Радиационные дефекты в бинарных (InP, GaP) и тройных (CdSnP2, ZnGeP2) полупроводниковых фосфидах: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук; спец. 01.04.10

التفاصيل البيبلوغرافية
المؤلف الرئيسي:	Новиков В. А. Владимир Александрович
مؤلف مشترك:	Томский государственный университет (ТГУ) Сибирский физико-технический институт им. В. Д. Кузнецова (СФТИ)
مؤلفون آخرون:	Брудный В. Н. Валентин Натанович (научный руководитель)
الملخص:	Защита сост. 14.11.2007 г.
اللغة:	الروسية
منشور في:	Томск, [Б. и.], 2007
الموضوعات:	полупроводниковые фосфиды свойства высокоэнергетическое облучение фосфид индия фосфид галия дифосфиды радиационные дефекты дифосфид кадмия олова дифосфид цинка германия авторефераты диссертаций
التنسيق:	كتاب
KOHA link:	https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=125604

مواد مشابهة