|
|
|
|
| LEADER |
00000nam0a2200000 4500 |
| 001 |
115748 |
| 005 |
20231101215300.0 |
| 010 |
|
|
|a 5769208562
|
| 035 |
|
|
|a (RuTPU)RU\TPU\book\125194
|
| 090 |
|
|
|a 115748
|
| 100 |
|
|
|a 20070514d2006 k y0rusy50 ca
|
| 101 |
0 |
|
|a rus
|
| 102 |
|
|
|a RU
|
| 105 |
|
|
|a a z 001zy
|
| 200 |
1 |
|
|a Моноатомные ступени на поверхности кремния
|f А. В. Латышев, А. Л. Асеев
|g Сибирское отделение РАН; Институт физики полупроводников
|
| 210 |
|
|
|a Новосибирск
|c Изд-во СО РАН
|d 2006
|
| 215 |
|
|
|a 242 с.
|c ил.
|
| 320 |
|
|
|a Предметный указатель: с. 207-209.
|
| 320 |
|
|
|a Библиография: с. 210-241.
|
| 330 |
|
|
|a В книге представлены результаты исследований структурных процессов, протекающих на поверхности кремния при сублимации, адсорбции, гомо- и гетероэпитаксиальном росте, термическом отжиге и газовых реакциях, полученные с помощью разработанного в ИФП СО РАН уникального диагностического метода — in situ сверхвысоковакуумной отражательной электронной микроскопии. Для физиков, специалистов и студентов, занимающихся вопросами материаловедения, физики кристаллизации, молекулярно-лучевой эпитаксии, атомными процессами на поверхности твердого тела, методами наноструктурирования, нанодиагностики и развитием кремниевых нанотехнологий.
|
| 606 |
|
|
|a Диагностика поверхности
|2 stltpush
|3 (RuTPU)RU\TPU\subj\9424
|9 36677
|
| 610 |
1 |
|
|a кремний
|
| 610 |
1 |
|
|a поверхность
|
| 610 |
1 |
|
|a моноатомные ступени
|
| 610 |
1 |
|
|a отражательная электронная микроскопия
|
| 610 |
1 |
|
|a кристаллы
|
| 610 |
1 |
|
|a реальные поверхности
|
| 610 |
1 |
|
|a структура
|
| 610 |
1 |
|
|a сублимация
|
| 610 |
1 |
|
|a эшелонирование
|
| 610 |
1 |
|
|a фазовые переходы
|
| 610 |
1 |
|
|a эпитаксиальный рост
|
| 610 |
1 |
|
|a примесно-индуцированная реконструкция
|
| 610 |
1 |
|
|a кислород
|
| 610 |
1 |
|
|a адсорбция
|
| 675 |
|
|
|a 539.211
|v 3
|
| 700 |
|
1 |
|a Латышев
|b А. В.
|g Александр Васильевич
|
| 701 |
|
1 |
|a Асеев
|b А. Л.
|g Александр Леонидович
|
| 712 |
0 |
2 |
|a Российская академия наук
|b Сибирское отделение
|b Институт физики полупроводников (РАН СО ИФП)
|c (Новосибирск)
|2 stltpush
|3 (RuTPU)RU\TPU\col\197
|
| 801 |
|
1 |
|a RU
|b 63413507
|c 20070514
|g PSBO
|
| 801 |
|
2 |
|a RU
|b 63413507
|c 20180207
|g PSBO
|
| 942 |
|
|
|c BK
|
| 959 |
|
|
|a 39/20070514
|d 1
|e 0
|f НФ:1
|
