Электрофизические и тензоэлектрические свойства InSb и GaSb, облученных электронами, протонами и нейтронами: диссертация на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук; спец. 01.04.10
| Autor Principal: | Каменская И. В. Ирина Валентиновна |
|---|---|
| Corporate Authors: | Томский государственный педагогический университет (ТГПУ), Томский государственный университет (ТГУ) Сибирский физико-технический институт им. В. Д. Кузнецова (СФТИ) |
| Outros autores: | Брудный В. Н. Валентин Натанович (научный руководитель) |
| Idioma: | ruso |
| Publicado: |
Томск, [Б. и.], 2007
|
| Subjects: | |
| Formato: | Libro |
| KOHA link: | https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=125598 |
Títulos similares
Электрофизические и тензоэлектрические свойства InSb и GaSb, облученных электронами, протонами и нейтронами: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук; спец. 01.04.10
por: Каменская И. В. Ирина Валентиновна
Publicado: (Томск, [Б. и.], 2007)
por: Каменская И. В. Ирина Валентиновна
Publicado: (Томск, [Б. и.], 2007)
Электрофизические и тензоэлектрические свойства InSb и GaSb, облученных электронами, протонами и нейтронами: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук
por: Каменская И. В. Ирина Валентиновна
Publicado: (Томск, [Б. и.], 2007)
por: Каменская И. В. Ирина Валентиновна
Publicado: (Томск, [Б. и.], 2007)
Материалы, используемые в полупроводниковых приборах: пер. с англ.
Publicado: (Москва, Мир, 1968)
Publicado: (Москва, Мир, 1968)
Антимонид кадмия: библиографический указатель
por: Пономарев В. Ф.
Publicado: (Москва, 1981)
por: Пономарев В. Ф.
Publicado: (Москва, 1981)
Получение, исследование и применение легированных микрокристаллов антимонида индия для радиационно стойких сенсоров; Известия вузов. Физика; Т. 46, № 6
Publicado: (2003)
Publicado: (2003)
Электронная структура и химическая связь в сложных тетрагональных кристаллах А2/3В5/2: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук
por: Журавлева Л. В. Людмила Викторовна
Publicado: (Кемерово, [Б. и.], 2000)
por: Журавлева Л. В. Людмила Викторовна
Publicado: (Кемерово, [Б. и.], 2000)
О взаимодействии теллура с антимонидом алюминия: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата технических наук
por: Скуднова Е. В.
Publicado: (Москва, 1960)
por: Скуднова Е. В.
Publicado: (Москва, 1960)
Физико-химические свойства и кинетика формирования границы раздела антимонид индия - анодный окисел в электролитах на основе этиленгликоля: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата химических наук; спец. 02.00.04
por: Лезина Т. Д. Татьяна Дмитриевна
Publicado: (Томск, [Б. и.], 1984)
por: Лезина Т. Д. Татьяна Дмитриевна
Publicado: (Томск, [Б. и.], 1984)
Вып. 18; Физическая электроника
Publicado: (1979)
Publicado: (1979)
Малоинерционный фоторезисторный приемник ИК-излучения на основе InSb; Импульсная фотометрия; Вып. 4
Publicado: (1975)
Publicado: (1975)
Полярографическое определение серы в порошках сурьмы и антимонида индия: отдельный оттиск
por: Каплан Б. Я.
Publicado: (Москва, [Б. и.], 1969)
por: Каплан Б. Я.
Publicado: (Москва, [Б. и.], 1969)
Влияние термо-и микроволновой обработок на свойства омических контактов K n-n+-n++ -Inp(GaAs, GaN); Известия вузов. Физика; Т. 54, № 1/2 : Радиационно-термические эффекты и процессы в неорганических материалах
Publicado: (2011)
Publicado: (2011)
Тонкие пленки антимонида индия: получение, свойства, применение: монография
Publicado: (Кишинев, Штиинца, 1989)
Publicado: (Кишинев, Штиинца, 1989)
Энтальпия образования InP, InAs и InSb: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата химических наук
por: Гаджиев С. Н.
