Ступени роста и процессы на фронте кристаллизации при газофазовой эпитаксии полупроводников А В, автореферат диссертации на соискание ученой степени доктора физико-математических наук
| मुख्य लेखक: | Ивонин И. В. Иван Варфоломеевич |
|---|---|
| भाषा: | रूसी |
| प्रकाशित: |
Новосибирск, [Б. и.], 1998
|
| विषय: | |
| स्वरूप: | पुस्तक |
| KOHA link: | https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=11531 |
समान संसाधन
Газофазная микрометаллургия полупроводников
द्वारा: Дорфман В. Ф. Вениамин Фриделевич
प्रकाशित: (Москва, Металлургия, 1974)
द्वारा: Дорфман В. Ф. Вениамин Фриделевич
प्रकाशित: (Москва, Металлургия, 1974)
Физикохимия сегрегационных явлений при кристаллизации полупроводников
द्वारा: Мавлонов Ш. Шараф
प्रकाशित: (Душанбе, Дониш, 1990)
द्वारा: Мавлонов Ш. Шараф
प्रकाशित: (Душанбе, Дониш, 1990)
Материаловедение полупроводников и диэлектриков учебник
द्वारा: Горелик С. С. Семен Самуилович
प्रकाशित: (Москва, МИСиС, 2003)
द्वारा: Горелик С. С. Семен Самуилович
प्रकाशित: (Москва, МИСиС, 2003)
Дефекты в кристаллах полупроводников сборник статей пер. с англ.
प्रकाशित: (Москва, Мир, 1969)
प्रकाशित: (Москва, Мир, 1969)
Сегрегационные явления при кристаллизации полупроводников
द्वारा: Мавлонов Ш. Шараф
प्रकाशित: (Душанбе, Дониш, 1979)
द्वारा: Мавлонов Ш. Шараф
प्रकाशित: (Душанбе, Дониш, 1979)
Кристаллизация и свойства кристаллов межвузовский сборник научных трудов
प्रकाशित: (Новочеркасск, НПИ, 1991)
प्रकाशित: (Новочеркасск, НПИ, 1991)
Кристаллизация и свойства кристаллов. межвузовский сборник
प्रकाशित: (Новочеркасск, Изд-во Новочеркасского политехн. ин-та, 1987)
प्रकाशित: (Новочеркасск, Изд-во Новочеркасского политехн. ин-та, 1987)
Контроль параметров полупроводниковых материалов и эпитаксиальных слоев
द्वारा: Батавин В. В. Виталий Васильевич
प्रकाशित: (Москва, Советское радио, 1976)
द्वारा: Батавин В. В. Виталий Васильевич
प्रकाशित: (Москва, Советское радио, 1976)
Материаловедение полупроводников и диэлектриков.
द्वारा: Горелик С. С.
प्रकाशित: (Москва, МИСИС, 2003)
द्वारा: Горелик С. С.
प्रकाशित: (Москва, МИСИС, 2003)
Т. 11 : Получение полупроводников
द्वारा: Пелевин О. В.
प्रकाशित: (1978)
द्वारा: Пелевин О. В.
प्रकाशित: (1978)
Ч. 1 : Физико-химические основы методов синтеза
प्रकाशित: (1983)
प्रकाशित: (1983)
Электрофизические и фотоэлектрические характеристики МДП-структур на основе гетероэпитаксиального варизонного HgCdTe, выращенного методом молекулярно-лучевой эпитаксии, с различными диэлектриками автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук спец. 01.04.10
द्वारा: Дзядух С. М. Станислав Михайлович
प्रकाशित: (Томск, 2010)
द्वारा: Дзядух С. М. Станислав Михайлович
प्रकाशित: (Томск, 2010)
Поверхность кристалла и эпитаксия
द्वारा: Абдурагимов Г. А. Гаджи Асланович
प्रकाशित: (Ростов-на-Дону, Изд-во Ростовского ун-та, 1987)
द्वारा: Абдурагимов Г. А. Гаджи Асланович
प्रकाशित: (Ростов-на-Дону, Изд-во Ростовского ун-та, 1987)
Физические свойства полупроводников АIII ВV и Аlll BVI материалы Всесоюзной конференции по физическим свойствам полупроводников АIII ВV и Аlll BVI, Баку, октябрь 1965 г.
