Технологии микроэлектроники. Химическое осаждение из газовой фазы

Opis bibliograficzny
1. autor: Киреев В. Ю. Валерий Юрьевич
Kolejni autorzy: Столяров А. А. Александр Александрович
Streszczenie:Проведена классификация процессов и оборудования химического осаждения из газовой фазы (ХОГФ), используемых в технологии производства интегральных микросхем (ИМС), и показаны тенденции их развития. Приведены основные характеристики элементов микроструктур ИМС, получаемых в процессах ХОГФ, а также технологические характеристики самих процессов и используемых реагентов. Рассмотрены параметры оборудования для реализации процессов ХОГФ и проведен анализ его возможностей, достоинств и недостатков при осаждении функциональных слоев микросхем. Приведены основные электрофизические характеристики осаждаемых пленок. Для инженеров-технологов и научных работников, использующих в своей практической работе химическое осаждение пленок из газовой фазы. Книга может быть полезна также студентам старших курсов, аспирантам и преподавателям вузов.
Język:rosyjski
Wydane: Москва, Техносфера, 2006
Seria:Мир электроники
Hasła przedmiotowe:
Format: Książka
KOHA link:https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=106117

Podobne zapisy