Publicado: (Баку, Изд-во АН АзССР, 1962)
por: Гаджиев С. Н.
Publicado: (Баку, Изд-во АН АзССР, 1962)
Быстродействующий перестраиваемый детектор излучения субмиллиметрового диапазана на циклотронном резонансе в InSb; Приборы и техника эксперимента; № 1
Publicado: (2002)
Publicado: (2002)
Монокристаллы полупроводниковых соединений III-V: современное производство и перспективы его развития; Известия вузов. Физика; Т. 46, № 6
por: Марков А. В.
Publicado: (2003)
por: Марков А. В.
Publicado: (2003)
Радиационные дефекты в бинарных (InP, GaP) и тройных (CdSnP2, ZnGeP2) полупроводниковых фосфидах: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук; спец. 01.04.10
por: Новиков В. А. Владимир Александрович
Publicado: (Томск, [Б. и.], 2007)
por: Новиков В. А. Владимир Александрович
Publicado: (Томск, [Б. и.], 2007)
Туннельная излучательная рекомбинация в p-n- гетероструктурах на основе нитрида галлия и других соединнений типа [AIIIBV]; Журнал экспериментальной и теоретической физики; Т. 124, вып. 5
por: Кудряшов В. Е.
Publicado: (2003)
por: Кудряшов В. Е.
Publicado: (2003)
Физика и технология полупроводниковых приборов: [тематический сборник]
Publicado: (Москва, Изд-во МЭИ, 1975)
Publicado: (Москва, Изд-во МЭИ, 1975)
Вып. 11
Publicado: (Москва, Издательство Академии наук СССР, 1962)
Publicado: (Москва, Издательство Академии наук СССР, 1962)
Антимониды
por: Самсонов Г. В. Григорий Валентинович
Publicado: (Душанбе, Дониш, 1977)
por: Самсонов Г. В. Григорий Валентинович
Publicado: (Душанбе, Дониш, 1977)
Адсорбция фтора и коадсобрция фтора и кислорода на In-обогащенной поверхности InSb(111); Перспективы развития фундаментальных наук; Т. 1 : Физика
por: Фукс А. А.
Publicado: (2018)
por: Фукс А. А.
Publicado: (2018)
Контроль относительной деформации постоянной решетки полуизолирующего GaAs по отраженному излучению; Дефектоскопия; № 8
Publicado: (2004)
Publicado: (2004)
Осаждение пленок GaAs из абляционной плазмы, формируемой импульсным мощным ионным пучком: диссертация на соискание ученой степени кандидата технических наук; спец. 05.09.02; спец. 01.04.04
por: Ли Цзень Фень
Publicado: (Томск, [Б. и.], 2006)
por: Ли Цзень Фень
Publicado: (Томск, [Б. и.], 2006)
Осаждение пленок GaAs из абляционной плазмы, формируемой импульсным мощным ионным пучком: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата технических наук; спец. 05.09.02; спец. 01.04.04
por: Ли Цзень Фень
Publicado: (Томск, [Б. и.], 2006)
por: Ли Цзень Фень
Publicado: (Томск, [Б. и.], 2006)
Оптические фундаментальные спектры соединений группы AIII BV
por: Соболев В. В. Валентин Викторович
Publicado: (Кишинев, Штиинца, 1979)
por: Соболев В. В. Валентин Викторович
Publicado: (Кишинев, Штиинца, 1979)
Минералы Казахстана. (Самородные элементы, интерметаллиды, карбиды, арсениды, антимониды, простые сульфиды)
Publicado: (Алма-Ата, Наука, 1989)
Publicado: (Алма-Ата, Наука, 1989)
Вып. 3: ( N, P, As, Sb, Bi); Термические константы веществ
Publicado: (1968)
Publicado: (1968)
Т. 1 : Самородные элементы. Интерметаллические соединения. Карбиды, нитриды, фосфиды. Арсениды, антимониды. Висмутиды. Сульфиды. Селениды. Теллуриды; Минералы
Publicado: (1960)
Publicado: (1960)
Т. 2 : Сульфиды, сульфосоли и подобные им соединения; Минералы СССР
