Ступени роста и процессы на фронте кристаллизации при газофазовой эпитаксии полупроводников А В: автореферат диссертации на соискание ученой степени доктора физико-математических наук

Ступени роста и процессы на фронте кристаллизации при газофазовой эпитаксии полупроводников А В: автореферат диссертации на соискание ученой степени доктора физико-математических наук

Bibliographic Details
Main Author:	Ивонин И. В. Иван Варфоломеевич
Language:	Russian
Published:	Новосибирск, [Б. и.], 1998
Subjects:	электроника эпитаксиальные технологии полупроводники кристаллизация авторефераты диссертаций
Format:	Book
KOHA link:	https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=11531

Similar Items

Газофазная микрометаллургия полупроводников
by: Дорфман В. Ф. Вениамин Фриделевич
Published: (Москва, Металлургия, 1974)

Синтез и рост совершенных кристаллов и пленок полупроводников: сборник статей
Published: (Новосибирск, Наука, 1981)

Исследование элементарных процессов роста при газофазовой эпитапсии полупроводниковых соединений III- V; Известия вузов. Физика; Т. 46, № 6
by: Ивонин И. В.
Published: (2003)

Исследование морфологии и спектральных свойств гетерокомпозиций GESI/SI, полученных методом молекулярно-лучевой эпитаксии: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата технических наук; Спец. 01.04.15
by: Лапин В. А. Вячеслав Анатольевич
Published: (Нальчик, 2013)

Особенности формирования AIN на подложке сапфира в процессе нитридизации методом молекулярно-лучевой эпитаксии: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук; спец. 01.04.10
by: Милахин Д. С. Денис Сергеевич
Published: (Новосибирск, [Б. и.], 2021)

Физикохимия сегрегационных явлений при кристаллизации полупроводников
by: Мавлонов Ш. Шараф
Published: (Душанбе, Дониш, 1990)

Проблемы эпитаксии полупроводниковых пленок
Published: (Новосибирск, Наука, 1972)

Основы техники фракционной кристаллизации
by: Гельперин Н. И. Нисон Ильич
Published: (Москва, Химия, 1986)

Материаловедение полупроводников и диэлектриков: учебник
by: Горелик С. С. Семен Самуилович
Published: (Москва, МИСиС, 2003)

Сегрегационные явления при кристаллизации полупроводников
by: Мавлонов Ш. Шараф
Published: (Душанбе, Дониш, 1979)

Влияние ультразвука на кинетику кристаллизации
by: Капустин А. П. Александр Павлович
Published: (Москва, Изд-во АН СССР, 1962)

Жидкофазная эпитаксия кремния
Published: (Москва, Металлургия, 1989)

Кристаллизация и свойства кристаллов: межвузовский сборник; Вып. 5
Published: (Новочеркасск, Изд-во НПИ, 1978)

Легирование эпитаксиальных слоев полупроводников
by: Харченко В. В. Валерий Владимирович
Published: (Ташкент, Фан, 1979)

Эпитаксиальные пленки
by: Палатник Л. С. Лев Самойлович
Published: (Москва, Наука, 1971)

Кристаллизация и свойства кристаллов: межвузовский сборник научных трудов
Published: (Новочеркасск, НПИ, 1991)

Кристаллизация и свойства кристаллов.: межвузовский сборник
Published: (Новочеркасск, Изд-во Новочеркасского политехн. ин-та, 1987)

Электрофизические и фотоэлектрические характеристики МДП-структур на основе гетероэпитаксиального варизонного HgCdTe, выращенного методом молекулярно-лучевой эпитаксии, с различными диэлектриками: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук; спец. 01.04.10
by: Дзядух С. М. Станислав Михайлович
Published: (Томск, 2010)

Дефекты в кристаллах полупроводников: сборник статей; пер. с англ.
Published: (Москва, Мир, 1969)

Радиационное дефектообразование при ионной имплантации в варизонных полупроводниковых структурах CdxHgx-1Te, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии: диссертация на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук; Спец. 01.04.10
by: Григорьев Д. В. Денис Валерьевич
Published: (Томск, [Б. и.], 2005)

Мощные излучающие диоды на основе двойных гетероструктур в AlGaAs: разработка и применение: диссертация на соискание ученой степени доктора технических наук
by: Вилисов А. А. Анатолий Александрович
Published: (Томск, 2001)

Радиационное дефектообразование при ионной имплантации в варизонных полупроводниковых структурах CdxHgx-1Te, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук
by: Григорьев Д. В. Денис Валерьевич
Published: (Томск, [Б. и.], 2005)

Влияние дислокаций на люминесценцию эпитаксиальных слоев GaN; Высокие технологии в современной науке и технике
Published: (2015)

Радиационное дефектообразование при ионной имплантации в варизонных полупроводниковых структурах CdxHgx-1Te, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук; Спец. 01.04.10
by: Григорьев Д. В. Денис Валерьевич
Published: (Томск, [Б. и.], 2005)

Т. 2; Рост кристаллов. Теория роста и методы выращивания кристаллов
Published: (1981)

Мощные излучающие диоды на основе двойных гетероструктур в AlGaAs: разработка и применение: автореферат диссертации на соискание ученой степени доктора технических наук
by: Вилисов А. А. Анатолий Александрович
Published: (Томск, [Б. и.], 2001)

Некоторые вопросы неравновесной кристаллизации сплавов: диссертация на соискание ученой степени кандидата технических наук
by: Солнцев Л. А.
Published: (Томск, [Б. и.], 1955)

Основы техники кристаллизации расплавов
by: Гельперин Н. И. Нисон Ильич
Published: (Москва, Химия, 1975)

Ч. 1 : Физико-химические основы методов синтеза; Материалы электронной техники
Published: (1983)

Контроль параметров полупроводниковых материалов и эпитаксиальных слоев
by: Батавин В. В. Виталий Васильевич
Published: (Москва, Советское радио, 1976)

Кристаллизация и свойства кристаллов: межвузовский сборник
Published: (Новочеркасск, Изд-во НПИ, 1985)

Люминесценция и разрушение гетероструктур на основе InGaN/GaN при облучении сильноточным электронным пучком: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук; спец. 01.04.07
by: Сысоева С. Г. Светлана Геннадьевна
Published: (Томск, [Б. и.], 2018)

Механика сплавов при кристаллизации слитков и отливок
by: Тимофеев Г. И. Геннадий Иванович
Published: (Москва, Металлургия, 1977)

Кинетика и механизм кристаллизации
Published: (Минск, Наука и техника, 1973)

Распределение примеси при направленной кристаллизации
by: Киргинцев А. Н. Алексей Николаевич
Published: (Новосибирск, Наука, 1977)

Полупроводниковые материалы в современной электронике
by: Мильвидский М. Г. Михаил Григорьевич
Published: (Москва, Наука, 1986)

Кинетика кристаллизации и перекристализации полупроводниковых плёнок
by: Александров Л. Н. Леонид Наумович
Published: (Новосибирск, Наука, 1985)

Поверхность кристалла и эпитаксия
by: Абдурагимов Г. А. Гаджи Асланович
Published: (Ростов-на-Дону, Изд-во Ростовского ун-та, 1987)

Возрастные кризисы. Ступени личностного роста: пер. с англ.
by: Шихи Г. Гейл
Published: (СПб., Ювента, 1999)

Геометрико-вероятностные модели кристаллизации: феноменологический подход: монография
by: Беленький В. З.
Published: (Москва, Наука, 1980)