Нейтронное трансмутационное легирование полупроводников пер. с англ.

Нейтронное трансмутационное легирование полупроводников, пер. с англ.

Podrobná bibliografie
Další autoři:	Миз Дж. Джон (340), Мордкович В. Н. (730)
Vydáno:	Москва, Мир, 1982
Edice:	Новости физики твердого тела Вып. 11
Témata:	полупроводники трансмутационное легирование радиоактивность радиационная безопасность реакторные установки метод Чохральского НТЛ-метод нейтронное легирование испытательные реакторы кремний НТЛ-кремний атомные смещения дефекты
Médium:	Kniha
KOHA link:	https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=107920

Podobné jednotky

Возможность создания технологии НТЛ кремния в реакторе ИРТ-Т на канале с односторонним доступом
Vydáno: (2016)

Нейтронное легирование кремния фосфором
Autor: Варлачёв В. А.
Vydáno: (2000)

Разработка технологии нейтронно-трансмутационного легирования кремния диаметром 204 мм на реакторе ИРТ-Т
Vydáno: (2025)

Нейтронное трансмутационное легирование кремния в бассейновом исследовательском ядерном реакторе автореферат диссертации на соискание ученой степени доктора технических наук спец. 01.04.07
Autor: Варлачев (Варлачёв) В. А. Валерий Александрович
Vydáno: (Томск, 2015)

Нейтронное трансмутационное легирование кремния в бассейновом исследовательском ядерном реакторе диссертация на соискание ученой степени доктора технических наук спец. 01.04.07
Autor: Варлачев (Варлачёв) В. А. Валерий Александрович
Vydáno: (Томск, 2015)

Нейтронное трансмутационное легирование кремния в бассейновом исследовательском ядерном реакторе автореферат диссертации на соискание ученой степени доктора технических наук спец. 01.04.07
Autor: Варлачев (Варлачёв) В. А. Валерий Александрович
Vydáno: (Томск, 2015)

Комплекс нейтронно-трансмутационного легирования слитков кремния на реакторе ИРТ-Т
Autor: Головацкий А. В. Алексей Васильевич
Vydáno: (2014)

Легирование полупроводников методом ядерных реакций
Vydáno: (Новосибирск, Наука, 1981)

Формирование зоны облучения для нейтронного легирования кремния фосфором на ядерном реакторе ИРТ диссертация на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук спец.- 01.04.16
Autor: Антропов Н. А. Николай Андреевич
Vydáno: (Томск, 1988)

Интернет-банкинг в России: история возникновения, возможности современных систем, проблемы развития
Autor: Субботина К. Е.
Vydáno: (2016)

Физико-технологические основы нейтронно-трансмутационного легирования кремния диаметром до 204 мм в бассейновом реакторе ИРТ-Т диссертация на соискание ученой степени кандидата технических наук спец. 1.3.8
Autor: Лебедев И. И. Иван Игоревич
Vydáno: (Томск, 2025)

Некоторые вопросы технологии нейронно-трансмутационного легирования слитков кремния с диаметром более 300 мм
Vydáno: (2007)

Физико-технологические основы нейтронно-трансмутационного легирования кремния диаметром до 204 мм в бассейновом реакторе ИРТ-Т автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата технических наук спец. 1.3.8
Autor: Лебедев И. И. Иван Игоревич
Vydáno: (Томск, 2025)

Модифицирование полупроводников пучками протонов
Autor: Козловский В. В. Виталий Васильевич
Vydáno: (СПб., Наука, 2003)

Монокристалличекий кремний солнечного качества
Autor: Смольников Н. В.
Vydáno: (2018)

Установка для нейтронного легирования кремния на исследовательском ядерном реакторе ИРТ-Т
Autor: Головацкий А. В. Алексей Васильевич
Vydáno: (2013)

Формирование экспериментального объема для облучения слитков кремния большого диаметра
Autor: Золотых Д. Е.
Vydáno: (2016)

