Технологии микроэлектроники. Химическое осаждение из газовой фазы

Технологии микроэлектроники. Химическое осаждение из газовой фазы

Detalles Bibliográficos
Autor principal: Киреев В. Ю. Валерий Юрьевич
Otros Autores: Столяров А. А. Александр Александрович
Sumario:Проведена классификация процессов и оборудования химического осаждения из газовой фазы (ХОГФ), используемых в технологии производства интегральных микросхем (ИМС), и показаны тенденции их развития. Приведены основные характеристики элементов микроструктур ИМС, получаемых в процессах ХОГФ, а также технологические характеристики самих процессов и используемых реагентов. Рассмотрены параметры оборудования для реализации процессов ХОГФ и проведен анализ его возможностей, достоинств и недостатков при осаждении функциональных слоев микросхем. Приведены основные электрофизические характеристики осаждаемых пленок. Для инженеров-технологов и научных работников, использующих в своей практической работе химическое осаждение пленок из газовой фазы. Книга может быть полезна также студентам старших курсов, аспирантам и преподавателям вузов.
Lenguaje:ruso
Publicado: Москва, Техносфера, 2006
Colección:Мир электроники
Materias:
микроэлектроника
газовые фазы
химическое осаждение
процессы
классификация
технологические характеристики
оборудование
механизмы
интегральные микросхемы
функциональные слои
пленки
Formato: Libro
KOHA link:https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=106117

Ejemplares similares

Ejemplares similares