Образование и отжиг радиационных дефектов в арсениде галлия и фосфиде индия: автореферат диссертации на соискание ученой степени доктора физико-математических наук

Образование и отжиг радиационных дефектов в арсениде галлия и фосфиде индия: автореферат диссертации на соискание ученой степени доктора физико-математических наук

Bibliographic Details
Main Author:	Пешев В. В. Владимир Викторович
Corporate Author:	Томский политехнический университет
Language:	Russian
Published:	Томск, [Б. и.], 1999
Subjects:	галлия арсенид индия фосфид радиационные дефекты образование отжиг полупроводники авторефераты диссертаций
Format:	Book
KOHA link:	https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=10401

Similar Items

Образование и отжиг радиационных дефектов в арсениде галлия и фосфиде индия: диссертация на соискание ученой степени доктора физико-математических наук
by: Пешев В. В. Владимир Викторович
Published: (Томск, 1999)

Образование радиационных дефектов и их отжиг в арсениде галлия; Научно-методическое обеспечение образовательного процесса в условиях непрерывного обучения
by: Пешев В. В. Владимир Викторович
Published: (2005)

Радиационные дефекты в бинарных (InP, GaP) и тройных (CdSnP2, ZnGeP2) полупроводниковых фосфидах: диссертация на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук; спец. 01.04.10
by: Новиков В. А. Владимир Александрович
Published: (Томск, [Б. и.], 2007)

Протонный отжиг имплантированных арсенида галлия и кремния; Радиационно-термические эффекты и процессы в неорганических материалах
by: Ардышев М. В.
Published: (2004)

Полярографическое определение серы в порошках арсенида и фосфида галлия: отдельный оттиск
by: Каплан Б. Я.
Published: (Москва, [Б. и.], 1969)

Образование центров Е10 (Ес-0,62 эВ) в фосфиде индия при гамма- и электронном облучениях; Радиационно-термические эффекты и процессы в неорганических материалах
by: Пешев В. В.
Published: (2002)

The Synthesis of Gallium Arsenide Films on Silicon Substrate by Ionics Ablation; Известия вузов. Физика; Т. 55, № 12-2
by: Kabyshev A. V. Alexander Vasilievich
Published: (2012)

Введение в технологию материалов микроэлектроники. В 3 частях. Часть 1. От минерального сырья к монокристаллу учебник для вузов
by: Александрова О. А.
Published: (Санкт-Петербург, Лань, 2023)

Ионный абляционный синтез пленок арсенида галлия на кремниевой подложке; Известия вузов. Физика; Т. 55, № 6-2
by: Кабышев А. В. Александр Васильевич
Published: (2012)

Исследование точностных характеристик методики определения хрома в арсениде галлия; Электрохимические методы анализа
by: Сараева В. Е.
Published: (1989)

Полуизолирующие соединения A III B V: пер. с англ.
Published: (Москва, Металлургия, 1984)

Арсенид галлия: радиационные дефекты и ионизационные детекторы ядерного излучения: диссертация на соискание ученой степени кандидата технических наук
by: Потапов А. И. Александр Иванович
Published: (Томск, 1999)

Влияние различных видов отжига на концентрационные профили ионов кремния, имплантированных в арсенид галлия; Известия вузов. Физика; Т. 54, № 1/3 : Радиационно-термические эффекты и процессы в неорганических материалах
by: Чернявский А. В. Александр Викторович
Published: (2011)

Отжиг радиационных дефектов в n-GaAs; Известия вузов. Физика; Т. 47, № 10
by: Пешев В. В.
Published: (2004)

Арсенид галлия: радиационные дефекты и ионизационные детекторы ядерного излучения: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата технических наук
by: Потапов А. И. Александр Иванович
Published: (Томск, [Б. и.], 1999)

Исследование поверхностно-барьерных переходов на арсениде галлия: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук
by: Максимова Н. К.
Published: (Томск, 1972)

Электроперенос пленок арсенида галлия, синтезированных на поликоре ионной абляцией; Известия вузов. Физика; Т. 56, № 7-2
Published: (2013)

Радиационные дефекты в бинарных (InP, GaP) и тройных (CdSnP2, ZnGeP2) полупроводниковых фосфидах: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук; спец. 01.04.10
by: Новиков В. А. Владимир Александрович
Published: (Томск, [Б. и.], 2007)

