Арсенид галлия, компенсированный примесями с глубокими уровнями (электронные свойства, структуры, применение: диссертация на соискание ученой степени доктора физико-математических наук

Арсенид галлия, компенсированный примесями с глубокими уровнями (электронные свойства, структуры, применение: диссертация на соискание ученой степени доктора физико-математических наук

Dettagli Bibliografici
Autore principale:	Толбанов О. П. Олег Петрович
Ente Autore:	Томский государственный университет
Riassunto:	For_staff_use
Lingua:	russo
Pubblicazione:	Томск, 1999
Soggetti:	физика галлия арсенид электронные свойства микроэлектроника легирование полупроводниковые приборы полупроводники диссертации
Natura:	Libro
KOHA link:	https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=11665

Documenti analoghi

Арсенид галлия, компенсированный примесями с глубокими уровнями (электронные свойства, структуры, применение: автореферат диссертации на соискание ученой степени доктора физико-математических наук
di: Толбанов О. П. Олег Петрович
Pubblicazione: (Томск, [Б. и.], 1999)

Арсенид галлия в микроэлектронике: пер. с англ.
Pubblicazione: (Москва, Мир, 1988)

Арсенид галлия: сборник статей
Pubblicazione: (Томск, Изд-во ТГУ, 1968)

Арсенид галлия. Получение, свойства и применение
Pubblicazione: (Москва, Наука, 1973)

Арсенид галлия: радиационные дефекты и ионизационные детекторы ядерного излучения: диссертация на соискание ученой степени кандидата технических наук
di: Потапов А. И. Александр Иванович
Pubblicazione: (Томск, 1999)

Квантово-чувствительные детекторы ионизирующих излучений на основе компенсированного арсенида галлия; Известия вузов. Физика; Т. 46, № 8
di: Толбанов О. П.
Pubblicazione: (2003)

Арсенид галлия: радиационные дефекты и ионизационные детекторы ядерного излучения: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата технических наук
di: Потапов А. И. Александр Иванович
Pubblicazione: (Томск, [Б. и.], 1999)

Исследование технологии ионного легирования для создания высокочувствительных датчиков магнитного поля на арсениде галлия; Известия вузов. Физика; Т. 54, № 1/2 : Радиационно-термические эффекты и процессы в неорганических материалах
di: Карлова Г. Ф.
Pubblicazione: (2011)

Исследование стойкости омического контакта металл-арсенид галлия при гамма-облучении; Радиационно-термические эффекты и процессы в неорганических материалах
di: Градобоев А. В. Александр Васильевич
Pubblicazione: (2002)

Способ переработки отходов, содержащих арсенид галлия; Сборник избранных статей по материалам научных конференций ГНИИ "Нацразвитие"
di: Семенова В. И. Валерия Игоревна
Pubblicazione: (2019)

Образование и отжиг радиационных дефектов в арсениде галлия и фосфиде индия: диссертация на соискание ученой степени доктора физико-математических наук
di: Пешев В. В. Владимир Викторович
Pubblicazione: (Томск, 1999)

Арсенид галлия. Труды Международного симпозиума, организованного Институтом физики и Физическим обществом Великобритании совместно с Лабораторией авиационной электроники ВВС США: пер. с англ.
Pubblicazione: (Москва, Советское радио, 1972)

Влияние различных видов отжига на концентрационные профили ионов кремния, имплантированных в арсенид галлия; Известия вузов. Физика; Т. 54, № 1/3 : Радиационно-термические эффекты и процессы в неорганических материалах
di: Чернявский А. В. Александр Викторович
Pubblicazione: (2011)

Фоточувствительные структуры и солнечные элементы на основе арсенида галлия
Pubblicazione: (Ташкент, Фан, 1986)

Образование и отжиг радиационных дефектов в арсениде галлия и фосфиде индия: автореферат диссертации на соискание ученой степени доктора физико-математических наук
di: Пешев В. В. Владимир Викторович
Pubblicazione: (Томск, [Б. и.], 1999)

Контакты с барьером Шоттки на основе арсенида галлия: структура, электрические свойства: Автореферат диссертации доктора физико-математических наук
di: Филонов Н. Г. Николай Григорьевич
Pubblicazione: (Томск, [Б. и.], 2000)

