Арсенид галлия, компенсированный примесями с глубокими уровнями (электронные свойства, структуры, применение: автореферат диссертации на соискание ученой степени доктора физико-математических наук

Арсенид галлия, компенсированный примесями с глубокими уровнями (электронные свойства, структуры, применение: автореферат диссертации на соискание ученой степени доктора физико-математических наук

Detalles Bibliográficos
Autor Principal:	Толбанов О. П. Олег Петрович
Autor Corporativo:	Томский государственный университет
Summary:	For_staff_use
Idioma:	ruso
Publicado:	Томск, [Б. и.], 1999
Subjects:	физика арсенид галлия электронные свойства микроэлектроника легирование полупроводниковые приборы полупроводники авторефераты диссертаций
Formato:	Libro
KOHA link:	https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=11664

Títulos similares

Арсенид галлия, компенсированный примесями с глубокими уровнями (электронные свойства, структуры, применение: диссертация на соискание ученой степени доктора физико-математических наук
por: Толбанов О. П. Олег Петрович
Publicado: (Томск, 1999)

Арсенид галлия в микроэлектронике: пер. с англ.
Publicado: (Москва, Мир, 1988)

Арсенид галлия: сборник статей
Publicado: (Томск, Изд-во ТГУ, 1968)

Исследование технологии ионного легирования для создания высокочувствительных датчиков магнитного поля на арсениде галлия; Известия вузов. Физика; Т. 54, № 1/2 : Радиационно-термические эффекты и процессы в неорганических материалах
por: Карлова Г. Ф.
Publicado: (2011)

Квантово-чувствительные детекторы ионизирующих излучений на основе компенсированного арсенида галлия; Известия вузов. Физика; Т. 46, № 8
por: Толбанов О. П.
Publicado: (2003)

Арсенид галлия: радиационные дефекты и ионизационные детекторы ядерного излучения: диссертация на соискание ученой степени кандидата технических наук
por: Потапов А. И. Александр Иванович
Publicado: (Томск, 1999)

Арсенид галлия: радиационные дефекты и ионизационные детекторы ядерного излучения: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата технических наук
por: Потапов А. И. Александр Иванович
Publicado: (Томск, [Б. и.], 1999)

Исследование стойкости омического контакта металл-арсенид галлия при гамма-облучении; Радиационно-термические эффекты и процессы в неорганических материалах
por: Градобоев А. В. Александр Васильевич
Publicado: (2002)

Способ переработки отходов, содержащих арсенид галлия; Сборник избранных статей по материалам научных конференций ГНИИ "Нацразвитие"
por: Семенова В. И. Валерия Игоревна
Publicado: (2019)

Полупроводниковые пленки для микроэлектроники
Publicado: (Новосибирск, Наука, 1977)

Фоточувствительные структуры и солнечные элементы на основе арсенида галлия
Publicado: (Ташкент, Фан, 1986)

Влияние различных видов отжига на концентрационные профили ионов кремния, имплантированных в арсенид галлия; Известия вузов. Физика; Т. 54, № 1/3 : Радиационно-термические эффекты и процессы в неорганических материалах
por: Чернявский А. В. Александр Викторович
Publicado: (2011)

Электроперенос пленок арсенида галлия, синтезированных ионной абляцией; ФВЗЧК-2014
Publicado: (2014)

Изучение радиопоглощающих свойств арсенида галлия; Физическое образование в вузах; Т. 24, № S1
por: Семенова В. И. Валерия Игоревна
Publicado: (2018)

Исследование точностных характеристик методики определения хрома в арсениде галлия; Электрохимические методы анализа
por: Сараева В. Е.
Publicado: (1989)

Введение в технологию материалов микроэлектроники. В 3 частях. Часть 1. От минерального сырья к монокристаллу учебник для вузов
por: Александрова О. А.
Publicado: (Санкт-Петербург, Лань, 2023)

Спектры DLTS арсенида галлия, облучённого нейтронами; Физика твердого тела
por: Пешев В. В.
Publicado: (2002)

Осаждение пленок арсенида галлия методом импульсной ионной абляции и их свойства; Физика твердого тела
Publicado: (2009)

