|
|
|
|
| LEADER |
00000nam0a2200000 4500 |
| 001 |
104653 |
| 005 |
20231101214547.0 |
| 010 |
|
|
|a 5948360601
|
| 035 |
|
|
|a (RuTPU)RU\TPU\book\112851
|
| 090 |
|
|
|a 104653
|
| 100 |
|
|
|a 20061103d2005 m y0rusy50 ca
|
| 101 |
0 |
|
|a rus
|
| 102 |
|
|
|a RU
|
| 105 |
|
|
|a a j 001zy
|
| 200 |
1 |
|
|a Твердотельная электроника
|e учебное пособие
|f В. А. Гуртов
|
| 205 |
|
|
|a 2-е изд., доп.
|
| 210 |
|
|
|a Москва
|c Техносфера
|d 2005
|
| 215 |
|
|
|a 408 с.
|c ил.
|
| 225 |
1 |
|
|a Мир электроники
|
| 320 |
|
|
|a Библиогр.: с. 401-404.
|
| 320 |
|
|
|a Предметный указатель: с. 405-406.
|
| 330 |
|
|
|a В учебном пособии рассматриваются основные типы полупроводниковых приборов и физические процессы, обеспечивающие их работу. Приводится анализ электронных процессов в объеме полупроводников, в электронно-дырочных переходах и в области пространственного заряда на поверхности полупроводников. Подробно представлены характеристики диодов, транзисторов, тиристоров, лавинно-пролетных диодов, светодиодов, полупроводниковых лазеров и фотоприемников, как на основе кремния, так и на перспективных материалах GaAs, GaN, SiC. Рассмотрены квантовый эффект Холла, микроминиатюризация и приборы наноэлектроники, характеристики полупроводниковых приборов при экстремальных температурах. Учебное пособие рассчитано на широкий спектр направлений обучения студентов классических и технических университетов, специализирующихся в области физики, микроэлектроники и электронной техники. Оно может быть полезно аспирантам и научным сотрудникам.
|
| 451 |
|
1 |
|0 (RuTPU)RU\TPU\book\128831
|y 978-5-94836-120-8
|t Твердотельная электроника
|o учебное пособие для вузов
|f В. А. Гуртов
|e 2-е изд., доп.
|c М.
|n Техносфера
|d 2007
|p 408 с.
|s Мир электроники
|a Гуртов, Валерий Алексеевич
|
| 606 |
1 |
|
|a Электроника твердотельная
|2 stltpush
|3 (RuTPU)RU\TPU\subj\20341
|9 45450
|
| 610 |
1 |
|
|a твердые тела
|
| 610 |
1 |
|
|a полупроводники
|
| 610 |
1 |
|
|a барьеры Шоттки
|
| 610 |
1 |
|
|a гетеропереходы
|
| 610 |
1 |
|
|a МДП-структуры
|
| 610 |
1 |
|
|a полупроводниковые диоды
|
| 610 |
1 |
|
|a варикапы
|
| 610 |
1 |
|
|a стабилитроны
|
| 610 |
1 |
|
|a туннельные диоды
|
| 610 |
1 |
|
|a обращенные диоды
|
| 610 |
1 |
|
|a биполярные транзисторы
|
| 610 |
1 |
|
|a формулы Молла-Эберса
|
| 610 |
1 |
|
|a полевые транзисторы
|
| 610 |
1 |
|
|a тиристоры
|
| 610 |
1 |
|
|a лавинно-пролетные диоды
|
| 610 |
1 |
|
|a диоды Ганна
|
| 610 |
1 |
|
|a полупроводниковые лазеры
|
| 610 |
1 |
|
|a фотоприемники
|
| 610 |
1 |
|
|a квантовый эффект Холла
|
| 610 |
1 |
|
|a микроминиатюризация
|
| 610 |
1 |
|
|a наноэлектроника
|
| 610 |
1 |
|
|a экстремальные температуры
|
| 610 |
1 |
|
|a учебные пособия
|
| 610 |
1 |
|
|a Нобелевские премии по химии
|
| 610 |
1 |
|
|a Нобелевские премии по твердотельной электронике
|
| 675 |
|
|
|a 621.382(075.8)
|v 3
|
| 700 |
|
1 |
|a Гуртов
|b В. А.
|g Валерий Алексеевич
|
| 801 |
|
1 |
|a RU
|b 63413507
|c 20061103
|g PSBO
|
| 801 |
|
2 |
|a RU
|b 63413507
|c 20210601
|g PSBO
|
| 900 |
|
|
|a Электроника
|
| 900 |
|
|
|a Твердотельная электроника
|
| 942 |
|
|
|c BK
|
| 951 |
|
|
|a 510400
|b 010701
|
| 959 |
|
|
|a 17/20070215
|d 1
|e 358,60
|f ЧЗТЛ:1
|