Контакты с барьером Шоттки на основе арсенида галлия: структура, электрические свойства: диссертация на соискание ученой степени доктора физико-математических наук
di: Филонов Н. Г. Николай Григорьевич
Pubblicazione: (Томск, 2000)

Электроперенос пленок арсенида галлия, синтезированных ионной абляцией; ФВЗЧК-2014
Pubblicazione: (2014)

Исследование точностных характеристик методики определения хрома в арсениде галлия; Электрохимические методы анализа
di: Сараева В. Е.
Pubblicazione: (1989)

Изучение радиопоглощающих свойств арсенида галлия; Физическое образование в вузах; Т. 24, № S1
di: Семенова В. И. Валерия Игоревна
Pubblicazione: (2018)

Полупроводниковые пленки для микроэлектроники
Pubblicazione: (Новосибирск, Наука, 1977)

Осаждение пленок арсенида галлия методом импульсной ионной абляции и их свойства; Физика твердого тела
Pubblicazione: (2009)

Разработка и исследование блока детектирования на основе твердотельных арсенид галлиевых детекторов для регистрации рентгеновского и гамма излучения; Электронные приборы, системы и технологии
Pubblicazione: (2011)

Спектры DLTS арсенида галлия, облучённого нейтронами; Физика твердого тела
di: Пешев В. В.
Pubblicazione: (2002)

Напряжения в имплантированных структурах арсенида галлия; Радиационно-термические эффекты и процессы в неорганических материалах
di: Ардышев М. В.
Pubblicazione: (2002)

Осаждение пленок арсенида галлия ионной абляцией и их термическая и химическая пассивация; ФВЗЧК-2011
Pubblicazione: (2011)

Исследование поверхностно-барьерных переходов на арсениде галлия: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук
di: Максимова Н. К.
Pubblicazione: (Томск, 1972)

Протонный отжиг имплантированных арсенида галлия и кремния; Радиационно-термические эффекты и процессы в неорганических материалах
di: Ардышев М. В.
Pubblicazione: (2004)

Электрофизические свойства арсенида галлия: учебное пособие
di: Сытенко Т. Н.
Pubblicazione: (Киев, Изд-во КПИ, 1978)

Осаждение пленок арсенида галлия на кремнии импульсной ионной абляцией и их свойства; Взаимодействие излучений с твердым телом
Pubblicazione: (2011)

Термическая и химическая пассивация пленок арсенида галлия, осажденных из абляционной плазмы; Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования; № 2
di: Кабышев А. В. Александр Васильевич
Pubblicazione: (2014)

Механизм переноса зарядов в излучающих структурах на основе арсенида галлия; Известия вузов. Физика; Т. 46, № 3
di: Карлова Г. Ф.
Pubblicazione: (2003)

Ионный абляционный синтез пленок арсенида галлия на кремниевой подложке; Известия вузов. Физика; Т. 55, № 6-2
di: Кабышев А. В. Александр Васильевич
Pubblicazione: (2012)

Полярографическое определение серы в порошках арсенида и фосфида галлия: отдельный оттиск
di: Каплан Б. Я.
Pubblicazione: (Москва, [Б. и.], 1969)

Электроперенос пленок арсенида галлия, синтезированных на поликоре ионной абляцией; Взаимодействие излучений с твердым телом
di: Кабышев А. В. Александр Васильевич
Pubblicazione: (2013)

Физико-химические условия устойчивости легированных марганцем нанослоев арсенида галлия и его изоэлектронных аналогов: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук; спец. 02.00.04
di: Терентьева Ю. В. Юлия Владимировна
Pubblicazione: (Барнаул, 2013)

Образование радиационных дефектов и их отжиг в арсениде галлия; Научно-методическое обеспечение образовательного процесса в условиях непрерывного обучения
di: Пешев В. В. Владимир Викторович
Pubblicazione: (2005)

Технология эпитаксиальных слоев арсенида галлия и приборы на их основе
di: Черняев В. Н. Владимир Николаевич
Pubblicazione: (Москва, Энергия, 1974)

Радиопоглощающие свойства пеностекла с добавлением арсенида галлия; Перспективы развития фундаментальных наук; Т. 2 : Химия
di: Стебенева В. И.
Pubblicazione: (2018)

Тензоэлектрические свойства и надежность приборов на основе арсенида галлия: диссертация на соискание ученой степени доктора технических наук; 01.04.10
di: Криворотов Н. П. Николай Павлович
Pubblicazione: (Томск, 2002)