Арсенид галлия, компенсированный примесями с глубокими уровнями (электронные свойства, структуры, применение автореферат диссертации на соискание ученой степени доктора физико-математических наук

Арсенид галлия, компенсированный примесями с глубокими уровнями (электронные свойства, структуры, применение, автореферат диссертации на соискание ученой степени доктора физико-математических наук

Bibliographic Details
Main Author: Толбанов О. П. Олег Петрович
Corporate Author: Томский государственный университет
Summary:For_staff_use
Published: Томск, [Б. и.], 1999
Subjects:
физика
арсенид галлия
электронные свойства
микроэлектроника
легирование
полупроводниковые приборы
полупроводники
авторефераты диссертаций
Format: Book
KOHA link:https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=11664
Description
Physical Description:34 с.
Summary:For_staff_use

Similar Items