Осаждение пленок GaAs из абляционной плазмы, формируемой импульсным мощным ионным пучком: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата технических наук

Осаждение пленок GaAs из абляционной плазмы, формируемой импульсным мощным ионным пучком: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата технических наук

Библиографические подробности
Главный автор:	Ли Цзень Фень
Автор-организация:	Томский политехнический университет (ТПУ) Научно-исследовательский институт высоких напряжений (НИИВН)
Другие авторы:	Ремнев Г. Е. Геннадий Ефимович (научный руководитель)
Примечания:	Заглавие с титульного экрана Электронная версия печатной публикации
Язык:	русский
Опубликовано:	Томск, [Б. и.], 2006
Предметы:	тонкие пленки получение пленки арсенида галия импульсные мощные ионные пучки воздействие осаждение абляционная плазма авторефераты диссертаций труды учёных ТПУ электронный ресурс
Online-ссылка:	http://www.lib.tpu.ru/fulltext/a/2006/26.pdf
Формат:	Электронный ресурс Книга
Запись в KOHA:	https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=102181

Схожие документы

Осаждение пленок GaAs из абляционной плазмы, формируемой импульсным мощным ионным пучком: диссертация на соискание ученой степени кандидата технических наук; спец. 05.09.02; спец. 01.04.04
по: Ли Цзень Фень
Опубликовано: (Томск, [Б. и.], 2006)

Осаждение пленок GaAs из абляционной плазмы, формируемой импульсным мощным ионным пучком: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата технических наук; спец. 05.09.02; спец. 01.04.04
по: Ли Цзень Фень
Опубликовано: (Томск, [Б. и.], 2006)

Импульсное осаждение полупроводниковых пленок GaAs и InP из абляционной плазмы, формируемой мощным ионным пучком: диссертация на соискание ученой степени кандидата технических наук; спец. 01.04.07
по: Салтымаков М. С. Максим Сергеевич
Опубликовано: (Томск, 2010)

Импульсное осаждение полупроводниковых пленок GaAs и InP из абляционной плазмы, формируемой мощным ионным пучком: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата технических наук; спец. 01.04.07
по: Салтымаков М. С. Максим Сергеевич
Опубликовано: (Томск, 2010)

Импульсное осаждение полупроводниковых пленок GaAs и InP из абляционной плазмы, формируемой мощным ионным пучком: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата технических наук; спец. 01.04.07
по: Салтымаков М. С. Максим Сергеевич
Опубликовано: (Томск, 2010)

Монокристаллы полупроводниковых соединений III-V: современное производство и перспективы его развития; Известия вузов. Физика; Т. 46, № 6
по: Марков А. В.
Опубликовано: (2003)

Thermal and chemical passivation of gallium-arsenide films deposited from ablation plasma; Journal of Surface Investigation. X-ray, Synchrotron and Neutron Techniques; Vol. 8, iss. 1
по: Kabyshev A. V. Alexander Vasilievich
Опубликовано: (2014)

Распыление меди импульсным мощным ионным пучком: структура и фазовый состав мишени и пленки; Физика и химия обработки материалов; № 1
Опубликовано: (2001)

Влияние термо-и микроволновой обработок на свойства омических контактов K n-n+-n++ -Inp(GaAs, GaN); Известия вузов. Физика; Т. 54, № 1/2 : Радиационно-термические эффекты и процессы в неорганических материалах
Опубликовано: (2011)

Контроль относительной деформации постоянной решетки полуизолирующего GaAs по отраженному излучению; Дефектоскопия; № 8
Опубликовано: (2004)

Осаждение тонких пленок из абляционной плазмы, генерируемой на мишени при воздействии мощного ионного пучка: диссертация на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук
по: Закутаев А. Н. Александр Николаевич
Опубликовано: (Томск, 1998)

Осаждение тонких пленок из абляционной плазмы, генерируемой на мишени при воздействии мощного ионного пучка: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук
по: Закутаев А. Н. Александр Николаевич
Опубликовано: (Томск, [Б. и.], 1998)

Фотоэлектрические свойства пленок высокоомного арсенида галлия, осажденных из абляционной плазмы, формируемой мощным импульсным ионным пучком; Радиационно-термические эффекты и процессы в неорганических материалах; [Ч. 1]
Опубликовано: (2008)

Оптические свойства пленок GaAs, осажденных импульсной ионной абляцией; ФВЗЧК-2010
по: Кабышев А. В. Александр Васильевич
Опубликовано: (2010)

Плазмохимический синтез биопокрытий из абляционной плазмы, создаваемой облучением мишени из гидроксиапатита мощными ионными пучками; Новые технологии создания и применения биокерамики в восстановительной медицине
по: Волокитина Т. Л. Татьяна Леонидовна
Опубликовано: (2013)

Применение метода осаждения из абляционной плазмы для получения биоактивных покрытий на имплантантах; Современные техника и технологии; Т. 2
по: Швецов Е. Е. Егор Евгеньевич
Опубликовано: (2010)

