Арсенид галлия, компенсированный примесями с глубокими уровнями (электронные свойства, структуры, применение: диссертация на соискание ученой степени доктора физико-математических наук

التفاصيل البيبلوغرافية
المؤلف الرئيسي:	Толбанов О. П. Олег Петрович
مؤلف مشترك:	Томский государственный университет
الملخص:	For_staff_use
اللغة:	الروسية
منشور في:	Томск, 1999
الموضوعات:	физика галлия арсенид электронные свойства микроэлектроника легирование полупроводниковые приборы полупроводники диссертации
التنسيق:	كتاب
KOHA link:	https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=11665

الوصف
وصف مادي:	335 л.
الملخص:	For_staff_use

مواد مشابهة