|
|
|
|
| LEADER |
00000nam0a2200000 4500 |
| 001 |
121208 |
| 005 |
20231101215649.0 |
| 035 |
|
|
|a (RuTPU)RU\TPU\book\131260
|
| 090 |
|
|
|a 121208
|
| 100 |
|
|
|a 20070911d1974 k y0rusy50 ca
|
| 101 |
0 |
|
|a rus
|
| 102 |
|
|
|a RU
|
| 105 |
|
|
|a y dm 001zy
|
| 200 |
1 |
|
|a Исследование процессов переноса и накопления заряда в МДП_структурах на кремнии
|e автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук
|e спец. 01.04.10
|f А. С. Гиновкер
|g Академия наук СССР, Сибирское отделение ; науч. рук. Л. С. Синица
|
| 210 |
|
|
|a Новосибирск
|c [Б. и.]
|d 1974
|
| 215 |
|
|
|a 13 с.
|
| 300 |
|
|
|a Защита сост. 15.10.1974 г.
|
| 320 |
|
|
|a Библиогр.: с. 13 (13 назв.)
|
| 606 |
1 |
|
|a Полупроводники
|x Переноса явления
|2 stltpush
|3 (RuTPU)RU\TPU\subj\50579
|9 69232
|
| 610 |
1 |
|
|a МНОП-структуры
|
| 610 |
1 |
|
|a исследование
|
| 610 |
1 |
|
|a вольт-амперные характеристики
|
| 610 |
1 |
|
|a пленки
|
| 610 |
1 |
|
|a нитрид кремния
|
| 610 |
1 |
|
|a носители заряда
|
| 610 |
1 |
|
|a гистерезис
|
| 610 |
1 |
|
|a двуокись кремния
|
| 610 |
1 |
|
|a туннельно тонкий слой
|
| 610 |
1 |
|
|a двуокись кремния
|
| 610 |
1 |
|
|a электронный заряд
|
| 610 |
1 |
|
|a туннельное накопление
|
| 610 |
1 |
|
|a авторефераты диссертаций
|
| 675 |
|
|
|a 537.311.322:530.145(04)
|v 4
|
| 686 |
|
|
|a 01.04.10
|2 oksvnk
|
| 700 |
|
1 |
|a Гиновкер
|b А. С.
|g Андрей Самсонович
|
| 702 |
|
1 |
|a Синица
|b Л. С.
|4 727
|
| 712 |
0 |
2 |
|a Академия наук СССР
|b Сибирское отделение
|c (Новосибирск)
|c (1957-1991)
|2 stltpush
|3 (RuTPU)RU\TPU\col\11215
|9 24990
|
| 801 |
|
1 |
|a RU
|b 63413507
|c 20070911
|g PSBO
|
| 801 |
|
2 |
|a RU
|b 63413507
|c 20201118
|g PSBO
|
| 942 |
|
|
|c BK
|