प्रकाशित: (Баку, Изд-во АН АзССР, 1967)
प्रकाशित: (Баку, Изд-во АН АзССР, 1967)
Физико-химические основы технологии полупроводниковых материалов учебник
द्वारा: Крапухин В. В. Всеволод Валерьевич
प्रकाशित: (Москва, Металлургия, 1982)
द्वारा: Крапухин В. В. Всеволод Валерьевич
प्रकाशित: (Москва, Металлургия, 1982)
Введение в технологию материалов микроэлектроники. В 3 частях. Часть 3. Эпитаксиальный рост учебник для вузов
द्वारा: Александрова О. А.
प्रकाशित: (Санкт-Петербург, Лань, 2023)
द्वारा: Александрова О. А.
प्रकाशित: (Санкт-Петербург, Лань, 2023)
Исследование морфологии и спектральных свойств гетерокомпозиций GESI/SI, полученных методом молекулярно-лучевой эпитаксии автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата технических наук Спец. 01.04.15
द्वारा: Лапин В. А. Вячеслав Анатольевич
प्रकाशित: (Нальчик, 2013)
द्वारा: Лапин В. А. Вячеслав Анатольевич
प्रकाशित: (Нальчик, 2013)
Жидкофазная эпитаксия кремния
प्रकाशित: (Москва, Металлургия, 1989)
प्रकाशित: (Москва, Металлургия, 1989)
Легирование эпитаксиальных слоев полупроводников
द्वारा: Харченко В. В. Валерий Владимирович
प्रकाशित: (Ташкент, Фан, 1979)
द्वारा: Харченко В. В. Валерий Владимирович
प्रकाशित: (Ташкент, Фан, 1979)
Дефекты и диффузия в эпитаксиальных структурах [монография]
द्वारा: Джафаров Т. Д. Таяр Джумшуд оглы
प्रकाशित: (Ленинград, Наука, 1978)
द्वारा: Джафаров Т. Д. Таяр Джумшуд оглы
प्रकाशित: (Ленинград, Наука, 1978)
Кристаллизация и свойства кристаллов межвузовский сборник
प्रकाशित: (Новочеркасск, Изд-во НПИ, 1978)
प्रकाशित: (Новочеркасск, Изд-во НПИ, 1978)
Люминесценция и разрушение гетероструктур на основе InGaN/GaN при облучении сильноточным электронным пучком автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук спец. 01.04.07
द्वारा: Сысоева С. Г. Светлана Геннадьевна
प्रकाशित: (Томск, [Б. и.], 2018)
द्वारा: Сысоева С. Г. Светлана Геннадьевна
प्रकाशित: (Томск, [Б. и.], 2018)
Эпитаксиальные пленки
द्वारा: Палатник Л. С. Лев Самойлович
प्रकाशित: (Москва, Наука, 1971)
द्वारा: Палатник Л. С. Лев Самойлович
प्रकाशित: (Москва, Наука, 1971)
Поверхностные свойства твердых тел пер. с англ.
प्रकाशित: (Москва, Мир, 1972)
प्रकाशित: (Москва, Мир, 1972)
О возможном механизме роста монокристаллов из расплава в условиях невесомости
प्रकाशित: (2002)
प्रकाशित: (2002)
Очистка металлов и полупроводников кристаллизацией
द्वारा: Вигдорович В. Н. Виленин Наумович
प्रकाशित: (Москва, Металлургия, 1969)
द्वारा: Вигдорович В. Н. Виленин Наумович
प्रकाशित: (Москва, Металлургия, 1969)
Особенности формирования AIN на подложке сапфира в процессе нитридизации методом молекулярно-лучевой эпитаксии автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук спец. 01.04.10
द्वारा: Милахин Д. С. Денис Сергеевич
प्रकाशित: (Новосибирск, [Б. и.], 2021)
द्वारा: Милахин Д. С. Денис Сергеевич
प्रकाशित: (Новосибирск, [Б. и.], 2021)
Исследование элементарных процессов роста при газофазовой эпитапсии полупроводниковых соединений III- V
द्वारा: Ивонин И. В.
