Ступени роста и процессы на фронте кристаллизации при газофазовой эпитаксии полупроводников А В: автореферат диссертации на соискание ученой степени доктора физико-математических наук

Ступени роста и процессы на фронте кристаллизации при газофазовой эпитаксии полупроводников А В: автореферат диссертации на соискание ученой степени доктора физико-математических наук

Podrobná bibliografie
Hlavní autor:	Ивонин И. В. Иван Варфоломеевич
Jazyk:	ruština
Vydáno:	Новосибирск, [Б. и.], 1998
Témata:	электроника эпитаксиальные технологии полупроводники кристаллизация авторефераты диссертаций
Médium:	Kniha
KOHA link:	https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=11531

Podobné jednotky

Газофазная микрометаллургия полупроводников
Autor: Дорфман В. Ф. Вениамин Фриделевич
Vydáno: (Москва, Металлургия, 1974)

Материаловедение полупроводников и диэлектриков: учебник
Autor: Горелик С. С. Семен Самуилович
Vydáno: (Москва, МИСиС, 2003)

Исследование морфологии и спектральных свойств гетерокомпозиций GESI/SI, полученных методом молекулярно-лучевой эпитаксии: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата технических наук; Спец. 01.04.15
Autor: Лапин В. А. Вячеслав Анатольевич
Vydáno: (Нальчик, 2013)

Особенности формирования AIN на подложке сапфира в процессе нитридизации методом молекулярно-лучевой эпитаксии: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук; спец. 01.04.10
Autor: Милахин Д. С. Денис Сергеевич
Vydáno: (Новосибирск, [Б. и.], 2021)

Жидкофазная эпитаксия кремния
Vydáno: (Москва, Металлургия, 1989)

Кристаллизация и свойства кристаллов: межвузовский сборник; Вып. 5
Vydáno: (Новочеркасск, Изд-во НПИ, 1978)

Физикохимия сегрегационных явлений при кристаллизации полупроводников
Autor: Мавлонов Ш. Шараф
Vydáno: (Душанбе, Дониш, 1990)

Эпитаксиальные пленки
Autor: Палатник Л. С. Лев Самойлович
Vydáno: (Москва, Наука, 1971)

Сегрегационные явления при кристаллизации полупроводников
Autor: Мавлонов Ш. Шараф
Vydáno: (Душанбе, Дониш, 1979)

Кристаллизация и свойства кристаллов.: межвузовский сборник
Vydáno: (Новочеркасск, Изд-во Новочеркасского политехн. ин-та, 1987)

Кристаллизация и свойства кристаллов: межвузовский сборник научных трудов
Vydáno: (Новочеркасск, НПИ, 1991)

Легирование эпитаксиальных слоев полупроводников
Autor: Харченко В. В. Валерий Владимирович
Vydáno: (Ташкент, Фан, 1979)

Основы техники фракционной кристаллизации
Autor: Гельперин Н. И. Нисон Ильич
Vydáno: (Москва, Химия, 1986)

Проблемы эпитаксии полупроводниковых пленок
Vydáno: (Новосибирск, Наука, 1972)

Исследование элементарных процессов роста при газофазовой эпитапсии полупроводниковых соединений III- V; Известия вузов. Физика; Т. 46, № 6
Autor: Ивонин И. В.
Vydáno: (2003)

Ч. 1 : Физико-химические основы методов синтеза; Материалы электронной техники
Vydáno: (1983)

Дефекты в кристаллах полупроводников: сборник статей; пер. с англ.
Vydáno: (Москва, Мир, 1969)

Кристаллизация и свойства кристаллов: межвузовский сборник
Vydáno: (Новочеркасск, Изд-во НПИ, 1985)

Электрофизические и фотоэлектрические характеристики МДП-структур на основе гетероэпитаксиального варизонного HgCdTe, выращенного методом молекулярно-лучевой эпитаксии, с различными диэлектриками: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук; спец. 01.04.10
Autor: Дзядух С. М. Станислав Михайлович
Vydáno: (Томск, 2010)

Материаловедение полупроводников и диэлектриков.
Autor: Горелик С. С.
Vydáno: (Москва, МИСИС, 2003)

