Радиационные дефекты в бинарных (InP, GaP) и тройных (CdSnP2, ZnGeP2) полупроводниковых фосфидах: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук; спец. 01.04.10

Радиационные дефекты в бинарных (InP, GaP) и тройных (CdSnP2, ZnGeP2) полупроводниковых фосфидах: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук; спец. 01.04.10

Λεπτομέρειες βιβλιογραφικής εγγραφής
Κύριος συγγραφέας:	Новиков В. А. Владимир Александрович
Συγγραφή απο Οργανισμό/Αρχή:	Томский государственный университет (ТГУ) Сибирский физико-технический институт им. В. Д. Кузнецова (СФТИ)
Άλλοι συγγραφείς:	Брудный В. Н. Валентин Натанович (научный руководитель)
Περίληψη:	Защита сост. 14.11.2007 г.
Γλώσσα:	Ρωσικά
Έκδοση:	Томск, [Б. и.], 2007
Θέματα:	полупроводниковые фосфиды свойства высокоэнергетическое облучение фосфид индия фосфид галия дифосфиды радиационные дефекты дифосфид кадмия олова дифосфид цинка германия авторефераты диссертаций
Μορφή:	Βιβλίο
KOHA link:	https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=125604

Παρόμοια τεκμήρια

Радиационные дефекты в бинарных (InP, GaP) и тройных (CdSnP2, ZnGeP2) полупроводниковых фосфидах: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук
από: Новиков В. А. Владимир Александрович
Έκδοση: (Томск, [Б. и.], 2007)

Радиационные дефекты в бинарных (InP, GaP) и тройных (CdSnP2, ZnGeP2) полупроводниковых фосфидах: диссертация на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук; спец. 01.04.10
από: Новиков В. А. Владимир Александрович
Έκδοση: (Томск, [Б. и.], 2007)

Исследование эволюции структурных дефектов в монокристаллах ZnGeP2, выращенных методом Бриджмена; Известия Томского политехнического университета [Известия ТПУ]; Т. 321, № 2 : Математика и механика. Физика
Έκδοση: (2012)

Фосфид галлия
Έκδοση: (Кишинев, Ред.-изд. отдел АН Молдавской ССР, 1969)

Дифосфид цинка-германия: синтез, кристаллизация и исследование дефектов структуры: диссертация на соискание ученой степени кандидата технических наук; Спец. 01.04.10
από: Верозубова Г. А. Галина Александровна
Έκδοση: (Томск, [Б. и.], 2005)

Кристаллизация и свойства кристаллов: межвузовский сборник; Вып. 5
Έκδοση: (Новочеркасск, Изд-во НПИ, 1978)

Дифосфид цинка-германия: синтез, кристаллизация и исследование дефектов структуры: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата технических наук; Спец. 01.04.10
από: Верозубова Г. А. Галина Александровна
Έκδοση: (Томск, [Б. и.], 2005)

Моделирование структур и хаоса в генераторе с протяжённым кристаллом, обладающим термозависимой оптической активностью; Известия Томского политехнического университета [Известия ТПУ]; Т. 312, № 2 : Математика и механика. Физика
Έκδοση: (2008)

The regularities of radiation defect formation at the interface metal -n-InP; Control and Communications (SIBCON)
από: Soboleva E. G. Elvira Gomerovna
Έκδοση: (2016)

Образование и отжиг радиационных дефектов в арсениде галлия и фосфиде индия: диссертация на соискание ученой степени доктора физико-математических наук
από: Пешев В. В. Владимир Викторович
Έκδοση: (Томск, 1999)

Физика полупроводниковых и магнитных материалов: сборник научных трудов
Έκδοση: (Орджоникидзе, [Б. и.], 1977)

Образование и отжиг радиационных дефектов в арсениде галлия и фосфиде индия: автореферат диссертации на соискание ученой степени доктора физико-математических наук
από: Пешев В. В. Владимир Викторович
Έκδοση: (Томск, [Б. и.], 1999)

Дифосфид цинка-германия: синтез, кристаллизация и исследование дефектов структуры: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата технических наук:
από: Верозубова Г. А. Галина Александровна
Έκδοση: (Томск, [Б. и.], 2005)

Образование радиационных дефектов в узкозонных полупроводниках при облучении электронами; Известия Томского политехнического университета [Известия ТПУ]; Т. 303, вып. 2 : Радиационная физика твердого тела и радиационные технологии
από: Войцеховский А. В.
Έκδοση: (2000)

Образование центров Е10 (Ес-0,62 эВ) в фосфиде индия при гамма- и электронном облучениях; Радиационно-термические эффекты и процессы в неорганических материалах
από: Пешев В. В.
Έκδοση: (2002)