प्रकाशित: (2003)
द्वारा: Ивонин И. В.
प्रकाशित: (2003)
Диоды, транзисторы и тиристоры на основе гетероструктур [монография]
द्वारा: Корольков В. И. Владимир Ильич
प्रकाशित: (Ташкент, Фан, 1986)
द्वारा: Корольков В. И. Владимир Ильич
प्रकाशित: (Ташкент, Фан, 1986)
Материаловедение полупроводников и диэлектриков учебник
द्वारा: Горелик С. С. Семен Самуилович
प्रकाशित: (Москва, Металлургия, 1988)
द्वारा: Горелик С. С. Семен Самуилович
प्रकाशित: (Москва, Металлургия, 1988)
Основы техники фракционной кристаллизации
द्वारा: Гельперин Н. И. Нисон Ильич
प्रकाशित: (Москва, Химия, 1986)
द्वारा: Гельперин Н. И. Нисон Ильич
प्रकाशित: (Москва, Химия, 1986)
Проблемы эпитаксии полупроводниковых пленок
प्रकाशित: (Новосибирск, Наука, 1972)
प्रकाशित: (Новосибирск, Наука, 1972)
Кристаллизация и свойства кристаллов межвузовский сборник
प्रकाशित: (Новочеркасск, Изд-во НПИ, 1985)
प्रकाशित: (Новочеркасск, Изд-во НПИ, 1985)
Физико-химические основы легирования полупроводников
द्वारा: Глазов В. М. Василий Михайлович
प्रकाशित: (Москва, Наука, 1967)
द्वारा: Глазов В. М. Василий Михайлович
प्रकाशित: (Москва, Наука, 1967)
Свойства и применение металлов и полупроводников учебное пособие
द्वारा: Вихров С. П.
प्रकाशित: (Рязань, РГРТУ, 2004)
द्वारा: Вихров С. П.
प्रकाशित: (Рязань, РГРТУ, 2004)
Влияние дислокаций на люминесценцию эпитаксиальных слоев GaN
प्रकाशित: (2015)
प्रकाशित: (2015)
Электроника на основе нитрида галлия пер. с англ.
द्वारा: Куэй Р. Рюдигер
प्रकाशित: (Москва, Техносфера, 2011)
द्वारा: Куэй Р. Рюдигер
प्रकाशित: (Москва, Техносфера, 2011)
Тезисы докладов Третьей межвузовской конференции по современной технике диэлектриков и полупроводников, Ленинград
प्रकाशित: (Ленинград, Изд-во Ленинградского электротехнического института, 1960)
प्रकाशित: (Ленинград, Изд-во Ленинградского электротехнического института, 1960)
Полупроводниковые приборы и электронная аппаратура межвузовский сборник
प्रकाशित: (Кишинев, Штиинца, 1978)
प्रकाशित: (Кишинев, Штиинца, 1978)
Т. 1 : Поверхность полупроводников и металлов в сильном лазерном поле
प्रकाशित: (1988)
प्रकाशित: (1988)
समान संसाधन
-
Газофазная микрометаллургия полупроводников
द्वारा: Дорфман В. Ф. Вениамин Фриделевич
प्रकाशित: (Москва, Металлургия, 1974) -
Физикохимия сегрегационных явлений при кристаллизации полупроводников
द्वारा: Мавлонов Ш. Шараф
प्रकाशित: (Душанбе, Дониш, 1990) -
Материаловедение полупроводников и диэлектриков учебник
द्वारा: Горелик С. С. Семен Самуилович
प्रकाशित: (Москва, МИСиС, 2003) -
Дефекты в кристаллах полупроводников сборник статей пер. с англ.
प्रकाशित: (Москва, Мир, 1969) -
Сегрегационные явления при кристаллизации полупроводников
द्वारा: Мавлонов Ш. Шараф
प्रकाशित: (Душанбе, Дониш, 1979)