Арсенид галлия, компенсированный примесями с глубокими уровнями (электронные свойства, структуры, применение, диссертация на соискание ученой степени доктора физико-математических наук

Detalles Bibliográficos
Autor Principal:	Толбанов О. П. Олег Петрович
Autor Corporativo:	Томский государственный университет
Summary:	For_staff_use
Publicado:	Томск, 1999
Subjects:	физика галлия арсенид электронные свойства микроэлектроника легирование полупроводниковые приборы полупроводники диссертации
Formato:	Libro
KOHA link:	https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=11665

Descripción
Descrición Física:	335 л.
Summary:	For_staff_use

Títulos similares