиационные дефекты в бинарных (InP, GaP) и тройных (CdSnP2, ZnGeP2) полупроводниковых фосфидах, диссертация на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук спец. 01.04.10

Bibliographische Detailangaben
1. Verfasser:	Новиков В. А. Владимир Александрович
Körperschaft:	Томский государственный университет (ТГУ) Сибирский физико-технический институт им. В. Д. Кузнецова (СФТИ)
Weitere Verfasser:	Брудный В. Н. Валентин Натанович (727)
Sprache:	Russisch
Veröffentlicht:	Томск, [Б. и.], 2007
Schlagworte:	полупроводниковые фосфиды свойства высокоэнергетическое облучение фосфид индия фосфид галлия дифосфиды радиационные дефекты дифосфид кадмия олова дифосфид цинка германия диссертации
Format:	Buch
KOHA link:	https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=125624

Beschreibung
Beschreibung:	135 л. ил.

Ähnliche Einträge