Арсенид галлия, компенсированный примесями с глубокими уровнями (электронные свойства, структуры, применение, диссертация на соискание ученой степени доктора физико-математических наук

Библиографические подробности
Главный автор: Толбанов О. П. Олег Петрович
Автор-организация: Томский государственный университет
Примечания:For_staff_use
Язык:русский
Опубликовано: Томск, 1999
Предметы:
Формат: Книга
Запись в KOHA:https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=11665

MARC

LEADER 00000nbm0a2200000 4500
001 11665
005 20250225063224.0
035 |a (RuTPU)RU\TPU\book\11737 
035 |a BOOK00011803 
090 |a 11665 
100 |a 20011209d1999 k y0rusy50 ca 
101 0 |a rus 
102 |a RU 
105 |a y m 000zy 
200 1 |a Арсенид галлия, компенсированный примесями с глубокими уровнями (электронные свойства, структуры, применение  |e диссертация на соискание ученой степени доктора физико-математических наук  |f О. П. Толбанов  |g Томский государственный университет 
210 |a Томск  |d 1999 
215 |a 335 л. 
371 0 |a For_staff_use 
610 1 |a физика 
610 1 |a галлия арсенид 
610 1 |a электронные свойства 
610 1 |a микроэлектроника 
610 1 |a легирование 
610 1 |a полупроводниковые приборы 
610 1 |a полупроводники 
610 1 |a диссертации 
675 |a 537.311.322:546(04)  |v 3 
675 |a 621.382.049.77.002(04)  |v 3 
700 1 |a Толбанов  |b О. П.  |g Олег Петрович 
712 0 2 |a Томский государственный университет  |c 1917-2009  |7 ca  |8 rus  |2 stltpush  |3 (RuTPU)RU\TPU\col\397  |9 23396 
801 0 |a RU  |b 63413507  |c 20011209  |g PSBO 
801 2 |a RU  |b 63413507  |c 20130621  |g PSBO 
942 |c BK