|
|
|
|
| LEADER |
00000nam0a2200000 4500 |
| 001 |
120157 |
| 005 |
20231101215604.0 |
| 035 |
|
|
|a (RuTPU)RU\TPU\book\130100
|
| 090 |
|
|
|a 120157
|
| 100 |
|
|
|a 20070817d1985 km y0rusy50 ca
|
| 101 |
0 |
|
|a rus
|
| 102 |
|
|
|a LT
|
| 105 |
|
|
|a a z 001zy
|
| 200 |
1 |
|
|a Анализ микрополосковых линий
|f Л. В. Книшевская, В. Шугуров
|g Академия наук Литовский ССР, Институт физики полупроводников ; под ред. К. Ряпшасе
|
| 210 |
|
|
|a Вильнюс
|c МОКСЛАС
|d 1985
|
| 215 |
|
|
|a 166 с.
|c ил.
|
| 320 |
|
|
|a Библиогр.: с. 159-162.
|
| 330 |
|
|
|a В монографии приводится метод расчета микрополосковых линий (МПЛ), основанный на использовании сингулярных интегральных уравнений (СИУ). Рассматривается применение метода СИУ для расчета МПЛ в приближении гармонических функций, когда потенциалы удовлетворяют уравнению Лапласа. Приводятся примеры расчета электрических характеристик, электрических и магнитных полей для одиночных и связанных МПЛ на слоистых магнитодиэлектрических, намагниченных полупроводниках, ферритовых подложках и на подложках из магнитного полупроводника. Также излагается методика строгого решения уравнений Максвелла с использованием СИУ, применяемая к анализу микрополосковых линий. Приводятся дисперсионные зависимости постоянной распространения для основной и первых высших мод.
|
| 610 |
1 |
|
|a анализ
|
| 610 |
1 |
|
|a микрополосковые линии
|
| 675 |
|
|
|a 621.372.2
|v 3
|
| 700 |
|
1 |
|a Книшевская
|b Л. В.
|g Людмила Васильевна
|
| 701 |
|
1 |
|a Шугуров
|b В.
|
| 702 |
|
1 |
|a Ряпшасе
|b К.
|4 340
|
| 712 |
0 |
2 |
|a Академия наук Литовский ССР
|b Институт физики полупроводников
|2 stltpush
|3 (RuTPU)RU\TPU\col\12038
|9 25328
|
| 801 |
|
1 |
|a RU
|b 63413507
|c 20070817
|g PSBO
|
| 801 |
|
2 |
|a RU
|b 63413507
|c 20190123
|g PSBO
|
| 942 |
|
|
|c BK
|