Физико-химические условия устойчивости легированных марганцем нанослоев арсенида галлия и его изоэлектронных аналогов: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук; спец. 02.00.04
por: Терентьева Ю. В. Юлия Владимировна
Publicado: (Барнаул, 2013)

Электрофизические свойства арсенида галлия: учебное пособие
por: Сытенко Т. Н.
Publicado: (Киев, Изд-во КПИ, 1978)

Исследование поверхностно-барьерных переходов на арсениде галлия: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук
por: Максимова Н. К.
Publicado: (Томск, 1972)

Разработка и исследование блока детектирования на основе твердотельных арсенид галлиевых детекторов для регистрации рентгеновского и гамма излучения; Электронные приборы, системы и технологии
Publicado: (2011)

Напряжения в имплантированных структурах арсенида галлия; Радиационно-термические эффекты и процессы в неорганических материалах
por: Ардышев М. В.
Publicado: (2002)

Осаждение пленок арсенида галлия ионной абляцией и их термическая и химическая пассивация; ФВЗЧК-2011
Publicado: (2011)

Протонный отжиг имплантированных арсенида галлия и кремния; Радиационно-термические эффекты и процессы в неорганических материалах
por: Ардышев М. В.
Publicado: (2004)

Полярографическое определение серы в порошках арсенида и фосфида галлия: отдельный оттиск
por: Каплан Б. Я.
Publicado: (Москва, [Б. и.], 1969)

Осаждение пленок арсенида галлия на кремнии импульсной ионной абляцией и их свойства; Взаимодействие излучений с твердым телом
Publicado: (2011)

Термическая и химическая пассивация пленок арсенида галлия, осажденных из абляционной плазмы; Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования; № 2
por: Кабышев А. В. Александр Васильевич
Publicado: (2014)

Ионный абляционный синтез пленок арсенида галлия на кремниевой подложке; Известия вузов. Физика; Т. 55, № 6-2
por: Кабышев А. В. Александр Васильевич
Publicado: (2012)

Механизм переноса зарядов в излучающих структурах на основе арсенида галлия; Известия вузов. Физика; Т. 46, № 3
por: Карлова Г. Ф.
Publicado: (2003)

Электроперенос пленок арсенида галлия, синтезированных на поликоре ионной абляцией; Взаимодействие излучений с твердым телом
por: Кабышев А. В. Александр Васильевич
Publicado: (2013)

Технология эпитаксиальных слоев арсенида галлия и приборы на их основе
por: Черняев В. Н. Владимир Николаевич
Publicado: (Москва, Энергия, 1974)

Образование радиационных дефектов и их отжиг в арсениде галлия; Научно-методическое обеспечение образовательного процесса в условиях непрерывного обучения
por: Пешев В. В. Владимир Викторович
Publicado: (2005)

Радиопоглощающие свойства пеностекла с добавлением арсенида галлия; Перспективы развития фундаментальных наук; Т. 2 : Химия
por: Стебенева В. И.
Publicado: (2018)

Тензоэлектрические свойства и надежность приборов на основе арсенида галлия: диссертация на соискание ученой степени доктора технических наук; 01.04.10
por: Криворотов Н. П. Николай Павлович
Publicado: (Томск, 2002)

Исследование методом электронной ОЖЕ-спектроскопии физико-химических взаимодействий в структурах металл-арсенид галлия: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук; спец. 01.04.07
por: Пирогов В. А. Виктор Алексеевич
Publicado: (Томск, Изд-во ТГУ, 1986)

Радиозащитный композиционный материал с арсенидом галлия; Высокие технологии в современной науке и технике (ВТСНТ-2018)
Publicado: (2018)

Электроперенос пленок арсенида галлия, синтезированных на поликоре ионной абляцией; Известия вузов. Физика; Т. 56, № 7-2
Publicado: (2013)

Исследование стойкости арсенида галлия при облучении гамма-квантами; Радиационно-термические эффекты и процессы в неорганических материалах
por: Градобоев А. В. Александр Васильевич
Publicado: (2002)

Исследование возможности создания ядерной батарейки на арсениде галлия; Сборник тезисов лауреатов Всероссийского конкурса научно-исследовательских работ студентов и аспирантов в области физических наук в рамках всероссийского фестиваля науки
por: Прокопьев Д. Г.
Publicado: (2011)