Полярографическое определение серы в порошках арсенида и фосфида галлия: отдельный оттиск
από: Каплан Б. Я.
Έκδοση: (Москва, [Б. и.], 1969)

Полупроводниковая электроника: сборник научных трудов
Έκδοση: (Ленинград, Изд-во ЛЭТИ, 1979)

Сложные полупроводники: [монография]
Έκδοση: (Кишинев, Штиинца, 1988)

Оптоэлектронные излучательные приборы на основе фосфида индия и родственных материалов
από: Исмаилов И. Исроилжан
Έκδοση: (Душанбе, Дониш, 1986)

Туннельная излучательная рекомбинация в p-n- гетероструктурах на основе нитрида галлия и других соединнений типа [AIIIBV]; Журнал экспериментальной и теоретической физики; Т. 124, вып. 5
από: Кудряшов В. Е.
Έκδοση: (2003)

Введение в технологию материалов микроэлектроники. В 3 частях. Часть 1. От минерального сырья к монокристаллу учебник для вузов
από: Александрова О. А.
Έκδοση: (Санкт-Петербург, Лань, 2023)

Полуизолирующие соединения A III B V: пер. с англ.
Έκδοση: (Москва, Металлургия, 1984)

Сваpка тpением стали P6М5 в pежиме свеpхпластичности пpи пpоизводстве pежущего инстpумента; Технология машиностроения; № 2
Έκδοση: (2006)

Влияние термо-и микроволновой обработок на свойства омических контактов K n-n+-n++ -Inp(GaAs, GaN); Известия вузов. Физика; Т. 54, № 1/2 : Радиационно-термические эффекты и процессы в неорганических материалах
Έκδοση: (2011)

Исследование стpуктуpного состояния сваpных соединений циpкониевых элементов ядеpных pеактоpов; Сварочное производство; № 6
Έκδοση: (2006)

P. S.
από: Раушенбах Б. В. Борис Викторович
Έκδοση: (Москва, Пашков дом, 1999)

Влияние пластического дефоpмиpования на стpуктуpу сваpного соединения биметаллического pежущего инстpумента; Сварочное производство; № 6
Έκδοση: (2006)

Пеpеpаботка окисленных никелевых pуд с пpименением хлоpида аммония; Химическая технология; № 2
από: Андреев А. А. Артем Андреевич
Έκδοση: (2010)

Влияние способа сваpки на стpуктуpу и свойства сваpных соединений pазноpодных сталей; Сварочное производство; № 12
από: Гнюсов С. Ф. Сергей Фёдорович
Έκδοση: (2009)

Электpонно-лучевая наплавка каpбидосталей. Ч. 2. Особенности фоpмиpования стpуктуpы и свойств покpытий сталь P6M5+WC; Сварочное производство; № 12
από: Гнюсов С. Ф. Сергей Фёдорович
Έκδοση: (2007)

Электpонно-лучевая наплавка каpбидосталей. Ч. 2. Особенности фоpмиpования стpуктуpы и свойств покpытий сталь P6М5 + WC; Технология машиностроения; № 1
από: Гнюсов С. Ф. Сергей Фёдорович
Έκδοση: (2008)

Физические свойства полупроводников АIII ВV и Аlll BVI: материалы Всесоюзной конференции по физическим свойствам полупроводников АIII ВV и Аlll BVI, Баку, октябрь 1965 г.
Έκδοση: (Баку, Изд-во АН АзССР, 1967)

Стpуктуpа сваpного соединения биметаллического свеpла после пластической дефоpмации; Технология машиностроения; № 4
από: Советченко П. Б. Павел Борисович
Έκδοση: (2006)

P.'s Correspondence
από: Nathaniel H.
Έκδοση: (Санкт-Петербург, Лань, 2014)

Моpфология повеpхности титана ВТ1-0 после электpовзpывного легиpования алюминием и электpонно-пучковой обpаботки; Деформация и разрушение материалов; № 9
Έκδοση: (2009)

Расчет pазмеpов валиков коppозионно-стойких покpытий, наносимых pучной дуговой наплавкой модулиpованным током; Технология машиностроения; № 2
από: Сараев Ю. Н. Юрий Николаевич
Έκδοση: (2010)

Электрофизические и тензоэлектрические свойства InSb и GaSb, облученных электронами, протонами и нейтронами: диссертация на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук; спец. 01.04.10
από: Каменская И. В. Ирина Валентиновна
Έκδοση: (Томск, [Б. и.], 2007)

Вакуумная электpонно-лучевая наплавка каpбидосталей. Ч. III. Влияние числа пpоходов на стpуктуpно-фазовое состояние композиционных покpытий на основе стали P6М5; Сварочное производство; № 7
Έκδοση: (2009)

p53 Protocols
Έκδοση: (2003)

p53 Protocols
Έκδοση: (2013)