Исследование влияния высокотеплопроводящих сплавов на равномерность распределения легирующей примеси при нейтронно-трансмутационном легировании кремния в вертикальном экспериментальном канале реактора ИРТ-Т
Autor: Смольников Н. В. Никита Викторович
Vydáno: (2018)

Введение в технологию материалов микроэлектроники. В 3 частях. Часть 1. От минерального сырья к монокристаллу учебник для вузов
Autor: Александрова О. А.
Vydáno: (Санкт-Петербург, Лань, 2023)

Моделирование процесса облучения и охлаждения кремния при проведении нейтронно-трансмутационного легирования на реакторе ИРТ-Т
Vydáno: (2018)

Использование компьютерного моделирования для определения величины радиационного разогрева при проведении нейтронно-трансмутационного легирования кремния на реакторе ИРТ-Т
Vydáno: (2019)

The ability to create NTD silicon technology in the IRT-T reactor in a horizontal experimental channel with one-side access
Vydáno: (2016)

Оптимизация условий облучения и разработка установки для ядерного легирования кремния в реакторе ИРТ-Т автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата технических наук спец. 05.09.02
Autor: Емец Е. Г. Евгений Геннадьевич
Vydáno: (Томск, 2016)

Легирование кремния лантоноидами как способ оптимизации параметров детекторов ионизирующих излучений
Vydáno: (2002)

Использование ядерного легирования для получения высокоомного кремния
Autor: Емец Е. Г. Евгений Геннадьевич
Vydáno: (2016)

Экспериментальное подтверждение селективной сепарации нейтронов
Vydáno: (2020)

Оптимизация условий облучения и разработка установки для ядерного легирования кремния в реакторе ИРТ-Т диссертация на соискание ученой степени кандидата технических наук спец. 05.09.02
Autor: Емец Е. Г. Евгений Геннадьевич
Vydáno: (Томск, [Б. и.], 2015)

Формирование микродефектной структуры полупроводникового кремния
Autor: Таланин В. И.
Vydáno: (2004)

Оптимизация условий облучения и разработка установки для ядерного легирования кремния в реакторе ИРТ-Т автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата технических наук спец. 05.09.02
Autor: Емец Е. Г. Евгений Геннадьевич
Vydáno: (Томск, [Б. и.], 2016)

Влияние магнитного поля на стартовые напряжения и подвижность индивидуальных дислокаций в кремнии
Vydáno: (2003)

Проблемы физики поверхности полупроводников
Vydáno: (Киев, Наукова думка, 1981)

Физико-химические основы легирования полупроводников
Autor: Глазов В. М. Василий Михайлович
Vydáno: (Москва, Наука, 1967)

Определение оптимальной компоновки активной зоны реактора ИРТ-Т для достижения эффективного облучения слитков кремния большого диаметра
Autor: Дмитриев С. К.
Vydáno: (2017)

Использование альтернативных материалов отражателя для оптимизации использования экспериментальных объемов реактора ИРТ-Т
Autor: Нерода А. А.
Vydáno: (2016)

Моделирование расположения нового облучательного объема для НТЛ кремния в реакторе ИРТ-Т
Vydáno: (2016)

Ионное легирование полупроводников (Кремний и германий) пер. с англ.
Autor: Мейер Дж. Джеймс
Vydáno: (Москва, Мир, 1973)

Моделирование современных перспективных кремниевых технологий, основанных на управлении процессами кластеризации и преципитации кислорода в кремнии учебно-методический комплекс
Autor: Светухин В. В.
Vydáno: (Ульяновск, УлГУ, 2006)

Вопросы радиационной технологии полупроводников [монография]
Vydáno: (Новосибирск, Наука, 1980)

Влияние предварительного легирования и режимов имплантации на диффузию кремния в GaAs при радиационном отжиге
Autor: Ардышев М. В.
Vydáno: (2004)

Ядерное легирование и радиационное модифицирование полупроводников: состояние и перспективы
Autor: Колин Н. Г.
Vydáno: (2003)