Поверхность кристалла и эпитаксия
Autor: Абдурагимов Г. А. Гаджи Асланович
Vydáno: (Ростов-на-Дону, Изд-во Ростовского ун-та, 1987)

Радиационное дефектообразование при ионной имплантации в варизонных полупроводниковых структурах CdxHgx-1Te, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии: диссертация на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук; Спец. 01.04.10
Autor: Григорьев Д. В. Денис Валерьевич
Vydáno: (Томск, [Б. и.], 2005)

Влияние дислокаций на люминесценцию эпитаксиальных слоев GaN; Высокие технологии в современной науке и технике
Vydáno: (2015)

Радиационное дефектообразование при ионной имплантации в варизонных полупроводниковых структурах CdxHgx-1Te, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук
Autor: Григорьев Д. В. Денис Валерьевич
Vydáno: (Томск, [Б. и.], 2005)

Радиационное дефектообразование при ионной имплантации в варизонных полупроводниковых структурах CdxHgx-1Te, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук; Спец. 01.04.10
Autor: Григорьев Д. В. Денис Валерьевич
Vydáno: (Томск, [Б. и.], 2005)

Люминесценция и разрушение гетероструктур на основе InGaN/GaN при облучении сильноточным электронным пучком: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук; спец. 01.04.07
Autor: Сысоева С. Г. Светлана Геннадьевна
Vydáno: (Томск, [Б. и.], 2018)

Т. 2; Рост кристаллов. Теория роста и методы выращивания кристаллов
Vydáno: (1981)

Контроль параметров полупроводниковых материалов и эпитаксиальных слоев
Autor: Батавин В. В. Виталий Васильевич
Vydáno: (Москва, Советское радио, 1976)

Некоторые вопросы неравновесной кристаллизации сплавов: диссертация на соискание ученой степени кандидата технических наук
Autor: Солнцев Л. А.
Vydáno: (Томск, [Б. и.], 1955)

Основы техники кристаллизации расплавов
Autor: Гельперин Н. И. Нисон Ильич
Vydáno: (Москва, Химия, 1975)

Физико-химические основы технологии полупроводниковых материалов: учебник
Autor: Крапухин В. В. Всеволод Валерьевич
Vydáno: (Москва, Металлургия, 1982)

Время-разрешенная люминесцентная спектроскопия эпитаксиальных слоев GaN, выращенных на подложках Al2O3; Современные техника и технологии; Т. 2
Autor: Горина С. Г. Светлана Геннадьевна
Vydáno: (2014)

Структурные и морфологические трансформации слоистых халькогенидов металлов при эпитаксиальном росте: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук; спец. 1.3.8
Autor: Пономарев С. А. Сергей Артемьевич
Vydáno: (Новосибирск, 2025)

Исследование влияния технологических параметров системы Ga-AsCl3-H2 - лигатура на рост и свойства эпитаксиальных структур GaAs для СВЧ-приборов: диссертация на соискание ученой степени кандидата технических наук; спец. 05.12.11
Autor: Чижевич Л. А.
Vydáno: (Томск, [Б. и.], 1974)

Импульсная люминесцентная спектрометрия эпитаксиальных слоев GaN, выращенных на подложках AL2O3; Ресурсоэффективным технологиям - энергию и энтузиазм молодых
Autor: Сычева А. В.
Vydáno: (2014)

Введение в технологию материалов микроэлектроники. В 3 частях. Часть 3. Эпитаксиальный рост учебник для вузов
Autor: Александрова О. А.
Vydáno: (Санкт-Петербург, Лань, 2023)

Т. 11 : Получение полупроводников; Металлургия цветных и редких металлов
Autor: Пелевин О. В.
Vydáno: (1978)

Технология эпитаксиальных слоев арсенида галлия и приборы на их основе
Autor: Черняев В. Н. Владимир Николаевич
Vydáno: (Москва, Энергия, 1974)

Кинетика и механизм кристаллизации
Vydáno: (Минск, Наука и техника, 1973)

Механика сплавов при кристаллизации слитков и отливок
Autor: Тимофеев Г. И. Геннадий Иванович
Vydáno: (Москва, Металлургия, 1977)