Влияние пассивации на фотоэлектрические свойства плёнок арсенида галия, осаждённых импульсной ионной абляцией; Известия вузов. Физика; Т. 54, № 1/2 : Радиационно-термические эффекты и процессы в неорганических материалах
Published: (2011)

Спектры DLTS арсенида галлия, облучённого нейтронами; Физика твердого тела
by: Пешев В. В.
Published: (2002)

Singularities of current-voltage characteristics of GaAs films fabricated by pulsed ions ablation; Взаимодействие излучений с твердым телом
Published: (2009)

Радиационные дефекты в бинарных (InP, GaP) и тройных (CdSnP2, ZnGeP2) полупроводниковых фосфидах: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук
by: Новиков В. А. Владимир Александрович
Published: (Томск, [Б. и.], 2007)

Арсенид галлия, компенсированный примесями с глубокими уровнями (электронные свойства, структуры, применение: диссертация на соискание ученой степени доктора физико-математических наук
by: Толбанов О. П. Олег Петрович
Published: (Томск, 1999)

Контакты с барьером Шоттки на основе арсенида галлия: структура, электрические свойства: Автореферат диссертации доктора физико-математических наук
by: Филонов Н. Г. Николай Григорьевич
Published: (Томск, [Б. и.], 2000)

Исследование технологии ионного легирования для создания высокочувствительных датчиков магнитного поля на арсениде галлия; Известия вузов. Физика; Т. 54, № 1/2 : Радиационно-термические эффекты и процессы в неорганических материалах
by: Карлова Г. Ф.
Published: (2011)

Физические свойства полупроводников АIII ВV и Аlll BVI: материалы Всесоюзной конференции по физическим свойствам полупроводников АIII ВV и Аlll BVI, Баку, октябрь 1965 г.
Published: (Баку, Изд-во АН АзССР, 1967)

Контакты с барьером Шоттки на основе арсенида галлия: структура, электрические свойства: диссертация на соискание ученой степени доктора физико-математических наук
by: Филонов Н. Г. Николай Григорьевич
Published: (Томск, 2000)

Арсенид галлия, компенсированный примесями с глубокими уровнями (электронные свойства, структуры, применение: автореферат диссертации на соискание ученой степени доктора физико-математических наук
by: Толбанов О. П. Олег Петрович
Published: (Томск, [Б. и.], 1999)

Исследование возможности создания ядерной батарейки на арсениде галлия; Сборник тезисов лауреатов Всероссийского конкурса научно-исследовательских работ студентов и аспирантов в области физических наук в рамках всероссийского фестиваля науки
by: Прокопьев Д. Г.
Published: (2011)

Полевые транзисторы на арсениде галлия. Принципы работы и технология изготовления: пер. с англ.
Published: (Москва, Радио и связь, 1988)

Электроперенос пленок арсенида галлия, синтезированных ионной абляцией; ФВЗЧК-2014
Published: (2014)

Изучение радиопоглощающих свойств арсенида галлия; Физическое образование в вузах; Т. 24, № S1
by: Семенова В. И. Валерия Игоревна
Published: (2018)

Квантово-чувствительные детекторы ионизирующих излучений на основе компенсированного арсенида галлия; Известия вузов. Физика; Т. 46, № 8
by: Толбанов О. П.
Published: (2003)

Электроперенос пленок арсенида галлия, синтезированных ионной абляцией; Известия вузов. Физика; Т. 57, № 9/3
Published: (2014)

Арсенид галлия. Получение, свойства и применение
Published: (Москва, Наука, 1973)

Осаждение пленок арсенида галлия методом импульсной ионной абляции и их свойства; Физика твердого тела
Published: (2009)

Электрофизические свойства арсенида галлия: учебное пособие
by: Сытенко Т. Н.
Published: (Киев, Изд-во КПИ, 1978)

Арсенид галлия: сборник статей
Published: (Томск, Изд-во ТГУ, 1968)

Физико-технологические вопросы разработки полупроводниковых приборов на полуизолирующем арсениде галлия: диссертация на соискание ученой степени доктора технических наук; Спец. 01.04.10
by: Айзенштат Г. И. Геннадий Исаакович
Published: (Томск, [Б. и.], 2004)

Фоточувствительные структуры и солнечные элементы на основе арсенида галлия
Published: (Ташкент, Фан, 1986)