Publicado: (1940)
Publicado: (1940)
Ч. 1: Самородные металлы и их твердые растворы, амальгамиды, арсениды, антимониды, теллуриды, селениды; Минералогия ртути
Publicado: (2004)
Publicado: (2004)
Геология и минералогия карбонатитов линейно-трещинного типа рудопроявления Майке Маятасского рудного района (Северный Улытау); Известия Томского политехнического университета [Известия ТПУ]. Инжиниринг георесурсов; Т. 331, № 9
Publicado: (2020)
Publicado: (2020)
Осаждение пленок GaAs из абляционной плазмы, формируемой импульсным мощным ионным пучком: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата технических наук
por: Ли Цзень Фень
Publicado: (Томск, [Б. и.], 2006)
por: Ли Цзень Фень
Publicado: (Томск, [Б. и.], 2006)
Термодинамика соединений лантаноидов: справочник
por: Гордиенко С. П. Станислав Петрович
Publicado: (Киев, Наукова думка, 1979)
por: Гордиенко С. П. Станислав Петрович
Publicado: (Киев, Наукова думка, 1979)
Получение ароматических углеводородов из низших алканов на цеолитных катализаторах, модифицированных оксидом галия; Иерархические материалы: разработка и приложения для новых технологий и надежных конструкций
por: Джалилова С. Н. София Насибуллаевна
Publicado: (2018)
por: Джалилова С. Н. София Насибуллаевна
Publicado: (2018)
Эпигенетический низкоградный метаморфизм и Co-Ni-Sb-As минерализация в Норильском рудном поле
por: Спиридонов Э. М. Эрнст Максович
Publicado: (СПб., Научный мир, 2009)
por: Спиридонов Э. М. Эрнст Максович
Publicado: (СПб., Научный мир, 2009)
Пульсполярографическое определение следов теллура в металлических Sb, In, Ga и Bi: отдельный оттиск
por: Каплан Б. Я.
Publicado: (Москва, [Б. и.], 1964)
por: Каплан Б. Я.
Publicado: (Москва, [Б. и.], 1964)
Пульсполярографическое определение следов селена в металлических Sb, In, Ga, и Bi: отдельный оттиск
por: Каплан Б. Я.
Publicado: (Москва, [Б. и.], 1964)
por: Каплан Б. Я.
Publicado: (Москва, [Б. и.], 1964)
Структура и магнитные свойства окисных магнетиков, облученных быстрыми нейтронами
Publicado: (Москва, Наука, 1986)
Publicado: (Москва, Наука, 1986)
Тензоэлектрические свойства и надежность приборов на основе арсенида галлия: диссертация на соискание ученой степени доктора технических наук; 01.04.10
por: Криворотов Н. П. Николай Павлович
Publicado: (Томск, 2002)
por: Криворотов Н. П. Николай Павлович
Publicado: (Томск, 2002)
Títulos similares
-
Электрофизические и тензоэлектрические свойства InSb и GaSb, облученных электронами, протонами и нейтронами: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук; спец. 01.04.10
por: Каменская И. В. Ирина Валентиновна
Publicado: (Томск, [Б. и.], 2007) -
Электрофизические и тензоэлектрические свойства InSb и GaSb, облученных электронами, протонами и нейтронами: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук
por: Каменская И. В. Ирина Валентиновна
Publicado: (Томск, [Б. и.], 2007) -
Материалы, используемые в полупроводниковых приборах: пер. с англ.
Publicado: (Москва, Мир, 1968) -
Антимонид кадмия: библиографический указатель
por: Пономарев В. Ф.
Publicado: (Москва, 1981) -
Получение, исследование и применение легированных микрокристаллов антимонида индия для радиационно стойких сенсоров; Известия вузов. Физика; Т. 46, № 6
Publicado: (2003)