Арсенид галлия, компенсированный примесями с глубокими уровнями (электронные свойства, структуры, применение: автореферат диссертации на соискание ученой степени доктора физико-математических наук

מידע ביבליוגרפי
מחבר ראשי:	Толбанов О. П. Олег Петрович
מחבר תאגידי:	Томский государственный университет
סיכום:	For_staff_use
שפה:	רוסית
יצא לאור:	Томск, [Б. и.], 1999
נושאים:	физика арсенид галлия электронные свойства микроэлектроника легирование полупроводниковые приборы полупроводники авторефераты диссертаций
פורמט:	ספר
KOHA link:	https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=11664

פריטים דומים