Технологии микроэлектроники. Химическое осаждение из газовой фазы

Podrobná bibliografie
Hlavní autor: Киреев В. Ю. Валерий Юрьевич
Další autoři: Столяров А. А. Александр Александрович
Shrnutí:Проведена классификация процессов и оборудования химического осаждения из газовой фазы (ХОГФ), используемых в технологии производства интегральных микросхем (ИМС), и показаны тенденции их развития. Приведены основные характеристики элементов микроструктур ИМС, получаемых в процессах ХОГФ, а также технологические характеристики самих процессов и используемых реагентов. Рассмотрены параметры оборудования для реализации процессов ХОГФ и проведен анализ его возможностей, достоинств и недостатков при осаждении функциональных слоев микросхем. Приведены основные электрофизические характеристики осаждаемых пленок. Для инженеров-технологов и научных работников, использующих в своей практической работе химическое осаждение пленок из газовой фазы. Книга может быть полезна также студентам старших курсов, аспирантам и преподавателям вузов.
Jazyk:ruština
Vydáno: Москва, Техносфера, 2006
Edice:Мир электроники
Témata:
Médium: Kniha
KOHA link:https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=106117

MARC

LEADER 00000nam0a2200000 4500
001 106117
005 20231031114754.0
010 |a 5948360393 
035 |a (RuTPU)RU\TPU\book\114514 
090 |a 106117 
100 |a 20061201d2006 km y0rusy50 ca 
101 0 |a rus 
102 |a RU 
105 |a y z 001zy 
200 1 |a Технологии микроэлектроники. Химическое осаждение из газовой фазы  |f В. Ю. Киреев, А. А. Столяров 
210 |a Москва  |c Техносфера  |d 2006 
215 |a 192 с. 
225 1 |a Мир электроники 
320 |a Список сокращений: с. 19-23. 
320 |a Библиография: с. 188-190. 
330 |a Проведена классификация процессов и оборудования химического осаждения из газовой фазы (ХОГФ), используемых в технологии производства интегральных микросхем (ИМС), и показаны тенденции их развития. Приведены основные характеристики элементов микроструктур ИМС, получаемых в процессах ХОГФ, а также технологические характеристики самих процессов и используемых реагентов. Рассмотрены параметры оборудования для реализации процессов ХОГФ и проведен анализ его возможностей, достоинств и недостатков при осаждении функциональных слоев микросхем. Приведены основные электрофизические характеристики осаждаемых пленок. Для инженеров-технологов и научных работников, использующих в своей практической работе химическое осаждение пленок из газовой фазы. Книга может быть полезна также студентам старших курсов, аспирантам и преподавателям вузов. 
610 1 |a микроэлектроника 
610 1 |a газовые фазы 
610 1 |a химическое осаждение 
610 1 |a процессы 
610 1 |a классификация 
610 1 |a технологические характеристики 
610 1 |a оборудование 
610 1 |a механизмы 
610 1 |a интегральные микросхемы 
610 1 |a функциональные слои 
610 1 |a пленки 
675 |a 621.382.049.77  |v 3 
700 1 |a Киреев  |b В. Ю.  |g Валерий Юрьевич 
701 1 |a Столяров  |b А. А.  |g Александр Александрович 
801 1 |a RU  |b 63413507  |c 20061201  |g PSBO 
801 2 |a RU  |b 63413507  |c 20180305  |g PSBO 
942 |c BK