Свойства пленок оксида галлия, полученных методом электрохимического окисления пластин GaAs: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук; спец. 1.3.11
по: Петрова Ю. С. Юлианна Сергеевна
Опубликовано: (Томск, 2024)

Осаждение пленок и покрытий разложением металлоорганических соединений
Опубликовано: (Москва, Наука, 1981)

Электрофизические и фотоэлектрические свойства пленок GaAs, осажденных импульсной ионной абляцией; ФВЗЧК-2012
по: Кабышев А. В. Александр Васильевич
Опубликовано: (2012)

Модификация поверхности медицинских материалов методом осаждения биосовместимых покрытий из абляционной плазмы, создаваемой мощными ионными пучками; Известия вузов. Физика; Т. 56, № 11, ч. 3
Опубликовано: (2013)

Электрофизические и тензоэлектрические свойства InSb и GaSb, облученных электронами, протонами и нейтронами: диссертация на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук; спец. 01.04.10
по: Каменская И. В. Ирина Валентиновна
Опубликовано: (Томск, [Б. и.], 2007)

Развитие эпитаксии GaAs- от слитков к ультратонким пленкам. Выращивание слоев для наноструктурных приборов; Известия вузов. Физика; Т. 46, № 6
по: Нишизава Дж.-И.
Опубликовано: (2003)

Осаждение пленок из низкотемпературной плазмы и ионных пучков
по: Осипов К. А. Кирилл Афанасьевич
Опубликовано: (Москва, Наука, 1973)

Biocoatings formed from ablation plasma; Перспективы развития фундаментальных наук
по: Volokitina T. L. Tatiana Leonidovna
Опубликовано: (2012)

О магнитном поле, действующем на движущиеся доменные стенки в плёнках феррит-граната (Bi, Yb)3(Fe, Ga)5O12; Письма в Журнал технической физики; Т. 28, вып. 14
Опубликовано: (2002)

Воздействие мощным импульсным ионным пучком углерода на приповерхностные слои циркониевой керамики; Перспективы развития фундаментальных наук
Опубликовано: (2014)

Термическая и химическая пассивация пленок арсенида галлия, осажденных из абляционной плазмы; Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования; № 2
по: Кабышев А. В. Александр Васильевич
Опубликовано: (2014)

Туннельная излучательная рекомбинация в p-n- гетероструктурах на основе нитрида галлия и других соединнений типа [AIIIBV]; Журнал экспериментальной и теоретической физики; Т. 124, вып. 5
по: Кудряшов В. Е.
Опубликовано: (2003)

Применение высокочастотного короткоимпульсного потенциала смещения для ионно-лучевой и плазменной обработки проводящих и диэлектрических материалов; Известия Томского политехнического университета [Известия ТПУ]; Т. 316, № 4: Энергетика
по: Рябчиков А. И. Александр Ильич
Опубликовано: (2010)

Технологии микроэлектроники. Химическое осаждение из газовой фазы
по: Киреев В. Ю. Валерий Юрьевич
Опубликовано: (Москва, Техносфера, 2006)

Формирование ассиметричных трековых пор в полимерной матрице, облученных ионом аргона; Вестник НЯЦ РК; Вып. 3 (63)
по: Ахметшарипова Т. К. Тамина Канатовна
Опубликовано: (2015)

Построение и анализ генной сети альвеолярных макрофагов при ХОБЛ различной этиологии на основе данных по генной экспрессии с применением программного модуля GRatio; Современные техника и технологии; Т. 2
по: Швецов Е. Е. Егор Евгеньевич
Опубликовано: (2010)

Радиационные дефекты в бинарных (InP, GaP) и тройных (CdSnP2, ZnGeP2) полупроводниковых фосфидах: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук; спец. 01.04.10
по: Новиков В. А. Владимир Александрович
Опубликовано: (Томск, [Б. и.], 2007)

Осаждение антифрикционных покрытий в плазме магнетронного разряда; Упрочняющие технологии и покрытия; № 4
Опубликовано: (2016)

Оптические свойства пленок GAAS, осажденных импульсной ионной абляцией; Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования; № 3
по: Кабышев А. В. Александр Васильевич
Опубликовано: (2011)

Осаждение пленок арсенида галлия методом импульсной ионной абляции и их свойства; Физика твердого тела
Опубликовано: (2009)

Легирование поверхности алюминия титаном посредством облучения системы Ti (пленка) / Al (подложка) интенсивным импульсным электронным пучком: структура и свойства; Перспективы развития фундаментальных наук
по: Рыгина М. Е.
Опубликовано: (2015)

Великий просветитель Зия Камали (Эпоха. Личность. Воспоминания)
по: Кудашева С. С.
Опубликовано: (Уфа, ВЭГУ, 2015)

Осаждение пленок арсенида галлия ионной абляцией и их термическая и химическая пассивация; ФВЗЧК-2011
Опубликовано: (2011)

Легирование поверхности алюминия титаном посредством облучения системы Ti (пленка) / Al (подложка), интенсивным импульсным электронным пучком - анализ тепловых процессов; Перспективы развития фундаментальных наук
по: Рыгина М. Е.
Опубликовано: (2015)