Search Results - Разжувалов А. Н. Александр Николаевич

  • Showing 1 - 13 results of 13
Refine Results
  1. 1
    Туннельные явления в напряженных вюртцитных гетероструктурах с сильными встроенными полями автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук спец. 01.04.10 спец. 01.04.02

    Туннельные явления в напряженных вюртцитных гетероструктурах с сильными встроенными полями автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук... by Разжувалов А. Н. Александр Николаевич

    Published Томск, 2009
    Book
  2. 2
    Роль глубоких уровней в токе туннельных диодов w-AlGaN/GaN

    Роль глубоких уровней в токе туннельных диодов w-AlGaN/GaN by Разжувалов А. Н. Александр Николаевич

    Published 2015
    Get full text
    Electronic Book Chapter
  3. 3
    Влияние дефектов на туннельный ток в структурах w-GaN/AlGaN(0001)

    Влияние дефектов на туннельный ток в структурах w-GaN/AlGaN(0001) by Разжувалов А. Н. Александр Николаевич

    Published 2008
    Get full text
    Electronic Book Chapter
  4. 4
    "Двурезонансный" гистерезис туннельного тока в гетероструктурах w-GaN/AlGaN

    "Двурезонансный" гистерезис туннельного тока в гетероструктурах w-GaN/AlGaN by Разжувалов А. Н. Александр Николаевич

    Published 2007
    Get full text
    Electronic Book Chapter
  5. 5
    Особенности туннельного тока в двухбарьерных нитридных структурах w-GaN/AlGaN(0001)

    Особенности туннельного тока в двухбарьерных нитридных структурах w-GaN/AlGaN(0001) by Разжувалов А. Н. Александр Николаевич

    Published 2005
    Get full text
    Electronic Book Chapter
  6. 6
    “Конденсаторная” модель гистерезиса туннельного тока в структурах w-GaN/AlGaN(0001)

    “Конденсаторная” модель гистерезиса туннельного тока в структурах w-GaN/AlGaN(0001) by Разжувалов А. Н. Александр Николаевич

    Published 2009
    Get full text
    Get full text
    Electronic Book Chapter
  7. 7
    Гистерезис туннельного тока в двухбарьерных структурах w-GaN/AlGaN(0001)

    Гистерезис туннельного тока в двухбарьерных структурах w-GaN/AlGaN(0001) by Разжувалов А. Н. Александр Николаевич

    Published 2008
    Get full text
    Get full text
    Electronic Book Chapter
  8. 8
    Резонансное туннелирование электронов в напряженных структурах GaN/Ga1-xAlxN(0001) с учетом спонтанной поляризации и пьезоэффекта

    Резонансное туннелирование электронов в напряженных структурах GaN/Ga1-xAlxN(0001) с учетом спонтанной поляризации и пьезоэффекта... by Гриняев С. Н. Сергей Николаевич

    Published 2001
    Other Authors: “…Разжувалов А. Н. Александр Николаевич…”
    Get full text
    Get full text
    Electronic Book Chapter
  9. 9
    Самосогласованный расчет туннельного тока в двухбарьерных гетероструктурах w-GaN / AlGaN (0001)

    Самосогласованный расчет туннельного тока в двухбарьерных гетероструктурах w-GaN / AlGaN (0001) by Гриняев С. Н. Сергей Николаевич

    Published 2006
    Other Authors: “…Разжувалов А. Н. Александр Николаевич…”
    Get full text
    Get full text
    Electronic Book Chapter
  10. 10
    Влияние внутренних полей на туннельный ток в напряженных структурах GaN/AlxGa1-xN(0001)

    Влияние внутренних полей на туннельный ток в напряженных структурах GaN/AlxGa1-xN(0001) by Гриняев С. Н. Сергей Николаевич

    Published 2003
    Other Authors: “…Разжувалов А. Н. Александр Николаевич…”
    Get full text
    Get full text
    Electronic Book Chapter
  11. 11
    Опыт Резерфорда (зондирование вещества быстрыми a-частицами) методические указания к выполнению лабораторной работ по курсу "Атомная физика” для студентов II-III курса, обучающихся по специальностям 011200 - физика, 010700 - ядерная физика, 010800 -физика кинетических явлений, 070500 - ядерные реакторы и энергетические установки, 200600 -электроника и автоматика физических установок, 330300 - радиационная безопасность человека и окружающей среды

    Опыт Резерфорда (зондирование вещества быстрыми a-частицами) методические указания к выполнению лабораторной работ по курсу "Атомная физика” для студентов II-III курса, обучающихся...

    Published Томск, Изд-во ТПУ, 2012
    Other Authors: “…Разжувалов А. Н. Александр Николаевич…”
    Get full text
    Electronic Book
  12. 12
    Анализ граничных условий для огибающих функций в гетероструктурах GaN/InGaN(0001)

    Анализ граничных условий для огибающих функций в гетероструктурах GaN/InGaN(0001) by Караваев Г. Ф. Геннадий Федорович

    Published 2012
    Other Authors: Get full text
    Electronic Book Chapter
  13. 13
    Физическое моделирование GaN/AlGaN HEMTнаногетероструктур и мощных СВЧ-транзисторовс использованием пакета Synopsys

    Физическое моделирование GaN/AlGaN HEMTнаногетероструктур и мощных СВЧ-транзисторовс использованием пакета Synopsys...

    Published 2012
    Other Authors: Get full text
    Get full text
    Electronic Book Chapter

Search Tools: