Электрофизические и тензоэлектрические свойства InSb и GaSb, облученных электронами, протонами и нейтронами: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук; спец. 01.04.10

Электрофизические и тензоэлектрические свойства InSb и GaSb, облученных электронами, протонами и нейтронами: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук; спец. 01.04.10

書誌詳細
第一著者:	Каменская И. В. Ирина Валентиновна
共著者:	Томский государственный педагогический университет (ТГПУ), Томский государственный университет (ТГУ) Сибирский физико-технический институт им. В. Д. Кузнецова (СФТИ)
その他の著者:	Брудный В. Н. Валентин Натанович (научный руководитель)
要約:	Защита сост. 14.11.2007 г.
言語:	ロシア語
出版事項:	Томск, [Б. и.], 2007
主題:	физика полупроводники антимониды антимонид индия антимонид галлия радиационные дефекты исследование авторефераты диссертаций
フォーマット:	図書
KOHA link:	https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=125597

類似資料

Электрофизические и тензоэлектрические свойства InSb и GaSb, облученных электронами, протонами и нейтронами: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук
著者:: Каменская И. В. Ирина Валентиновна
出版事項: (Томск, [Б. и.], 2007)

Электрофизические и тензоэлектрические свойства InSb и GaSb, облученных электронами, протонами и нейтронами: диссертация на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук; спец. 01.04.10
著者:: Каменская И. В. Ирина Валентиновна
出版事項: (Томск, [Б. и.], 2007)

Материалы, используемые в полупроводниковых приборах: пер. с англ.
出版事項: (Москва, Мир, 1968)

Антимонид кадмия: библиографический указатель
著者:: Пономарев В. Ф.
出版事項: (Москва, 1981)

Электронная структура и химическая связь в сложных тетрагональных кристаллах А2/3В5/2: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук
著者:: Журавлева Л. В. Людмила Викторовна
出版事項: (Кемерово, [Б. и.], 2000)

Получение, исследование и применение легированных микрокристаллов антимонида индия для радиационно стойких сенсоров; Известия вузов. Физика; Т. 46, № 6
出版事項: (2003)

О взаимодействии теллура с антимонидом алюминия: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата технических наук
著者:: Скуднова Е. В.
出版事項: (Москва, 1960)

Физико-химические свойства и кинетика формирования границы раздела антимонид индия - анодный окисел в электролитах на основе этиленгликоля: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата химических наук; спец. 02.00.04
著者:: Лезина Т. Д. Татьяна Дмитриевна
出版事項: (Томск, [Б. и.], 1984)

Вып. 18; Физическая электроника
出版事項: (1979)

Полярографическое определение серы в порошках сурьмы и антимонида индия: отдельный оттиск
著者:: Каплан Б. Я.
出版事項: (Москва, [Б. и.], 1969)

Тонкие пленки антимонида индия: получение, свойства, применение: монография
出版事項: (Кишинев, Штиинца, 1989)

Тензоэлектрические свойства и надежность приборов на основе арсенида галлия: диссертация на соискание ученой степени доктора технических наук; 01.04.10
著者:: Криворотов Н. П. Николай Павлович
出版事項: (Томск, 2002)

Физика и технология полупроводниковых приборов: [тематический сборник]
出版事項: (Москва, Изд-во МЭИ, 1975)

Вып. 11
出版事項: (Москва, Издательство Академии наук СССР, 1962)

Тензоэлектрические свойства и надежность приборов на основе арсенида галлия: автореферат диссертации на соискание ученой степени доктора технических наук:; Спец. 01.04.10
著者:: Криворотов Н. П. Николай Павлович
出版事項: (Томск, [Б. и.], 2002)

Малоинерционный фоторезисторный приемник ИК-излучения на основе InSb; Импульсная фотометрия; Вып. 4
出版事項: (1975)

Тензоэлектрические свойства и надежность приборов на основе арсенида галлия: автореферат диссертации на соискание ученой степени доктора технических наук; спец. 01.04.10
著者:: Криворотов Н. П. Николай Павлович
出版事項: (Томск, [Б. и.], 2002)

Спектры DLTS арсенида галлия, облучённого нейтронами; Физика твердого тела
著者:: Пешев В. В.
出版事項: (2002)

Антимониды
著者:: Самсонов Г. В. Григорий Валентинович
出版事項: (Душанбе, Дониш, 1977)

Энтальпия образования InP, InAs и InSb: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата химических наук
著者:: Гаджиев С. Н.
出版事項: (Баку, Изд-во АН АзССР, 1962)

Быстродействующий перестраиваемый детектор излучения субмиллиметрового диапазана на циклотронном резонансе в InSb; Приборы и техника эксперимента; № 1
出版事項: (2002)

Оптические фундаментальные спектры соединений группы AIII BV
著者:: Соболев В. В. Валентин Викторович
出版事項: (Кишинев, Штиинца, 1979)

Минералы Казахстана. (Самородные элементы, интерметаллиды, карбиды, арсениды, антимониды, простые сульфиды)
出版事項: (Алма-Ата, Наука, 1989)

Адсорбция фтора и коадсобрция фтора и кислорода на In-обогащенной поверхности InSb(111); Перспективы развития фундаментальных наук; Т. 1 : Физика
著者:: Фукс А. А.
出版事項: (2018)

Т. 1 : Самородные элементы. Интерметаллические соединения. Карбиды, нитриды, фосфиды. Арсениды, антимониды. Висмутиды. Сульфиды. Селениды. Теллуриды; Минералы
出版事項: (1960)

Т. 2 : Сульфиды, сульфосоли и подобные им соединения; Минералы СССР
出版事項: (1940)

Ч. 1: Самородные металлы и их твердые растворы, амальгамиды, арсениды, антимониды, теллуриды, селениды; Минералогия ртути
出版事項: (2004)

Геология и минералогия карбонатитов линейно-трещинного типа рудопроявления Майке Маятасского рудного района (Северный Улытау); Известия Томского политехнического университета [Известия ТПУ]. Инжиниринг георесурсов; Т. 331, № 9
出版事項: (2020)

Электрофизические свойства арсенида галлия: учебное пособие
著者:: Сытенко Т. Н.
出版事項: (Киев, Изд-во КПИ, 1978)

Термодинамика соединений лантаноидов: справочник
著者:: Гордиенко С. П. Станислав Петрович
出版事項: (Киев, Наукова думка, 1979)

Радиационная стойкость СВЧ приборов на основе арсенида галлия: диссертация на соискание ученой степени доктора технических наук; спец. 01.04.10
著者:: Градобоев А. В. Александр Васильевич
出版事項: (Томск, 2003)

Вып. 3: ( N, P, As, Sb, Bi); Термические константы веществ
出版事項: (1968)

Полупроводниковые соединения группы А(II) B(V)
出版事項: (Москва, Наука, 1978)

Радиационная стойкость СВЧ приборов на основе арсенида галлия: автореферат диссертации на соискание ученой степени доктора технических наук; спец. 01.04.10
著者:: Градобоев А. В. Александр Васильевич
出版事項: (Томск, [Б. и.], 2003)

Радиационные дефекты в бинарных (InP, GaP) и тройных (CdSnP2, ZnGeP2) полупроводниковых фосфидах: диссертация на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук; спец. 01.04.10
著者:: Новиков В. А. Владимир Александрович
出版事項: (Томск, [Б. и.], 2007)

Физико-технологические вопросы разработки полупроводниковых приборов на полуизолирующем арсениде галлия: диссертация на соискание ученой степени доктора технических наук; Спец. 01.04.10
著者:: Айзенштат Г. И. Геннадий Исаакович
出版事項: (Томск, [Б. и.], 2004)

Основы физики и техники полупроводников
著者:: Неменов Л. Л. Леонид Леонидович
出版事項: (Ленинград, Наука, 1974)

Особенности оптических свойств сильно легированного GaAs:Te в условиях коррелированного распределения примеси: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук; спец. 01.04.10
著者:: Сидоров Е. Н. Евгений Николаевич
出版事項: (Томск, 2010)

Структуры для детекторов ионизирующих излучений на основе эпитаксиального арсенида галлия: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук; спец. 01.04.10
著者:: Пономарев И. В. Иван Викторович
出版事項: (Томск, 2011)

Физико-технологические вопросы разработки полупроводниковых приборов на полуизолирующем арсениде галлия: автореферат диссертации на соискание ученой степени доктора технических наук; Спец. 01.04.10
著者:: Айзенштат Г. И. Геннадий Исаакович
出版事項: (Томск, [Б. и.], 2004)